Polar Optical Vibration Modes in Semiconductor Superlattices

ＰｏｌａｒＯｐｔｉｃａｌＶｉｂｒａｔｉｏｎＭｏｄｅｓｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｓＫｕｎＨｕａｎｇ，Ｂａｎｇ－ｆｅｎＺｈｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓＰ．...     

Innovation and Evolution : Reflections on a Life in Science——From the Esaki Tunnel Diode to Semiconductor Superlattices and Quantum Wells

ＩｎｎｏｖａｔｉｏｎａｎｄＥｖｏｌｕｔｉｏｎ：ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎｓｏｎａＬｉｆｅｉｎＳｃｉｅｎｃｅ—ＦｒｏｍｔｈｅＥｓａｋｉＴｕｎｎｅｌＤｉｏｄｅｔｏＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｓａｎｄＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｓＬｅｏＥｓａｋｉＵｎ...     

Electronic States of Some Semiconductor Clusters

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｅｌｅｍｅｎｔｓｓｕｃｈａｓｉｎｄｉｕｍａｎｄａｒｓｅｎｉｃｈａｖｅｂｅｅｎｓｔｕｄｉｅｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙ．Ｓｅｖｅｒａｌｔｏｐｉｃｓｓｕｃｈａｓｄｏｐｉｎｇａｎｄｄｅｆｅｃｔ［１５］，ｅｐｉ...     

轻耙处理对退化草原植物群落演替的影响

轻耙处理对退化草原植物群落演替的影响宝音陶格涛，陈敏（内蒙古大学自然资源研究所０１００２１，呼和浩特；第一作者３０岁，男，讲师）关键词轻耙，退化草原，群落动态中图资料分类号Ｑ１４５，Ｑ１４１ＥｆｆｅｃｔｏｆＣｏｍｍｕｎｉｔｙＳｕｃｃｅｓｓｉｏｎｉｎＤ...     

SiGeC/Si异质结光电探测器

ＴｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆＳｉ-ｂａｓｅＳｉ1-ｘＧｅｘａｌｌｏｙｃａｎｃｈａｎｇｅａｌｏｎｇｗｉｔｈｃｏｎｔｅｎｔｘａｎｄｓｔｒａｉｎ ,ｔｈｅｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌｓｃａｎｂｅｍｏｄｕｌａｔｅｄａｃｃｏｒｄ ｉｎｇｌｙｆｒｏｍ 0 .8μｍｔｏ 1 .6 μｍ .Ｓｉ-ｂａｓｅＳｉＧｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｒｅｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｗｉｔｈｔｈｅＳｉｖｅｒｙｌａｒｇｅ -ｓｃａｌｅｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ (ＶＬＳ…     

Fibrinogen Structural Changes Caused by Glass Surface Adsorption Detected by Solid Surface Fluorescence Spectroscopy

ＦｉｂｒｉｎｏｇｅｎＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＣｈａｎｇｅｓＣａｕｓｅｄｂｙＧｌａｓｓＳｕｒｆａｃｅＡｄｓｏｒｐｔｉｏｎＤｅｔｅｃｔｅｄｂｙＳｏｌｉｄＳｕｒｆａｃｅＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ＊ＧｏｎｇＹａｎｄａｏ（公衍道），ＤｉｎｇＸ...     

核酸序列的非均匀性分析

核酸序列的非均匀性分析李炜疆（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）关键词非均匀性，核酸序列，编码区，非编码区中图资料分类号Ｑ７１ＯＺ１３．９ＨｅｔｅｒｏｇｅｎｅｉｔｙＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＮｕｃｌｅｏｔｉｄｅＳｅｑｕｅｎｃｅｓ￥ＬｉＷｅｉｊｉａ...     

A CORBA-Based Multidatabase System——Panorama Project

0　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｎｅｅｄｆｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄａｔａｂａｓｅｍａｎａｇｅｍｅｎｔｓｙｓｔｅｍｓ (ＤＢＭＳｓ) ,ｍａｋｉｎｇｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｓｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｓｅｓｙｓｔｅｍｓｉｎｖｉｓｉｂｌｅａｎｄｐｒｏｖｉｄｉｎｇｕｓｅｒｓｗｉｔｈａｕｎｉｆｏｒｍａｃｃｅｓｓｔｏａｌｌｔｈｅｄａｔａｂａｓｅｓｈａｓｇｒｏｗｎｒａｐｉｄｌｙｄｕｒｉｎｇｔｈｅｌａｓｔｄｅｃａｄｅ .Ｈｏｗｅｖｅｒ,ｄａｔａｂａｓｅａｕｔｏｎｏｍｙａｎｄｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｉｔｙ…     

