金刚石薄膜场致发射材料的特性与应用

主要论述金刚石薄膜场致发射材料的性能，包括了多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜（DLC）、纳米结构金刚石薄膜、用酸处理后的金刚石薄膜等的性能，给出了几种典型的金刚石薄膜场致发射阴极结构。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具高储能，高击穿电压、耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点。金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步。本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线。     

快速沉积的金刚石薄膜生长特性

本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。     

金刚石薄膜电容的欧姆接触

用本征金刚石薄膜制备的电容具有高储能，高击穿电压，耐高温，基本电阻可调节以及良好的化学稳定性等特点.金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步.本文主要研究金刚石薄膜的欧姆接触及其I-V曲线.     

金刚石薄膜场致发射的研究

简要分析了 FED场发射显示器的工作原理 ,陈述了非晶金刚石薄膜特殊的优点后 ,对用金刚石薄膜制作场发射器的可行性进行了讨论 ;还介绍了利用金刚石薄膜和阳极选择的方法对Spindt FED作了改进 ,从而使平面 FED更容易实现。     

C60薄膜硅衬底过渡层对金刚石薄膜的生成

用微波等离子体化学气相淀积方法，以Ｃ６０薄膜作为在硅衬底上的过渡层，无衬底负偏压。采用通常淀积金刚石薄膜的生长条件，在Ｃ６０薄膜上生长出多晶金刚石薄膜。     

镀制工艺对金刚石薄膜透射率的影响

用磁控溅射法制备金刚石薄膜,研究了工作气压,溅射电流、镀膜时间三个参数对金刚石薄膜透射率的影响。得到最佳工艺参数:工作气压1.3 Pa,溅射电流0.4 A,镀膜时间2 min。镀制的金刚石薄膜可以作为红外元件的保护膜与增透膜。     

CVD金刚石薄膜的织构与显微组织研究

对直流电弧等离子喷射化学气相沉积法(CVD)制备的自支撑金刚石薄膜,用X射线衍射测量了薄膜织构,并用扫描电镜观察了薄膜显微组织。发现金刚石薄膜的织构为{110}、{111}、{112}和{221}等纤维织构。实验结果表明,金刚石薄膜比较致密并且晶形比较完整,不同生长因子对应不同立方体-八面体几何形状。分析和讨论了金刚石薄膜的制备工艺参数如衬底温度和甲烷浓度对其织构和显微组织产生的影响。     

金刚石涂层刀具干切削硅铝合金性能研究

由于金刚石薄膜涂层具有与天然金刚石相同的高硬度、低摩擦系数、高耐磨和高导热优异性能,因此适用于车削和现代高速干式切削加工,尤其高速切削硅铝合金可提高生产率。文章通过用金刚石薄膜涂层刀具对硅铝合金进行干式切削,探讨其切削性能。试验结果表明,金刚石薄膜涂层刀具磨损是由薄膜显微断裂而逐渐脱落的过程,进给量是影响工件表面粗糙度的主要因素。     

改进CVD系统制备金刚石薄膜

用一台常规的真空镀膜机改建为化学相沉积（CVD）系统，并用以制备金刚石薄膜，采用SEM，XRD，Raman测试表明，金刚石薄膜质量较好。     

蛛丝蛋白载药膜的结构表征及其降解性能研究

为治疗化疗后的口腔黏膜炎,以敬钊缨毛蛛的天然蛛丝作为成膜材料制备载药膜剂,并对膜剂特性进行表征。采用溶剂浇铸法制备出蛛丝蛋白膜,通过水接触角实验、傅立叶红外光谱法、X-射线衍射法、扫描电镜评价膜剂的结构特征,探讨了膜剂的降解性。本试验所制备膜剂表征实验证明药物成功载入膜中,降解实验表明膜剂在人工唾液中7 d内的降解失重率仅5%,在人工胃液中72 h降解失重率达到65%以上。以天然蛛丝-六氟异丙醇溶液为成膜液,采用溶剂浇铸法可成功制备出载有肌苷药物的口腔膜剂。     

