ASVG的系统仿真

本文从电力系统研究的角度建立了ＡＳＧＶ的数学模型，并提出了相应的仿真控制模型，在此基础上编制了ＡＳＶＧ的系统仿真控制软件ＭＴＳＰ－ＡＳＶＧ，仿真结果表明，本文建立的数学模型是合理，可行的，在系统中装设ＡＳＶＧ能够有效地提高系统的暂态稳定性，所编制的仿真软件具有一定的通用性和实用性。     

新型静止无功发生器(ASVG)装置的建模及控制

ＡＳＶＧ（ＡｄｖａｎｃｅｄＳｔａｔｉｃＶａｒＧｅｎｅｒａｔｏｒ）装置是利用可关断开关器件ＧＴＯ构成的新型无功发生装置。作者应用“开关函数法”，给出了ＡＳＶＧ的暂态模型。并用新模型得出了直流侧以电容为电压支撑元件的ＡＳＶＧ输出的稳态无功功率只与δ角有关而与θ角无关的结论。还研究了ＡＳＶＧ的响应速度与参数的关系，给出了ＡＳＶＧ变压器漏抗对其电容电压变化的影响。仿真与３００ｋｖａｒ工业样机实验结果的一致证明了模型的正确。这种建模方法也适用其它开关电路的建模。根据ＡＳＶＧ稳态模型，还提出了一种新型的逆系统非线性ＰＩ控制方法，该方法能使ＡＳＶＧ具有很快的响应速度     

新型静止无功发生器(ASVG)的研究现状

根据国内外资料和作者在我国第一台３００ｋＶＡ静止无功发生器（ＡＳＶＧ）开发过程中的经验对ＡＳＶＧ的研究现状，存在问题和发展趋势从装置建模、控制策略和主电路结构方面进行了详细的分析与讨论。着重研究了系统不对称对ＡＳＶＧ的影响，并提出了一种基于ＬＣ并联谐振滤波器的方法以改善ＡＳＶＧ在电网电压不对称条件下的运行状况，扩大了ＡＳＶＧ的应用范围     

ASVG的建模及其特征谐波分析

设计了一种由可关断晶闸管ＧＴＯ（Ｇａｔｅ Ｔｕｒｎ－ｏｆｆ）构成的三极４８脉冲电压源强迫换流器ＡＳＶＧ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｔａｔｉｃ Ｖａｒ Ｇｅｎｅｒａｒｏｒ）模型,从理论上详细推导、分析了由这种三极４８脉冲电压源强迫换流器构成的ＡＳＶＧ输出电压的特征谐波;并使用Ｍａｔｌａｂ电力系统仿真工具仿真验证了本文提出了ＡＳＶＧ模型及其谐波方法分析的正确性。     

ASVG 在系统不对称情况下的运行及控制

提出了一种控制ＡＳＶＧ（ａｄｖａｎｃｅｄｓｔａｔｉｃｖａｒｇｅｎｅｒａｔｏｒ）驱动脉冲的方法使ＡＳＶＧ装置发出正序电压的同时也产生负序电压，以抵消系统负序电压分量，抑制流过ＡＳＶＧ的负序电流。并用“开关函数”建模法给出了具体的控制算法。用该控制算法可使ＡＳＶＧ在系统出现１５％的负序电压时仍能正常地工作而不过流，仿真结果表明了理论分析和控制算法的正确性     

静止无功电源的动态特性研究

推导了新型静止无功电源（ＡＳＶＧ）的动态模型，实现了 ＡＳＶＧ动态模型和电力系统暂态稳定分析程序的接口，编写了相应的软件，在多机系统中进行了 ＡＳＶＧ动态性能分析。计算机实例表明了 ＡＳＶＧ对系统稳定性、临界故障切除时间以及输电线路传输能力的改进和负荷突变时ＡＳＶＧ对系统电压的动态支撑作用等。     

