钨酸铅晶体中F型色心电子结构的研究

运用相对论性的密度泛函离散变分（DV-Xα）方法模拟计算了PbWO4（PWO）晶体中F型色心的电子结构,得到了PWO晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^＋心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级,F、F^＋心可向W 5d轨道发生跃迁,其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV,因此,可推断F、F^＋心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。     

钼酸钙晶体中点缺陷的电子结构研究

运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα),模拟计算了完整的和含氧空位的钼酸钙(CaMoO_4)晶体的电子结构,得到了含有F、F~ 心的CaMoO_4晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F、F~ 心的CaMoO_4晶体的禁带宽度明显变窄,F、F~ 心的能级出现在禁带中,利用过渡态理论计算得到其向Mo的4 d轨道发生光学跃迁,跃迁能量值分别为1.93,2.03 eV.利用提拉法生长的CaMoO_4晶体呈现蓝色的本质原因是F、F~ 心在黄红区产生比较强的吸收.     

SrWO_4晶体中F型色心电子结构的研究

运用相对论的密度泛函离散变分法(DV-Xa)研究了SrWO4晶体中F型色心的电子结构.计算结果表明,F和F+心在禁带中引入了新的施主能级;从施主能级到导带底的电子跃迁能分别是1.858,2.14 eV,这分别与669,581 nm的吸收带相对应.由此说明SrWO4晶体中669,581 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.     

第一性原理研究BaMoO_4晶体中F和F~+色心的电子结构

运用相对论密度泛函离散变分法(DV-Xa)计算了BaM004晶体中F和F+色心的电子结构.结果表明:F和F+心在禁带中引入了新的施主能级,采用过渡态的方法计算得到了F和F+心到导带底部的跃迁能量分别为1.86 eV和2.11 eV,对应668 nm和590 nm的吸收.由此说明BaMoO4晶体中668 am和590 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.     

PbWO4晶体F心及F+心吸收带的能级计算

采用离散变分法计算了PbWO4晶体的能带结构，并用F心及F^ 心的类氢离子1S波函数结合离散变分法计算了F心及F^ 心的电子基态能级，计算结果表明，F心及F^ 心电子基态能级分布在禁带中，分别位于距导带底1.97eV(630nm)及2.36eV(525nm)处，它们的吸收跃迁对应于基态到导带底的跃迁，使晶体呈现F心及F^ 心吸收带，化学计量PbWO4晶体的辐照诱导吸收谱位于500-700nm，呈现一个宽吸收带，高斯分解的结果表明；该吸收带是由两个峰值分别位于550nm和680nm的吸收带叠加而成的，这两个吸收带分别对应于F^ 心及F心吸收带，计算结果与实验数据吻合较好。     

掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究

用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F^-：PbWO4)的电子结构．结果表明，杂质F^-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中，使得禁带宽度变窄．F的2p态距离价带顶6．0eV左右，因而不会影响晶体的蓝发光．F^-离子替位氧离子O^2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡，阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心．因此，可以减弱420nm吸收带，有效地增加光产额．     

碱卤晶体中F_2~ 心和F_2心的能级计算

本文以连续模型为基础,用电子有效质量修正来概括反映晶格与连续介质的差别,对氯化钠结构的16种碱卤晶体中的F_2~ 心和F_2心的能级作了系统的计算。所得到的色心吸收跃迁能与已有的实验值符合良好,并且消除了原来存在的F_2心能级颠倒问题。文章第四部分也对计算结果及其在研制色心激光器方面的参考作用进行了初步的讨论。     

含氧空位的CaMoO_4晶体电子结构和光学性质的研究

用CASTEP软件包对含氧空位的CaMoO4(CMO)晶体进行了结构优化,计算了含氧空位的CaMoO4(CMO)晶体和完整CMO晶体偏振光的电子结构、介电函数和吸收光谱.计算表明,CMO晶体光学性质表现出各向异性,且其对称性与晶格结构几何对称性一致.计算得到的吸收光谱表明,完整的CMO晶体在可见光和近紫外线范围内不出现吸收带,而含氧空位的CMO晶体的吸收光谱却在1.84 eV(673 nm)处出现一个峰.CMO晶体中680 nm的吸收带的出现与CMO晶体中氧空位的存在相关.     

