电阻型湿度传感器伏安特性测试及其导电机理

测试了电阻型湿度传感器在低湿和高湿区的伏安特性，并根据伏安特性的测试数据，分析了该湿度传感器的导电机理，结果表明，在低湿区，其主要导电载流子是电子；在高湿区，其主要导电载流子是湿敏材料中的去离子。     

硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究

阐述了一种结构特点的硅扩展工元件的温度敏感原理，提出了物理模型?探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研究。理论分析和实验结果表明：传感器０－３００℃范围内具有正温度系数特性其阻温系数为０．７３％℃。要拓宽硅扩展电阻传感器ＰＴＣ特性区的工作温度范围，必须尽可能减少扩散接触区的体积和晶体的体积?尽可能提高硅掺杂浓度和晶体中载流子寿命，并适当提     

户外用硅基太阳总辐射计的设计

为长期监测光伏电站中太阳辐射强度，设计了一种户外用硅基太阳总辐射计。采用同种技术类型硅太阳电池作为传感器，并以光伏组件制作工艺来封装硅太阳电池；采用测温热敏电阻测试硅电池的工作温度，为辐照度测量值增加温度修正；采用合适的取样电阻串接于硅电池正负极两端，使硅太阳电池近似工作于短路电流状态。最后在户外自然光下与标准硅太阳电池进行辐照度对比测试，最大误差为1.2%,最小误差为0.2%,平均误差为0.4%。     

一种新型有源温度补偿硅压力传感器

本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

利用硅横向压阻效应的压力敏感器件

随着半导体微电子学的发展和计算机的广泛应用,传感器也向着半导体化的方向发展.硅压阻式压力传感器是半导体传感器中历史较久的一种,近年来更向着小型化和集成化的方向发展.但目前的硅压力传感器的核心部分都是由制作在硅薄膜上的四个力敏电阻组成的力敏全桥构成的.图1是它的电路和结构示意图.在无应力时,四个电阻     

基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究

采用硅隔离SoI(Silicon on Insulator)技术，应用高能氧离子的注入方法，在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅，用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流。采用梁膜结合的压力传递机构，将被测压力与SoI敏感元件隔离开来，因此避免了被测压力的瞬时高温冲击，给出了传感器的结构模型和实验数据。测试结果表明，这种新型结构的耐高压力传感器，具有较好的动静态特性。     

巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。     

硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性

本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。     

微管道内剪应力传感器的研制与优化

基于微机电系统(MEMS)微加工工艺,开发了一种能够测量微管道内壁面剪应力的热式传感器,以多晶硅为热敏元件,在低阻硅衬底上形成多孔硅膜隔离硅衬底损耗. 利用水浴加热方法测量得到电阻温度系数为0.21%/℃. 采用数值模拟的方法对剪应力传感器进行了热分析,探讨了提高剪应力传感器灵敏度和线性度的方法,为优化其设计和使用提供了理论基础. 数值模拟结果表明:随着微管道深度的增加,传感器灵敏度提高,但线性度下降.     

新型多晶硅压力传感器

论述了一种新型多晶压力传感器。它采用矩形双岛硅膜结构，多晶硅作应变电阻，二氧化硅介质膜作隔离，用集成电路工艺和微机械加工技术制作 ，因而，传感器具有灵敏度高和高等特点，利用有限元法对双岛结构的应力分布进行了模拟计算，实验结果与理论分析一致。     

As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究

用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。     

低温高速双极晶体管基区的优化设计

本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。     

集成扩展电阻硅流量传感器的研究

提出了一种新型集成扩展电阻硅流量传感器。此结构的工作原理是基于热传导原理，即当流体流过加芯片时，芯片两端的温差可以用于测量流体的速度。由于应用硅扩展电阻作温度敏感元，故ＳＲＳＦ传感器适用于测量温度较高的流体。分析和实验研究结果表明，ＳＦＳＲ传感器具有如下特点：小流量时灵敏度较高，有方向敏特性；与标准ＩＣ工艺兼容，可制成集成化流量传感器。     

脉冲式铜电阻R—T温度传感器的优化设计

铜电阻的温度线性度好，成本低廉，用大占空比的脉冲电流方式供电，可以使铜电阻体的热效应减至最低，从而显著提高温度测量的精度和传感器的性价比．     

低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析

本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出现一个极小值,然后随温度下降VF很快增加。本文利用低温下器件中存在的热载流子效应对这种异常现象进行了解释。     

CdS薄膜的电输运和光学性质

通过喷雾热解获得CdS薄膜，在氮中气做了退火处理，观测到吸收边随退火温度升高而移动；在室温下的拉曼谱中观察到CdS的2个特征峰；经暗电阻与温度的变化关系的测试，发现激活能存在着极小值，用载流子衰减时间的变化能较好地解释其缘由；探讨了光电导与入射光强以及退火温度的关系。     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱

对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。     

数字式气压传感器静态性能测试与评估

为了掌握硅压阻、数字式振筒和硅电容3种气压传感器的静态性能,进行了2次静态性能测试（非线性、迟滞、重复性）、温度测试和长期稳定性试验,并对相应各项性能进行了评估和比较。结果表明,硅电容式传感器静态特性和温度稳定性均优于其他2种;振筒式静态特性在不同环境温度下均表现良好且较稳定;常温下,硅压阻传感器表现良好,性能与振筒式接近,但低温条件下,性能下降明显,温度系数达0.002 1 hPa/℃。3种传感器长期稳定性比较结果说明了引入年漂移量作为周期检定的必检项目的必要性,测试结果也证明硅电容式气压传感器已达到了气象观测业务使用要求。