系统电压不对称条件下 ASVG 的仿真分析

从理论分析和仿真两个方面，对先进静止无功功率发生器（ＡＳＶＧ）在系统电压不对称条件下的运行特性进行了详细的分析，指出了由于负序电压造成的功率流动所引起直流电容电压脉动和负序电流的影响，是决定ＡＳＶＧ运行性能的关键因素。不对称度的增加将进一步增大电容电压的脉动和负序电流的大小。采用系统电压正序分量作为逆变电压的同步信号，增大电容量Ｃ和漏抗值Ｌ的大小，在直流电容侧并联１００Ｈｚ的ＬＣ谐振滤波器等措施，将有效地抑制系统电压不对称对于ＡＳＶＧ的影响     

常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs

采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关．     

运用HSV－tk／ACV系统进行肿瘤基因治疗研究

构建了含ｐｇｋ启动子驱动的ＨＳＶ－ｔｋ基因的反转录病毒载体ｐＬＮＴＫ，将ＨＳＶ－ｔｋ基因转移至人脑胶质瘤ＳＨＧ４４细胞（命名为ＳＨＧＬＮＴＫ）及小鼠黑色素瘤细胞Ｂ１６（命名为Ｂ１６ＬＮＴＫ）．体外实验证实核着类似物ＡＣＶ对ＳＨＧＬＮＴＫ细胞和Ｂ１６ＬＮＴＫ细胞的杀伤敏感性分别高于亲本细胞１０００和４００倍．转ＨＳＶ－ｔｋ基因细胞与亲本细胞按不同比例共培养时，亲本细胞对ＡＣＶ的敏感性明显增高，存在旁观者效应．首次应用人脑胶质瘤细胞株进行裸鼠体内实验，结果表明：ＡＣＶ能完全抑制ＳＨＧＬＮＴＫ细胞在裸小鼠体内肿瘤的形成，对裸小鼠体内已形成的ＳＨＧＬＮＴＫ肿瘤的治疗效果与对照ＳＨＧ４４肿瘤相比，肿瘤体积缩小８０％；用Ｂ１６ＬＮＴＫ细胞接种同系Ｃ５７／ＢＬ小鼠，经ＡＣＶ治疗后，Ｂ１６ＬＮＴＫ组小鼠的肿瘤较对照组Ｂ１６肿瘤小９５％．ＨＳＶ－ＴＫ／ＡＣＶ系统原位基因转移治疗ＳＨＧ荷瘤裸小鼠、Ｂ１６荷瘤小鼠，原位注射病毒悬液／ＡＣＶ治疗组的ＳＨＧ肿瘤、Ｂ１６肿瘤分别较对照组肿瘤小５０％，４３％，原位注射ＰＡ３１７／ＬＮＴＫ细胞，ＡＣＶ治疗的ＳＨＧ肿瘤较对照组肿瘤小９０％，以上实验结果，统计学上差异极显著，Ｐ＜０．０１．实验     

新型静止无功发生器的 GTO 保护

分析了新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）装置中可能出现的非正常运行状态及应采取的ＧＴＯ保护措施，包括：大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）门极驱动器设计，以实现ＧＴＯ的正确开通及关断，并提出ＧＴＯ串联运行时门极驱动器的设计要求；ＧＴＯ的过电压保护，包括关断过电压保护、瞬态浪涌过电压保护及直流侧过电压保护；ＧＴＯ的过电流保护，包括负载过电流保护、ＡＳＧＶ输出侧短路保护、逆变器桥臂直通保护。针对情况最严重的桥臂直通短路，设计了一种环流过电流保护，并给出了试验结果。在此基础上，以±３００ｋｖａｒＡＳＶＧ为例，给出了分级动作的装置整体保护方案。±３００ｋｖａｒＡＳＶＧ装置的试运行验证了作者所给出各种保护方案的可行性及正确性。     

对水产资源评估的两种世代分析方法比较

本文采取常用的种群评估方法，应用模拟数据比较研究了两种世代分析方法（ＶＰＡ）（Ｇｕｌｌａｎｄ（１９６５）ＶＰＡ方法和分离ＶＰＡ方法（Ｐｏｐｅ ａｎｄ Ｓｈｅｐｈｅｒｄ １９８２））。指出：在没有应用捕捞努力量调谐最近捕劳死亡率时，分离ＶＰＡ和Ｇｕｌｌａｎｄ ＶＰＡ都不能正确反映实况；当使用调谐方法后，两种方法的结果都有所改善；对三组初始捕捞死亡率，Ｇｕｌｌａｎｄ方法给出相同结果；相反分离ＶＰＡ对不     

