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采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电高法在Si衬底上沉积了Cu膜，用扫描电镜（SEM）研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度，用X射线衍射（XRD）研究了沉积Cu膜的结构，用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析．实验结果表明，在该条件下沉积的Cu膜致密，晶粒尺度在100～1000nm，膜基界面比较紧密，没有明显的空洞，并且Cu膜呈（111）织构．通过实验，找到沉积Cu膜的最佳实验参数，并希望这一工艺能应用在集成电路中． 相似文献
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