提高大功率开关晶体管二次击穿容量的一种方法

本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以一种功率为225W(TC=25℃),BVCEO=200V,ICM=30A的高速开关晶体管为例,介绍了一种通过特殊版图设计和工艺设计的方法,使晶体管的发射结面积得到充分应用,消除了大电流时发射极的电流集边效应,从而提高了功率开关晶体管的正偏二次击穿功率容量.     

一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计

设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片,并通过TLP测试平台测得触发电压低于10V,二次击穿电流3.5A,达到设计要求.     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

改进二次型Boost变换器的研究与分析

传统二次型Boost变换器具有较高的升压能力,但其开关器件的电压、电流应力较大,增加了电路的体积与成本。笔者在传统二次型Boost 变换器的基础上,结合高增益Boost 三端网络,提出改进二次型Boost变换器,并对其连续工作模式下的工作原理及各开关器件的电压、电流应力进行了分析。分析结果表明,改进二次型Boost 变换器不仅升压能力有所提升,而且在输出电压相同的情况下,开关器件的电压、电流应力有所降低。最后,通过仿真分析验证了该变换器的正确性和可行性。     

二次击穿的协同学原理

本文研究PN结的二次击穿。考虑温度与电流的合作行为,写出时率方程;进行稳定性分析;应用协同学原理,得到发生二次击穿的条件和预防二次击穿的途径;对电压急剧下降现象给出了物理解释。     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程,设计出可行的二次击穿无损测试系统,并对系统各部分电路的工作原理作了介绍     

拉通型雪崩光电管等效电路的研究

从拉通型雪崩光电管的结构入手,介绍了各层的物理性质,应用载流子电荷的速度方程和连续性方程,通过归一化处理,建立拉通型雪崩光电管的等效电路模型．在PSPICE中创建了相应的子电路,仿真结果与实测数据比较得出,该模型准确地模拟出了雪崩光电管的击穿电压以及响应电流的变化趋势．     

功率晶体管二次击穿无损测试研究

根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。     

低频大功率晶体三极管的功耗限制电路

随着半导体技术的发展,晶休三极管的最大耗散功率也在不断提高。上千瓦,上百安的管子已经问世。使用大功率晶体管制作的设备功率可以高达几十千瓦,甚至更高。但是,大功率晶体管比起电子管来最大的弱点就是极易损坏。损坏的原因大致有如下几点:一、过电压击穿,特别是二次击穿;二、过电流热击穿;三、过功耗损坏。在通常的电路中多采用过压和过流的方式来对晶体管进行保护,这些方法都是行之有效的;但有时在使用中也经常发生电路中的电流和电压都没有超过管子的额定值而管子却损坏     

扩散型真空电弧的弧后电流

研究了一种新的弧后电流测试方法;以较高的灵敏度和抗干扰能力测得了扩散型真空电弧的弧后电流值;给出了计算与实测的比较结果;分析了不同电源条件下的弧后电流.文中指出,扩散型真空电弧的分断极限是由电击穿决定的,而不由弧后电流引起的热击穿所定.     

电流模式有源滤波器电路的冗余元件设计法

给出了一种电流模式基本二阶节有源滤波器的冗余元件设计方法,通过加入冗余的零泛器,可以从电压模式基本二阶节有源滤波器电路导出与其相对应的电流模式二 节有源滤波器电路,设计出的电路采用第二代负单位增益电流传输器（ＣＣＩＩ－）来实现,此电路与原电压模式电路相比具有相同的符号传输函数,且电路中的无源元件与原电压模式电路中的无源元件数值相同,最后,文中给出一个设计实例来说明设计过程。     

基于MOCCCII电流模式二阶滤波器的系统设计

提出一种基于MOCCC II(多端输出电流控制第二代电流传输器)的电流模式二阶滤波器的一般电路模型和系统设计理论.根据该电路模型和系统理论可以产生8种滤波器结构,每一种结构可以实现低通、带通、高通、带阻及全通滤波器或其中的几种滤波器.滤波器的无源元件仅有电容,没有外接电阻,且电容均接地.此外,所产生的电路具有很低的灵敏度.最后对所引入的MOCCC II及提出的滤波器进行了PSPICE仿真和理论计算.     

基于MOCCCII电流模式二阶滤波器的结构化设计

 提出了1种基于MOCCCII(多端输出电流控制第2代电流传输器)的电流模式二阶滤波器的一般电路模型和结构化设计理论.根据该电路模型和设计理论可以产生8种滤波器结构.每一种结构可以实现低通、带通、高通、带阻及全通滤波器或其中的几种滤波器.滤波器的无源元件仅有电容,没有外接电阻,且电容均接地.此外,所产生的电路具有很低的灵敏度.最后对所引入的MOCCCII及提出的滤波器进行了PSPICE仿真和理论计算.     

连续时间电流模式二阶滤波网络

采用电流型器件（ＦＴＦＮ）高输出阻抗形式构成二阶滤波器新电路．并由源电路得到了低通、高通、带通滤波特性，该电路具有无源灵敏度和有源灵敏度低的突出优点．实验结果证明此滤波器的可行性．     

通用电流模式滤波器的系统设计

电流模式滤波电路因具有频带宽,功耗小,动态范围大等优点已逐渐应用在高频、高速信号处理电路中,当前电流模式滤波电路中对通用高阶电流模式滤波器的设计研究存在明显不足,通过对电流模式滤波器的通用传输函数进行系统分析,提出了基于MOCCII设计任意阶电流模式滤波器的电路,该电路结构简单,元件参数容易确定,所有的RC元件均接地,便于单片集成。改变输出电流的组合方式,可实现多种功能的滤波器。结合实例进行了电路设计及PSPICE仿真,仿真结果证实了该设计的可行性。     

非连续模式正激交直变频器的特性分析

文章中对正激交直变频器进行定性分析,明确其基本特性,并与实验数据进行比较.将正激变频器用作交直变频器,以电抗器电流非连续模式(DCM)运转,这样能以较简单的电路结构达到高功率的目的.     

一种基于电流传送器的电流模式N阶滤波器设计

提出了一种基于第2代电流传送器的电流模式N阶滤波电路.该电路由n个电流传送器(CCII+)、3n个无源元件构成,能实现N阶低通、带通、高通滤波功能.以2阶滤波器为例分析了电路的无源、有源灵敏度,分析数据表明无源、有源灵敏度都很低.最后对该电路用Pspice进行了仿真,仿真结果表明该电路设计正确.     

电流模式负反馈四阶高通滤波电路结构分析

以运算放大器Op-Amp为基础,提出了构成有源RC电流模式负反馈高通滤波电路全集成MOSFET－C的平衡结构。对其电流模式高通滤波电路进行了深入的理论研究,并利用PSPICE,通用模拟电路程序,对其输了压幅频特性进行了仿真分析,研究结果表明：应用运算的大器能实现各类电流模式高通滤波电路,也能直接处理电流信号。     

现行成本会计模式在我国推行的难点分析

论述了传统会计模式的局限性,分析了我国推行现行成本会计的难点,提出了推行现行成本会计模式的设想。     

静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化的分析出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结。另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同：对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。