NARMAX模型辨识的直交化最小二乘新算法

基于实际中常用的ＣＧＳ（ＣｌａｓｓｉｃａｌＧｒａｍ－Ｓｃｈｍｉｄｔ）、ＭＧＳ（ＭｏｄｉｆｉｅｄＧｒａｍ－Ｓｃｈｍｉｄｔ）、ＨＴ（ＨｏｕｓｅｈｏｌｄｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）及Ｇｉｖｅｎｓ算法，给出了１类改进的直交化最小二乘新算法，分别称之为改进的ＣＧＳ、ＭＧＳ、ＭＨＴ及ＭＧＶ算法，改善了原算法的数值稳定性．将改进算法用于非线性ＮＡＲＭＡＸ模型辨识，构造出了１种新的模型结构与参数辨识的一体化算法．新算法基于逐步回归进行模型选项并消去模型中的冗余项，保证了最终模型的结构优化，并可给出比Ｂｉｌｉｎｇｓ等算法精度更高的参数估计．仿真结果证明了文章中算法的优越性     

PV—WAVE在电容层析仿真中的应用研究

介绍了一套基于１２电极电容器传感器进行图像重建的电容层析成像的仿真软件包，该软件包是利用可视化编程语言ＰＶ－ＷＡＶＥ在ＳＧＩ图形工作站上开发的，利用该软件包可以深入分析电容敏感场和流体模型数据的变化，从而为改进图像重建算法和设计最佳电容传感器几何参数提供了有力依据，最后利用仿真结果对电容层析成像的特性进行了研究。     

APPLICATION OF GROWTH INHIBITOR TO RAPIDLY SCREEN STRAIN FOR PRODUCING γ-LINOLENIC ACID

研究了将生长抑制剂百草枯和ＳＤＳ用于筛选γ＿亚麻酸（ＧＬＡ）菌种时的效果．结果表明，经ＵＶ＿ＬｉＣｌ诱变一次后，用百草枯和ＳＤＳ筛选的菌株的ＧＬＡ含量和ＧＬＡ产量均有较大幅度提高，且所选出的菌株正变率高于采用不加抑制剂的常规方法筛选出的菌株．     

新型静止无功发生器(ASVG)的模糊控制研究

提出了一种用于新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）的自调整因子模糊控制器,并应用于暂态仿真研究。仿真结果表明：ＡＳＶＧ模糊控制器可以有效地改善电力系统的暂态稳定性和电压稳定性;能根据误差的大小自动调整比例因子和量化因子,从而达到消除或减小稳态误差的作用。该控制器算法简单、计算量小,有利于进行实时控制。     

N型GaP单晶范德堡测试法的最佳条件

介绍了测试Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡＳ等单晶材料性能参数的一种方法—Ｖａｎｄｅｐａｕｗ法，通过实验和分析，得到了测试过程中电极的制作和测试的最佳条件．     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

Peano导数及高阶奇异积分

Ｐｅａｎｏ导数及高阶奇异积分路见可（武汉大学数学系，４３００７２，湖北武汉）作者：男，１９２２年生，教授，研究复分析及其应用．（责任编辑杨金华责任校对沈乃录）ＰＥＡＮＯＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥＳＡＮＤＳＩＮＧＵＬＡＲＩＮＴＥＧＲＡＬＳＯＦＨＩＧＨＥＲＯＲ...     

β-胡萝卜素对晶体氧化损伤的保护作用研究

通过测定体外培养晶体中ＳＯＤ,ＧＳＨ－ＰＸ和ＣＡＴ三种酶的活性以及可溶性蛋白,ＭＤＡ,ＶｉｔＣ,ＶｉｔＥ和ＧＳＨ含量的变化,研究了β－胡萝卜素滴眼液对晶体的保护作用．结果表明,与已研究的几种滴眼液相比,β－胡萝卜素滴眼液对晶体的氧化损伤有很好的保护作用,该结果为阐明其防治白内障的作用提供了基础．