Mg/SiC反射式宽带多层膜偏振片设计及分析

利用遗传算法设计了工作在27.5~30.5nm、26.5~31.5nm和25.5~32.5nm波段的Mg/SiC反射式宽带多层膜偏振片.性能参数显示,宽带偏振片在拓展了带宽的同时能够保证较高的偏振度并且能够获得更大的有效积分通量.分析了粗糙度及厚度控制偏移对宽带偏振片性能的影响.分析结果显示,粗糙度及厚度偏移对s光反射率的影响大于对偏振度的影响.     

蓝色氧化偶氮染料对偏振片染色工艺研究

使用新合成的氧化偶氮染料对定向和拉伸的聚乙烯醇薄膜染色，制备了具有较高偏振度和耐高温高温性能的偏振片。探讨了染色工艺对偏振片单片透过率和偏振度的影响，并通过正交试验确定了最佳染色工艺。在此染色条件下制备偏振片在单片透过率为40％左右时，偏振度可达到95％以上。     

粗糙表面反射辐射偏振特性研究

为分析和研究粗糙表面反射辐射偏振特性及在目标表面二维空间的分布状况,基于偏振双向反射分布函数模型,推导出了粗糙表面反射辐射偏振度的一般表达式.针对不同材料涂层表面,综合考虑了表面漫反射和镜面反射,对偏振度进行了计算,分析了不同材料折射率及粗糙度下偏振度的分布.计算结果与实际测量数据基本吻合,为实际测量提供一定的理论指导.     

磁控溅射制备纳米Ni-Al薄膜的表面粗糙度和电阻率的研究

研究了在纳米厚度范围内,Ni-Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系. 利用直流磁控溅射方法,使用高纯度(99.99%)的Ni 、Al靶, 通入Ar气制备了Ni-Al薄膜,薄膜的厚度为15nm～140nm. 在室温下通过直线四探针和原子力显微镜测量了不同厚度Ni-Al薄膜的电阻率和表面粗糙度,结果表明电阻率变化和表面粗糙度成近似线性关系.     

基于彩色图像偏振度的目标识别技术研究

提出了一种基于 Ｍａｔｌａｂ的彩色图像偏振度计算方法,避免了传统灰度转换法中由于偏振片具有适用波长范 围带来的偏振度损失．通过实验,分别研究了彩色偏振度图像在有遮挡物及相似背景下的目标物识别应用．结果表明,采 用彩色偏振度图像方法,可有效提高目标物体的可视化清晰度,分辨出强度图像中无法显示的细 节 特 征,为 后 续 的 图 像 处理工作奠定良好的基础．      

圆偏振光的产生、测量与自旋偏振电子的光注入

理论上给出了线偏振光通过波片产生的椭圆偏振光的圆偏振度与方位角和相位延迟量的关系.结果表明,圆偏振度对方位角的变化更灵敏,在保持圆偏振度不变条件下,每提高方位角精度一度,则可降低相位延迟精度至少两度,这将改变人们重视相位延迟而轻视方位角精度的通常做法,降低1/4波片的加工难度和造价.还给出了宽带光谱分布和波片相位延迟色散对圆偏振度影响的解析解.发展了一种圆偏振度和波片相位延迟实验测量的简单方法.利用这种方法实验测试了Newport公司生产的1/4波片的相位延迟.     

乙醚水溶液荧光光谱偏振特性研究

该文利用荧光光谱分析并结合偏振技术对乙醚水溶液荧光光谱的偏振特性进行了研究.实验结果表明:乙醚水溶液对波长为256 nm的偏振紫外光有强烈吸收作用,并发射峰值位于304 nm的偏振荧光.激励光的偏振性对溶液的吸收光谱的峰位和吸收强度均产生了影响;同时,荧光的偏振度相对激发光发生变化.经理论分析得到了描述荧光偏搌态的斯托克斯矢量,证明了乙醚水溶液所发射的荧光为部分偏振光,并计算其偏振度为0.544.     

沉积气压对磁控溅射ZrO2薄膜光性能的影响

为了探究沉积气压对ZrO₂薄膜光学特性的影响规律，以玻璃和硅片为基底，利用射频磁控溅射的方法在不同沉积气压下制备ZrO₂薄膜样品.通过分光光度计测定薄膜在可见光波段的透射光谱，利用椭圆偏振谱仪表征薄膜的折射率、消光系数、厚度等光学参量，利用原子力显微镜观测薄膜表面的微观结构等.结果表明：(1)薄膜的沉积速率随沉积气压的增大而减小，沉积气压为0.4 Pa时沉积速率最大，为0.033 nm/s，沉积气压为1.0 Pa时沉积速率最小，为0.011 nm/s；(2)当沉积气压为1.0 Pa时，200～1 000 nm波段薄膜的平均透射率和折射率均最高，分别为82.71%和2.35，表现出良好的透光性；(3)沉积气压对薄膜消光系数的影响较小；(4)不同沉积气压下制备薄膜的表面粗糙度也不同，沉积气压为1.0 Pa时薄膜的粗糙度最低，为5.5 nm，沉积气压为0.6 Pa时薄膜的粗糙度最高，为25.2 nm.     

氯化钠作为阴极缓冲层的有机电致发光器件

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)具有驱动电压低、亮度和电流效率高、响应时间快、易实现大面积柔性等突出优点,在显示和照明等领域有广阔的应用前景.但是,由于这种二极管价格高昂,严重影响了其市场化的步伐.本研究使用价格便宜的氯化钠(NaCl)薄膜作为OLED器件的阴极缓冲层,以ITO玻璃为衬底,制作了结构为ITO/NPB(60?nm)/Alq3(50?nm)/NaCl(xnm)/Al(100?nm)的器件,其中x=0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5?nm.通过分析器件亮度-电压-电流特性,详细研究了NaCl薄膜厚度变化对OLED性能的影响.在器件阴极和Alq3之间加入一层NaCl薄膜后,J-V特性曲线明显向左移动,器件的开启电压明显下降.并且,随着NaCl薄膜的厚度逐渐增加,在0–2.0?nm范围,器件的开启电压随着厚度的增加而明显降低.当NaCl薄膜的厚度为2.0?nm时,器件的开启电压最低.NaCl薄膜的厚度超过2.5?nm时,随着NaCl薄膜厚度的增加,器件的开启电压也缓慢增加.但是,即使NaCl薄膜的厚度增加到3.5?nm,器件的开启电压还是远低于没有插入NaCl薄膜器件的开启电压.当插入NaCl薄膜的厚度小于2.5?nm时,器件的电流效率远大于没有NaCl薄膜的器件.同时,结合载流子隧穿方程,深入分析了相关的物理机制.本研究为降低OLED生产成本开辟了一条新的途径.     

具有粗糙表面的氮化硅薄膜光热偏折谱分析

给出了一种分析表面粗糙度对氮化硅(SiNx)薄膜光热偏折谱(PDS)影响的简单方法.得出了光散射影响下,由PDS实验测得的薄膜的吸收系数与表面粗糙度的函数关系式.在此基础上,对PDS测得的具有纳米量级表面粗糙度的SiNx薄膜的吸收系数进行了修正,并进一步给出了不同薄膜厚度和表面粗糙度情况下,PDS测量结果的偏差.结果表明,在较低能量区域,PDS实验测得的薄膜吸收系数偏差较大,这种偏差不仅取决于薄膜的表面粗糙度,而且与薄膜的厚度相关,较大的表面粗糙度和较小的薄膜厚度将使其偏差显著增加;而在高能区域,这种偏差很小,可以忽略.