有机聚合物及小分子材料的电致发光器件

论述了有机聚合物及小分子材料的电致发光原理 ,发光二极管的结构及影响器件稳定性、寿命的原因 ,总结了目前该领域所取得的成果 ,展望了下世纪有机发光材料的应用前景和商业化可能性 .     

二芳基芴类有机/聚合物半导体材料研究进展

在众多构建有机半导体材料分子结构中,二芳基芴类半导体凭借其特殊的电子、空间、位阻以及构象结构展现出良好的商业化前景.国内外研究学者致力于二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料的研究,大量二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料,包括电致发光材料、载流子传输材料、磷光器件的主体材料和电存储材料等已经得到了报道.文中以作者课题组的工作为主线系统总结了二芳基芴类有机/聚合物光电材料的分子结构、性质、及其应用等方面的进展,并展望了二芳基芴类有机/聚合物半导体材料未来发展的趋势与脉络.     

吡啶肼类衍生物在有机电致发光器件中的应用

有机电致发光材料的电子传输材料研究远落后于该领域的其他材料,需要开发出新型的电子传输材料,提高电子传输效率,改善器件性能.以合成的Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料,制作了结构为玻璃基板/ITO阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/铝电极的有机电致发光器件,探讨了它们在有机电致发光器件中的性能,Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料器件的最大发光亮度分别达到了218和5 980 cd/m2.结果显示该系列化合物具有电子传输性能,可应用于有机电致发光器件中的电子传输材料.     

有机聚合物及小分子材料的电致发光器件

论述了有机聚合物及小分子材料的电致发光原理,发光二极管的结构及影响器件稳定性,寿命的原因,总结了目前该领域所取得的成果,展望了下世纪有机发光材料的应用前景和商业化可能性。     

小分子有机电致发光材料研究进展

 有机电致发光器件（OLED）具有效率高、亮度高、驱动电压低、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点,因其在平板显示和高效照明领域具有极大的应用前景而引起广泛关注。在OLED的制备及优化中,有机电致发光材料包括小分子和聚合物的选择至关重要,其中有机小分子发光材料具有确定的相对分子质量、化学修饰性强、选择范围广、易于提纯、荧光量子产率高以及可以产生红、绿、篮等各种颜色光等优点,一直受到国内外学者的广泛重视。本文综述了近年来国内外有机电致发光小分子发光材料的研究状况,对有机小分子电致发光材料进行分类和评述,并简要介绍了小分子OLED的应用前景和发展趋势。     

聚苯胺-聚合物纳米复合材料的制备及应用

聚苯胺-聚合物纳米复合材料的制备方法可分为原位聚合法和机械共混法两大类.聚苯胺-聚合物纳米复合材料在透明导电薄膜、防静电涂料、导电纤维、电磁屏蔽、有机电致发光器件等领域有着广阔的应用前景.     

有机无机复合电致发光的研究进展

为了获得更好的发光器件,将有机材料与无机材料制成复合体,取长补短,使其在平板显示技术中具有极大的应用前景.本文在简述有机与无机电致发光原理的基础上,介绍了有机一无机复合器件的研究进展,重点阐述在具有不同结构的有机-无机异质结器件中无机材料所起的作用.通过对无机界面修饰层修饰电极、基于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料有机无机复合电致发光等方面的综合探讨,总结出有机-无机复合器件的优势:能得到更好的Ⅰ-Ⅴ特性曲线和更高的发光效率,对器件内部场强起调节作用并且改善两种载流子的平衡注入,为今后在制作有机.无机复合器件方面做更深入的研究提供参考.     

有机电致发光平板显示器件的进展

随着有机电致发光器件的研究和发展，以有机材料为基础的有机电致发光器件（OLED）所表现出的各种特性和它在平板显示领域的广泛应用，OLED平板信息显示器件已经引起了人们广泛的关注。该文在简单地介绍了有机电致发光器件的结构和发光原理之后，主要介绍有机电致发光器件性质特点、彩色柔性的实现方法以及当前产业发展的状况，并就OLED平板显示器的市场前景进行了预测。     

有机电致发光白光器件的研究

白光有机电致发光器件在显示领域有着极大的应用前景,受到人们广泛的关注.通过对白光有机电致发光器件的结构、工作原理、实验的可行性分析、工艺流程、存在的问题等方面进行了分析,对器件结构进行了优化设计,确定了合理的技术路线,提高白光电致发光器件中各成分的发光效率,从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件.     

有机光电材料研究进展

概述了近20年来有机光电材料研究的进展,重点介绍了导电聚合物、有机电致发光二极管、有机光电转换材料、信息存储材料、有机非线性光学材料等研究领域的近期发展动态,评述了各类有机光电材料与相应无机材料相比所具有的特点,并对我国科学家在有机光电材料领域研究成果作了较详细的介绍.     

