关于离子电荷、部分电荷、氧化数的讨论

本文结合化学教学实践,对于离子电荷,部分电荷,氧化数问题进行了讨论,引导学生正确判断离子电荷,部分电荷和氧化数。     

我是如何讲授过二硫酸盐中硫的氧化数这一概念的

氧化数是一种形式电荷,它是一种人为规定值;它的值可以是正数、负数或分数。分析问题、处理问题角度不同,其值也会不同。对于过二硫酸钾,若按K_2S_2O_3 形式,其硫的氧化数为+Ⅶ;若按化学结构K—O—S—O—O—S—O—K形式,其硫的氧化数为+Ⅵ。     

用元素氧化数帮助理解化合物性质

在元素化学的授课中,我们一般遵循着一条不成文的原则,即从化合物的结构来阐述化合物的性质,从化合物的性质断定其用途.然化合物的结构却是形形色色、五花八门,因而化合物的性质学起来困难,掌握乃至应用更不易.能否有捷径从最基本的化学概念出发,推知和判断化合物的性质呢?笔者在教学实践中,深感依元数的氧化数,能够帮助理解化合物的性质.氧化数是人为规定的某元素的一个原子,在化合状态时的形式电荷数.这种电荷数是由假设把电子得失的概念,推广应用到共价化合物上.规定极性共价键的共用电子时,完全转移到电负性较大的原子上时,每个成键原子净得的正、负电荷数,就是该成键原子的氧化     

在硫代或连多硫酸根等中硫原子氧化数的确定方法

本文讨论了硫代、连多硫酸根等中所带电荷在不同位置时对氧化数所产生的影响,提出了确定硫代、连多硫酸根等中每个硫原子氧化数的方法。对有些硫代、连多硫酸根等所得的结果与某些教材和论著是不相同的。     

在硫代或连多硫酸根等中硫原子氧化数的确定方法

本文讨论了硫代、连多硫酸根等中所带电荷在不同位置时对氧化数所产生的影响,提出了确定硫代、连多硫酸根等中每个硫原子氧化数的方法.对有些硫代、连多硫酸根等所得的结果与某些教材和论著是不相同的.     

发展适合水溶液中氧化鸟嘌呤体系的极化力场

氧化碱基在生物体内的堆积会造成生物体的衰老、病变甚至引发癌症.近年来,人们大力发展极化力场进行生物体系性质的研究,但还没有应用到氧化DNA体系中.本文针对最常见的氧化鸟嘌呤发展了适用于水溶液中氧化鸟嘌呤体系的极化力场,在原ABEEMσπ浮动电荷力场基础上设定了新的电荷守恒条件,并添加和调整了必要的参数.对气相及水溶液中氧化碱基单体、氧化核苷酸与Na+的复合物及气相下氧化核苷酸与Na+和1~10个水的复合物体系进行了电荷计算和动力学模拟.通过对体系电荷及结构的分析证明,新力场适当地考虑了体系的极化效应和电荷转移,并保持了碱基面的平整性,更适合氧化鸟嘌呤体系性质的研究.     

集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究

在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式.     

不同氧化态的铬、锰二元无机络离子的电荷分布

本文用EHMO-电荷自洽迭代方法及VOIP比较方法计算了不同氧化态下中心金属原子铬和锰的电荷值,计算结果与Pauling阐述的电中性原理一致。对电荷迭代方法作了改进,保证了收敛,节省了计算时间。提出了VOIP比较法,为非电荷自洽迭代的EHMO方法提供选择参数的依据。     

ROH酸碱性的经验计算

在卡特雷奇（Cartledge,G.H）经验计算的基础上,本文提出以元素的主量子数与其离子电荷数之比,计算元素最高氧化态氧化物水化物ROH酸碱性的经验公式。应用本文的结果,可对元素ROH的酸碱进行较为准确的分类。     