LiNbO3晶体光学吸收边的异常紫移

本文报道了室温下,固液同成分点熔体中生长的LiNbO_3光学吸收边的异常紫移的实验结果.通过对晶体a~(1/2)-hv曲线的研究,肯定了40.eV以下吸收边的间接跃迁性质,并讨论了三段直线的意义。确定了禁带宽度E_f的值为3.38eV。     

从三元黄铜矿结构CuM（M=In,Ga）X2（X=Se,S）到CuIn0.5-Ga0.5Se2的价电构、熔点和光电性能的关联性分析

应用"固体与分子经验电子理论"(Empirical Electron Theory,EET)系统地研究了三元黄铜矿结构CIGS的价电子结构,以此为基础分析了CIGS(Cu(In,Ga)(Se,S)2)的熔点和光吸收性质.计算结果和实验值符合的很好,计算得到Cu的3d电子与In,Ga的s电子杂化后的跃迁可以使CIGS吸收光子.CuInSe2的禁带宽度在1–1.16eV之间,CuGaSe2的禁带宽度在1.54–1.74eV之间,CuInS2的禁带宽度在1.4–1.61eV之间,CuGaS2的禁带宽度在2.36–2.44eV之间.用球磨、退火的方法得到CuIn0.5Ga0.5Se2单相,通过XRD得到晶体结构,差热分析得到熔点.根据晶体结构和熔点,用EET计算得出CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子的能量主要分布在1.17–1.56eV之间,禁带宽度接近较小值.黄铜矿结构的CIGS都可以吸收紫外光,其中CuInSe2的吸收效率最高,主要吸收峰在紫外区,CuGaSe2吸收紫外光的效率最低.     

Effect of 6H-SiC crystal growth shapes on thermo-elastic stress in the growing crystal

The effect of 6H-SiC crystal growth shapes on the thermo-elastic stress distribution in the growing crystal was systematically investigated by using a finite element method. The thermo-elastic stress distribution in the crystal with a flat growth shape was more homogeneous than that in the crystals with concave and convex growth shapes, and the value of thermo-elasticity in the crystal with a flat growth shape was also smaller than that in the two other types of crystals. The maximum values of thermo-elastic stress appeared at interfaces between the crystal and the graphite lid. If the lid was of the same properties as 6H-SiC, the thermo-elastic stress would decrease in two orders of magnitude. Thus, to grow 6H-SiC single crystals of high quality, a transition layer of SiC formed by deposition or reaction is suggested; meanwhile the thermal field in the growth chamber should be adjusted to maintain the crystals with flat growth shapes.     

石英晶体传感器

介绍了石英晶体传感器的结构及频率输出的特点，分析了由石英晶体构成的温度、应力、微质量、声压等传感器的测量机理，评述了与其对应的各种应用及其优缺点。     

Photonic crystal fibres

Photonic crystal fibres have wavelength-scale morphological microstructure running down their length. This structure enables light to be controlled within the fibre in ways not previously possible or even imaginable. Our understanding of what an optical fibre is and what it does is changing because of the development of this new technology, and a broad range of applications based on these principles is being developed.     

集成式压控晶体振荡器的优化设计

提出了一种厚膜集成式的压控石英晶体振荡器（VCXO）的设计方法，通过采用MOSFET的Miller电容取代变容二极管后，VCXO的振荡部分和调频部分可以集成在一个专用芯片中，另外再与外围电路组成厚膜式集成电路，使其体积大大减小，并从应用的角度阐明了集成电路中有关参数的选用，同时提出通过谐振器的频率-负载特性来改善压控线性度，减小相位噪声的途径与技术难点。     

单晶铝线材连铸工艺的试验研究

根据单晶连铸技术原理,分析了单晶连铸过程的主要影响因素,并根据流体力学模型以及传热模型计算了液体金属压力和牵引速度。结果表明:根据模型确定的参数是合适的,并在铸型温度为690～780℃、冷却距离为50mm、牵引速度为1.1mm/s、开始时静压头为5～6mm、连铸时动压头为2mm左右的工艺条件下获得了Φ8mm高品质的单晶铝线材。     

合成SiC晶须的晶体学研究

讨论 Si C晶须生长的主要过程 ;晶核的生成、基晶的形成及晶须的生长。     

光子晶体加速结构的初步研究

用有限差分法计算了由金属棒按三角形晶格分布的二维光子晶体的带隙图，计算结果表明：当金属棒半径口和棒间距b比值小于0．2时，二雏光子晶体只有一务带隙，即若引入缺陷，可约束主模、抑制高次模．采用Microwave Studio计算了该种光子晶体微波加速结构的场型分布，结果显示当a／b〈0．2，类TM01模在缺陷中传输，类TM11模（横向模）能传出光子晶体．另外计算了结构尺寸公差对行波单元谐振频率的影响，还模拟计算了带有测试探针的由3个PBG单元构成的谐振腔的S参数．     

Inclusions in DKDP crystal

The shape and the size of inclusions in DKDP crystal have been observed and measured microscopically. Three kinds of inclusions were found and the components of the inclusions were measured. The formation mechanisms were proposed and discussed.