气流场内水平金属板表面缓蚀剂膜失效规律

根据油溶性缓蚀剂涂膜作用机制,将缓蚀剂涂膜层近似认为易流动膜层和不易流动膜层,研究缓蚀剂涂膜流动失效规律。根据易流动膜层内流速分布规律,分析其厚度随流动时间的变化规律;基于分子浓差扩散方程,建立不易流动膜层厚度失效定解方程,并建立描述油膜失效速率的数学模型。结果表明:金属板表面缓蚀剂涂膜的失效是流动与分子扩散共同作用的结果;缓蚀剂主剂在气流场内流动致使涂膜厚度迅速下降;有效成分吸附在金属表面,难以发生流动,因分子扩散而失效,膜层厚度变化缓慢;拟合曲线与试验数据吻合很好。     

CdS/TiO_2纳米管复合薄膜的制备和可见光吸收性质的研究

采用阳极氧化法在金属钛片上生长Ti02纳米管薄膜,采用化学水浴沉积法制备了纳米尺度的CdS／TiO2复合光催化剂薄膜,采用FESEM,XRD和UV-vis吸收光谱分别研究了薄膜的形貌、结构特征和薄膜的光吸收特性。结果表明复合CdS有利于增强薄膜对可见光的吸收,从而提高了薄膜的光吸收效率。     

用俄歇能谱研究热氮化SiO2膜中氮原子的扩散

应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现：１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后氮原子浓度降低，分布变得平缓，均匀。     

医用聚氯乙烯的表面磺酸化及抗凝血性能研究

利用SO2/O2混合气体等离子体处理医用聚氯乙烯(PVC)膜，在材料表面引入磺酸基，借助X射线光电子能谱和ATR-FTIR光谱对膜表面的组成及结构进行表征，通过动态凝血实验以及凝血酶原时间、部分凝血活酶时间、凝血酶时间的测定，对聚氯乙烯膜的抗凝血性能进行评价．实验结果表明，等离子体处理聚氯乙烯膜可以在材料表面有效地引入磺酸基，显著提高材料的抗凝血性能．     

光纤表面等离子体共振传感器敏感膜的仿真研究

为了研究光纤表面等离子体共振传感器的传感特性,利用TFCalc软件仿真研究光纤表面等离子体共振(SPR)传感器的反射光谱特性,分别考查敏感膜为Au膜、Ag膜、Al膜和Cu膜对反射光谱特性的影响。仿真结果表明,Au膜和Ag膜有较高的灵敏度,Al膜和Cu膜厚度分别在10 nm和30 nm有较明显的共振现象。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究

采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电高法在Si衬底上沉积了Cu膜，用扫描电镜（SEM）研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度，用X射线衍射（XRD）研究了沉积Cu膜的结构，用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析．实验结果表明，在该条件下沉积的Cu膜致密，晶粒尺度在100～1000nm，膜基界面比较紧密，没有明显的空洞，并且Cu膜呈（111）织构．通过实验，找到沉积Cu膜的最佳实验参数，并希望这一工艺能应用在集成电路中．     

Cu3Au薄膜中的[001]方向反相畴界

采用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法对Ｃｕ３Ａｕ 合金薄膜系统的有序—无序转变过程进行了计算机模拟。计算结果表明反相畴界的薄膜系统中的性质与在体材料中的不同。［００１］方向反相畴界的类型取决于薄膜系统的层数的奇偶性。当薄膜系统的原子层数为偶数时,薄膜中只出现非保守性的反相畴界,而当薄膜系统的原子层数为奇数时,薄膜中只出现保守性的反相畴界或不出现反相畴界。与体材料相同,在非保守性的反相畴界处发现了浸润现象。     

固载葡萄糖氧化酶的壳聚糖/二氧化硅杂化膜的制备及表征

利用生物相容性良好的天然高分子聚合物壳聚糖(CS)与甲基三甲氧基硅烷(MTOS)通过原位溶胶-凝胶法制备壳聚糖/二氧化硅有机无机杂化复合膜,用此膜对葡萄糖氧化酶进行固定,用红外光谱法、扫描电镜法对膜进行了表征.以电沉积普鲁士蓝的玻碳电极和固定化酶膜构建葡萄糖生物传感器,用循环伏安法和记时电流法对固定化酶的效果进行了评价,结果表明,用于研制固定化酶生物传感器时,杂化膜比单纯的壳聚糖膜对底物的响应时间快并能很好地保持酶的活性.