关于P-主弱内射系的特征

设S是幺半群, P是S的非空子集。基于P中任意元素生成的主右理想的嵌入定义的一类新的主弱内射系, 称之为P-主弱内射系。利用这类新的性质给出了一些新的幺半群类的刻画。     

Σ-主弱内射S-系

本文对幺半群Ｓ的任意右商滤子Σ,讨论了Σ－ 主弱内射Ｓ－ 系的余积、积、直和以及Σ－ 主弱内射Ｓ－ 系与Σ－ 内射Ｓ－ 系之间的关系,并且给出了所有Ｓ－ 系是Σ－ 主弱内射的幺半群的特征刻划,推广了有关主弱内射Ｓ－ 系的结果－     

C-内射S-系

不同的内射性的研究在S-系研究中起着重要作用。通过定义C-内射S-系,讨论了C-内射系的性质、充分必要条件。给出了C-内射系的同调刻划。证明了有限内射系是C-内射的,C-内射系是主弱内射的,但对应的逆命题不成立。得到了所有左理想是C-内射的幺半群刻划及C*半群上所有S-系是C-内射的同余刻划。     

Σ—主弱内射S—系

本文对幺半群Ｓ的任意右商滤子Σ,讨论了Σ－主弱内射Ｓ－系的余积,积,直和以及Σ－主弱内射Ｓ－系与Σ－内射Ｓ－系之间的关系,并且给出了所有Ｓ－系是Σ－主弱内射的幺半群的特征刻划,推广了有关主弱内射Ｓ－系的结果。     

C(P)系的一个新推广

设S是幺半群,研究正则右系的一个推广,称之为主弱C(P)-系。一个右S-系A称为主弱C(P)系,如果A的所有循环子系满足条件(PWP)。通过主弱C(P)性质刻画了主弱P(P)幺半群的特征,研究了关于主弱C(P)性质的同调分类问题。     

完全右P-内射幺半群

本文对幺半群S的任意右商滤子P,给出了完全右P－内射幺半群的“理想一同余”形式的刻划,推广了有关内射S－系的结果。     

关于幺半群上一类新的主弱内射性质

设n是一个正整数,定义了一类新的主弱内射性,称之为n-主弱内射性。利用这类新的性质给出了一些新的幺半群类的刻画。     

偏序群Ｓ上Ｓ－偏序系的内射包

幺半群$S$上的每个$S$-系都存在, 并且在同构意义下具有唯一的内射包(\cite{Berthiaume}). 偏序幺半群$S$上的$S$-偏序系是$S$-系理论的推广. 设$S$是一个偏序群. 应用$S$-系理论及序理论的方法, 讨论了$S$-偏序系范畴的内射元, 得出每个$S$-偏序系$A_S$都存在唯一的内射包, 并具体构造了$A_S$的内射包. 在此基础上, 进一步得出$A_S$的内射包既是$A$的极小内射扩张, 又是$A$的极大本质扩张.     

弱平坦性和平坦性一致的幺半群

在幺半群中,引入了弱左PSF幺半群的概念,并研究了它的性质,刻画了所有弱平坦S 系是平坦S 系的幺半群.     

正则弱平坦左系的平坦性

设Ｓ是幺半群，文中证明了在某些条件之下，正则的弱平坦左Ｓ－系一定是平坦的。     

C(P')系对幺半群的刻画

设S是幺半群。借助环模理论的方法,在S-系范畴中引入了C(P')系。通过C(P')性质主要刻画了P(P')幺半群、周期幺半群的结构特征,进而推广了C(P)系的一些重要结果,对进一步研究正则性质在S-系中的作用具有重要意义。     

关于满足条件(P')的循环S-系

设S是幺半群, ρ是S上的右同余,S/ρ是循环右S-系。讨论了满足条件(P')的循环右S-系关于条件(P)、条件(PF″)、弱拉回平坦、强平坦、投射性质的同调分类问题。     

GP-凝聚幺半群

GP-平坦S-系是主弱平坦S-系的推广。刻画了S-系的GP-平坦性在直积下封闭的幺半群的特征, 将自然数为1的主弱凝聚幺半群结果推广到任意存在的自然数的情形。     

S-系的内射上生成子

本文借助于模论中的方法,在中心S-系范畴中,给出了上生成子的若干刻画.利用函子的自然同构,给出了平坦S-系的一些刻画,得到了内射上生成子,投射,内射,生成子之间的一些关系.     

关于Gorenstein内射余模

设C是域上的一个右半完全余代数,证明了每个右C-余模有一个Gorenstein内射包。且如果余代数C作为右C-余模的投射维数有限,给出了Gorenstein内射右C-余模的一个等价刻画。     

Noether环上的Pre-内射模(英文)

R是环.右R-模M称为pre-内射模,如果它是一内射预盖的核.称右R-模N为强pre-内射模,如果它是一内射盖的核.得到pre-内射模的一些性质,证明了R是遗传环当且仅当任意pre-内射R-模是内射模.     

形式三角矩阵环上的广义内射模(英文)

设T是形式三角矩阵环,U和V是右T-模.引入f-单相对内射模、N-生成相对内射模和弱单相对内射模的概念,并借助于与Mod-T等价的范畴Ω,研究了形式三角矩阵环T上的f-相对内射模、N-生成相对内射模和弱相对内射模的有关性质.对右T-模U和V,得到U是f-V-内射模、N-生成V-内射模和弱V-内射模的充分条件.