退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响

利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。     

浅论物质的氧化还原性

本文根据Sanderson电荷性均衡原理计算了部分无机酸分子和离子的电负性均衡值，用所得数据分析了部分物质的氧化还原性，并兼顾讨论了环境对物质氧化还原性的影响。     

最高氧化态含氧酸或酸酐氧化性周期性的一种解释方法

主族元素最高氧化态含氧酸或酸酐的氧化与中心离子的有效核电葆平方米径比有关。本文引入屏蔽常数校正系数Ａ〉用有效核电荷数Ｚ＊＝Ｚ－Ａ计算出Ｚ＾２／ｒ，作Ｚ＾２／ｒ－Ｚ图，呈现的同周期直线上升，同族中锯齿形变化，总趋势上升规律与ＥΦ－Ｚ图中的变化规律具有良好的相似性。使对主族元素最高氧化态含氧酸或酸酐氧化性规律的解释具有半定量的性质。     

双层多晶FLOTOX E2PROM的阈值电压退化特性

基于FLOTOX E^2PROM结构,分析了影响FLOTOX E^2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关．实验表明,擦／写电压应力周期、脉;中电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E^2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E^2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少．     

有机官能团氧化数特征初探

通过对有机物分子中官能团和活性部位点上碳氧化数的分析,探讨了局部氧化数、整体氧化数、同类物质的氧化数、芳香烃碳上的氧化数、含氮化合物氮原子上的氧化数、羧酸中羰基碳的氧化数以及杂环化合物相应原子的氧化数值．当发生氧化还原反应时。对这些活性部位点上原子的氧化数的变化情况也进行了一些初步的讨论．     

射频氧等离子体中SiO_2的生长

本文报道了在射频氧等离子体中生长SiO_2的实验结果。氧比速率随射频功率和氧化温度的上升而增加。氧化温度降到500℃以下时,氧化速率能够达到500(?)/hr以上。给出了氧化层电荷密度、击穿强度和氧化诱导堆垛层错的测试结果,对生长饥理和实验结果作了定性说明。     

CH3（CH2）nSO4-（n=7--17）表面活性剂电子结构与表面张力的关系

用B3LYP／6—31G＊研究了不同烷基链阴离子表面活性剂的键长、键角和净电荷等随着碳原子数的增加而呈现的变化规律，考察了表面活性剂的结构与表面张力的关系。结果表明：（1）C—O键长和（YS-O平均键角与碳原子数有关；（2）端基净电荷和极性头净电荷随着碳原子增加而增加。     

双四元数形式的电磁理论

利用双四元数,将只存在电荷的经典电磁理论推广同时存在电荷和磁荷的电磁对称的理论.在双四元数表述下,出电荷磁荷系统的Hamilton作用量和对应的Lagrange函数,并从作用量原理出场方程和场中带电磁荷粒子的运动方程.分析这些方程,证明在只存在电荷情况下新理论与通常的电磁理论一致;在电荷和磁荷都存在的情况下,新理论不仅是经典理论的推广,而且与其他考虑电荷磁荷的电磁理论有原则上的区别.新理论出了电荷（或磁荷）产生的场对磁荷（或电荷）没有电磁作用,特别是电荷粒子与磁荷粒子（磁单极子）之间无电磁相互作用的论.最后,据新的双四元数电磁理论讨论了3个物理问,（i）对磁单极子探测实验的负果出新的释,即这种负果不能否定磁单极的存在,而是表明探测实验的原理需要修正;（ii）出磁单极子类型的物质是一种暗物质的假设;（iii）对分数电荷现象出一种释,即存在带不同类型电磁荷的粒子.     

TPC探测器内空间电荷电场

为了评估时间投影室探测器内空间电荷对漂移电场的影响,根据Green函数法求解Poisson方程,推导和借鉴了数种适用于TPC的Green函数;给出了计算空间电荷电场的解析形式;计算了单元区域内电荷均匀分布的电势和电场强度;展示了求解TPC空间电场的具体步骤。同时,利用Maxwell软件对单元区域内电荷均匀分布的电场进行了仿真,与Green函数法计算的结果基本一致。结果表明:该文给出的Green函数法适合求解TPC内的空间电场,可以获取正确结果,更加简便和实用。     

三缝干涉测量涡旋光束拓扑电荷数

研究了涡旋光束经三缝干涉后在干涉场中干涉条纹的分布情况,讨论了拓扑电荷数分别为整数和分数情况下对条纹分布的影响.结果表明:不同于平面波,涡旋光束经三缝干涉后的条纹沿着横向出现了移动现象,并且移动的幅度和方向与拓扑电荷数的取值有关.     

镜象电荷的分布

本文指出象电荷与原电荷的分布形式可以不相同，象电荷的分布不唯一。