Ti和AlN陶瓷的界面反应

采用电子束蒸发的方法在抛光的２００℃ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火．利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）、卢瑟福背散射谱（ＲＢＳ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）技术，研究了从２００～８５０℃温区内Ｔｉ与ＡｌＮ的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系．在界面区发现了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程．指出铝化物由Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物组成．最后利用热力学理论对实验结果进行了解释     

电弧离子镀TiN TiAlN薄膜的制备及高温退火研究

利用电弧离子镀技术在不锈钢衬底上沉积了ＴｉＮ,ＴｉＡｌＮ薄膜,并对两种样品分别在大气环境下进行了高温退火。退火前后都做了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱及硬度测量,发现退火后ＴｉＡｌＮ薄膜表面出现Ａｌ２Ｏ３层,该层的出现使ＴｉＡｌＮ薄膜的高温特性大大好于ＴｉＮ涂层,在机械工业中将会有广泛的应用前景。     

多晶3C—SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构，光学常数，组分及化学键等性能。     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

复合固体酸TiO2—SnO2—Al3O3催化合成柠檬酸酯的研究

首次将ＴｉＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ３Ｏ３复合固体酸催化剂用于催化合成柠檬酸酯,柠檬酸２ｈ的转化率达９９．３％。催化剂制备及合成柠檬酸酯的较好工艺条件是：Ｔｉ／Ｓｎ／Ａｌ（摩尔比）１：１：３,焙烧温度５５０℃,熔烧时间３ｈ,催化剂用量１．２％（占酸醇总量）,酸／醇（摩尔比）１：５,反应时间２ｈ。该催化剂具有良好的重复使用及再生性能。     

用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷

在顶非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.     

射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究

用射频共射复合靶技术和Ｎ２气保护下高温退火的后处理方法,在Ｓｉ衬底上制备出了碳化硅薄膜,通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻率－温度关系谱、Ｘ射线光电子谱等测量手段,研究了淀积膜和不同温度退火薄膜的结构、电学和光致发光等性质。     

316Ti焊接接头在静态钠液中腐蚀的表面膜

奥氏体不锈钢ＳＵＳ３１６Ｔｉ的手工焊接接头（焊条Ａ１０２）承受８０％的屈服拉应力,在氧浓度为１．０＊１０＾－４,温度为５５０℃的液态钠中腐蚀１５００ｈ,对试样进行ＳＥＭ和Ａｕｇｅｒ俄歇能谱分析以及Ａｒ＾＋的溅射。     

在低温胁迫下外源ABA对高原水稻自由基清除系统的影响

喷洒外源ＡＢＡ（脱落酸１０－５ｍｏｌ／Ｌ）在水稻２叶期的幼苗上（３０００ｌｘ，１２ｈ／ｄ），２４ｈ后，分别测定了不同处理的水稻幼苗，发现在低温胁迫２～４ｄ（４±１℃，１０００ｌｘ，２４ｈ／ｄ）中以及回温恢复２～５ｄ（２±１）℃，３０００ｌｘ，１２ｈ／ｄ）中，自由基清除系统的膜保护酶──超氧物歧化酶（ＳＯＤ）和过氧化物酶（ＰＯＸ）的活性增加，非酶促保护系统中的抗氧化剂──抗坏血酸（ＡＳＡ）和还原性谷胱甘肽（ＧＳＨ）的含量增加，膜脂过氧化产物──丙二醛（ＭＤＡ）的含量减少．实验证明外源ＡＢＡ在光下能明显提高水稻幼苗自由基清除系统的防御能力，增强水稻的抗冷性     

固体酸H_2SO_4/SiO_2催化合成DOP

采用化学沉淀法制备了固体酸H2 SO4/SiO2 ,并将其应用于合成DOP .考察了固体酸催化剂的制备条件及其对酯化反应的影响 .实验结果表明 ,每克SiO2 用 1 0mL ,浓度为 0 .5mol·L- 1的硫酸浸泡 0 .5h ,30 0℃下活化 3h ,制得的固体酸H2 SO4/SiO2 催化剂催化活性高 ,选择性好 ,酯化反应速率快 ,产率高     