A New Framework for Intranet-based Group Decision Support System

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＧｒｏｕｐＤｅｃｉｓｉｏｎＳｕｐｐｏｒｔＳｙｓｔｅｍ（ＧＤＳＳ）ｈａｓｂｅｅｎａｎｅｗＤＳＳｒｅｓｅａｒｃｈａｒｅａｓｉｎｃｅ１９８０ｓ．ＮｏｗｉｔｈａｓｂｅｃｏｍｅａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｒｅｎｄｏｆＤＳＳ［１,２］．ＡＧＤＳＳｃｏｍｂｉｎｅｓｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ,ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ,ｄｅｃｉｓｉｏｎｓｕｐｐｏｒｔｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ,ａｎｄｍｏｄｅｒｎｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｔｈｅｏｒｙｔｏｆａｃｉｌｉｔａｔｅｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆｉ…     

XAFS Study on Solid State Amorphization of Alloys by Mechanical Alloying

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｃａｌａｌｌｏｙｉｎｇ(ＭＡ)ｏｆｅｌｅｍｅｎｔａｌｐｏｗｄｅｒｍｉｘｔｕｒｅａｎｄｍｅｃｈａｎｉｃａｌｍｉｌｌｉｎｇ (ＭＭ )ｏｆｉｎｔｅｒ ｍｅｔａｌｌｉｃｐｏｗｄｅｒｈａｖｅｂｅｅｎｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙｅｍｐｌｏｙｅｄｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓａｓａｍｅｔｈｏｄｆｏｒｓｙｎｔｈｅｓｉｚｉｎｇａｍｏｒ ｐｈｏｕｓａｎｄｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅａｌｌｏｙｓ[1～ 3 ] .ＸＡＦＳｍｅｔｈｏｄｗａｓｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙｕｓｅｄｆｏｒｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉ…     

Local Structure of Ge/Si(100) Self-Assembled Quantum Dot

Local structure of uncapped and Si-capped Ge quantum dots grownon Si(100) has been probed by X-ray absorption fine structure spectroscopy. It is found that the uncapped Ge dots are partially oxidized and partially alloyed with Si. The amount of Ge present in the Ge phase is found to be about 20-30%. In the Si-capped sample, Ge is found to be dissolved in silicon, the fraction of Ge atoms existing as pure Ge phase being not more than 10%.     

Research progress of self-organized Ge quantum dots on Si substrate

A review is presented on recent research development of self-organized Ge/Si quantum dots (QDs).Emphasis is put on the morphological evolution of the Ge quantum dots grown on Si (001) substrate,the structure analysis of multilayer Ge QDs,the optical and electronic properties of these nanostructures,and the approaches to fabricating ordered Ge quantum dots.     

自组织生长Ge量子点材料研究

利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点.通过3因素3水平的正交实验,研究不同的生长参数(衬底温度、GeH4气体流量、生长时间)对Ge量子点生长的影响,从而得到优化的Ge量子点生长参数.透射电镜、X射线双晶衍射测试结果表明,利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料,具有较好的晶体质量.     

Ge纳米结构的制备技术与发光特性研究进展

Si基纳米发光材料与器件的研究是目前半导体光电子技术领域中的一个活跃前沿.除了Si纳米晶粒、Si量子点和Si/SiO2超晶格等Si纳米结构之外,属于同族元素的Ge纳米结构也因其所具有的优异特性,而呈现出良好的发光性能.评述了Ge纳米结构的制备方法与发光特性在近年内取得的研究进展.     

Magnetocaloric effect in Gd<Subscript>5</Subscript>Si<Subscript>1.85</Subscript>Ge<Subscript>2.15</Subscript> prepared by Gd metal with lower purity

Recently, Pecharsky et al. have discovered that Gd5(SixGe1-x)4 (0 < x <0.5) has a significantly large mag-netocaloric effect (MCE), which is 50% to 200% larger than any known materials[1—4]. This behavior is called as 慻iant magnetocaloric effect? The giant MCE is caused by simultaneous magnetic and crystallographic transition in these alloys. The first order magnetic ordering tem-perature of Gd5(SixGe1-x)4 can be tuned from 20 to 280 K by changing the ratio of Si︰Ge[2]. The temperat…     

Ge含量对Fe—24%Mn合金γ→ε马氏体转变的影响

通过X射线衍射（XRD）、拉伸性能的测定,分析了Ge对Fe-24%Mn形状记忆合金γ相点阵参数和马氏体转变的影响。发现随着Ge含量的上升,Fe-24%Mn合金γ相点阵参数增大,Fe-24%Mn合金的γ→ε马氏体相变有明显抑制作用,γ奥氏体相趋于稳定,合金的拉抻强度和屈服强度逐步降低,塑性上升。尽管Ge与Si具有相同的外层电子结构,且原子半径都比Fe小,但两者对奥氏体的点阵参数影响完全相反,Si降低γ相点阵参数能促进γ→ε马氏体相变,Ge增加γ相的点阵参数却抑制相变。     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,...     

锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究

研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。     

非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展

综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧,有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的叠层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度,引入相变区硅锗合金薄膜后,三结叠层电池初始效率已经达到16.3%,四结叠层太阳能电池理论效率可以超过20%.