体素及其拼合运算的理论探讨

当前,计算机图形显示技术中的重要课题之一是三维几何造型技术的研究,它不仅是构造真三维图形软件的基础,而且也是CAD/CAM技术中的关键技术.作为三维几何造型的基础是体素及其对体素的各种拚合运算.本文以作者在微型机上研制开发的二次曲面体造型系统ASMS和平面多面体造型系统PDLS为实验基础,探讨了三维几何造型技术中体素及其拚合运算的基本理论.从三维形体及其它的正则性到体素及其拚合运算都给出了较为确切的定义,并对由某些定义推出的若干结论进行了详细的证明.在本文的最后给出了根据这些基本理论研制的ASMS系统和PDLS系统运行的部分结果.     

酯合成的新型催化剂

本从酯的合成化学出发,探讨了酯化反应的催化剂问题,对三种类型的催化剂：一般酸、固体酸、杂多酸及其固载物的优缺点及部分催化效率进行了简述。     

立体布尔函数边界的代数解及用于立体造型

由地称的色觉机制数学模型所提出了的一种连续值逻辑，得到了线面体布尔函数边界的代数解，文中提供了一立体布尔函数Ａ－Ｂ边界求解的例子和相应的程序绘图。     

La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ的甘氨酸-硝酸盐燃烧法制备和表征

分别采用固相反应法、甘氨酸一硝酸盐燃烧法合成了具有钙钛矿结构的中温固体电解质La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ（LSGM）。用XRD、直流四电极和扫描电镜分析了电解质的晶体结构、电化学性能和显微结构。扫描电镜分析表明：用甘氨酸-硝酸盐燃烧法制备LSGM成相温度低,1400℃烧结2h即可获得单相的LSGM。SEM表明烧结体具有良好的微观结构。用甘氨酸-硝酸盐燃烧法制备的LSGM在850℃时的电导率为0.1 S·cm-1,高于固相反应法制备的样品的电导率。与固相反应法制备LSGM相比,用甘氨酸-硝酸盐燃烧法合成LSGM有利于降低烧结温度,提高纯度,改善电解质的性能。     

固体电解质传感器在高温研究中的应用

对固体电解质化学传感器在高温热力学、动力学和火法冶金中的应用进行了总结和回顾 .     

半固态Al-28Pb铸锭中Pb的分布

为有效解决铸造 Al- 2 8Pb润滑材料存在的 Pb分布不均问题 ,开发了半固态 Al- 2 8Pb加工技术 ,通过对不同固相率半固态浆料的常规铸锭中 Pb的分布进行研究 ,得到了半固态浆料固相率与铸锭中 Pb分布之间的关系。研究结果表明 ,随着浆料固相率的增大 ,铸锭中不同部位 Pb颗粒尺寸的差别逐渐减小 ,当固相率大于 4 5 %时 ,Pb颗粒尺寸的差别基本得以消除 ,尺寸相当的 Pb颗粒可均匀地分布在整个铸锭中。     

无机盐固熔体对高分子固体电解质电导率的影响

用无机盐和脲制成固熔体 ,加入 PEG,PVA等高分子物质制备新型的“Polymer- in- Salt”。研究了无机盐种类、含量、结构对高分子固体电解质 ( SPE)电导率的影响 ,制备的 Li Cl O4 -脲 (物质的量比为 1∶ 4.5 ) -高分子体系室温电导率可达 1 .84×1 0 - 3S·cm- 1。研究表明无机盐固熔体对 SPE的电导率具有重要影响     

用“Polymer-in-Salt”电解质制作固体电池

以 NH2 CONH2 -Li Cl O4和 NH2 CONH2 -NH4SCN为主体的“Polym er-in-Salt”作电解质 ,Zn作负极 ,Mn O2 ,Pb O2 和 PAn作正极制成多种二次电池 ,经测试该类电池有不同的开路电压和闭路电流以及能量密度