两种新型含噻吩嗪导电共轭聚合物的电化学性质研究

在以0．1M TBAP为支持电解质的DMF非水溶液中,采用循环伏安和差示脉冲等方法详细研究了两种含噻吩嗪基团的导电共轭聚合物在玻碳电极上的电化学性质。研究结果表明：由于吸电子基团-CN的引入,m-Polymer出现一个明显的氧化峰和还原峰,而Ph-Polymer则出现了两组明显的氧化还原峰。详细推导了其电化学反应机理,利用循环伏安和紫外-可见光谱法对这两种聚合物的能级轨道进行了估测。     

芴基荧光共聚物与芴基磷光共聚物光电性能的比较研究

通过对芴基荧光共聚物(PFO-TPP)和芴基磷光共聚物(PFO-TPP-Pt)的光电特性的比较研究,结果发现PFO-TPP-Pt磷光共聚物相对于母体荧光共聚物PFO-TPP的PL效率低很多,但是磷光聚合物比相应的不含金属的母体荧光共聚物的EL效率却显著提高,PFO-TPP-Pt器件的最大外量子效率为1.95%,相应的发光亮度为8.3 cd/m2和色坐标(C IE1931)为(0.700,0.293),此外,磷光共聚物在EL过程中的能量转移比母体荧光共聚物更完全。     

芴基交替共聚物共混体系与其无规共聚物的比较研究

基于芴基红光交替共聚物(PFO-DHTBT50)和芴基绿光共聚物(PFO-BTDZ15)共混,实现了高效率的饱和红光发射,流明效率达到了2.22cd/A,相应的色坐标(CIE1931)为(0.66,0.34).调节PFO-DHTBT50/PFO-BTDZ共混比例或无规共聚物的共聚比例来比较研究共混物与无规共聚物的光电特性,结果发现,共混物与无规共聚物在吸收光谱、发射光谱和光致发光效率等方面有相似的变化规律,但是基于共混物所制备器件的EL发光效率有极大改善.     

Electroluminescent property of tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium(Ⅱ)

Luminescent tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium (Ⅱ) (RuTPPCO) complex was employed as a doped emitting material to fabricate red organic electroluminescent (EL) devices. The EL device structure was [ITO/copper phthalocyanine (Cu-Pc) (15.0 nm)/N,N′-di(α-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4, 4′-diamine (NPB)(60.0 nm)/tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3):RuTPPCO (50.0 nm)/LiF (1.0 nm)/Al (200.0 nm)]. The codeposited films of Alq3:RuTPPCO were utilized as the emitting layer to construct EL devices. Experimental results showed that energy transfer from Alq3 to RuTPPCO occurred in the codeposited films. The EL property of the codeposited Alq3:RuTPPCO films with different RuTPPCO concentrations was described. For the EL device with the RuTPPCO concentration of 15% by weight, deep red electroluminescence at 656 nm with the maximum EL efficiency of 0.32 cd/A was achieved.     

Efficient polymer light-emitting diodes with violet blue emission based on blends of PSiF6-PPP and PSiFC6C6

Efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) with violet blue emission were fabricated using blends of copolymers of paraphenylene-co-silafluorene (PSiF6-PPP) and polymer of poly (9,9'-alkyl-3,6-silafluorene) (PSiFC6C6). The performances of the devices are sensitive to the blend ratio. When the mass ratio of PSiF6-PPP to PSiFC6C6 is 1 : 3, the highest external quantum efficiency is 1.96% at luminance of 105 cd.m2, its electroluminescent (EL) spectrum peaks at 398 nm and full width at half maximum is 67 nm. The improvements of the device performances were due to the energy transfer from PSiFC6C6 to PSiF6-PPP and the balanced injection of electrons and holes.     

Photoluminescence and Electroluminescence on Nanosilicon Deposited by Yb

Dynamics of photoluminescence（ PL） and electroluminescence（ EL） on nanosilicon deposited by Yb is investigated. The sharper PL peaks near 700 nm are observed on silicon quantum dots（ Si QDs） coated by Yb. The enhanced EL peaks in the wavelength region from 1 200 nm to 1 600 nm are measured on silicon film deposited by Yb. It is discovered that the EL intensity enhances and the peaks number increases with increasing number of Si-Yb layers. The emission wavelength could be manipulated into the window of optical communication by SiYb bonding on nanosilicon. Si-Yb quantum cascade and PIN hybrid light-emitting diode is designed to apply in optical communicating,which is suitable to be integrated on silicon chip.     

Influence of Al-doping on electroluminescence of silicon-based films

A series of Al-doped silicon-rich silica (AlSiO) composite films have been prepared by a dual ion beam co-sputtering method with a Al, Si and SiO2 composite target. The content of Al and Si in the films can be adjusted by changing the surface area of Al and Si of the target. Visible electroluminescence (EL) from the samples is found to have only one luminescence band peaked at 510 nm (2.4 eV). Experimental results show that the doping of Al is beneficial to reducing the onset voltage and to increasing the intensity of EL.     

The ultraviolet and blue luminescence properties of ZnO:Zn thin film

The ultraviolet (UV) and blue luminescence of Zn-rich zinc oxide thin film deposited by electron-beam evaporation have been investigated at room temperature (RT). We observed that the UV and blue electroluminescence (EL) emission band centered around 480 nm which is blue shifted in comparison with that of the ZnO thin film prepared by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP MOCVD). The UV emission is much stronger than blue emission in the photoluminescence (PL) spectra. The field-induced ionization of excited luminescent centers of ZnO:Zn thin film at high electric field and the difference between PL and EL are discussed. The experiments show that the ZnO:Zn thin film provides a hopeful new mechanism to obtain UV and blue emission.     

2个同分异构体2-乙烯基-8-羟基喹啉锌化合物的合成与发光特性

设计合成了2个含吡啶环2-乙烯喹啉-8-羟基喹啉金属锌配合物的同分异构体,用FT-IR、FAB-MS和元素分析表征了结构,热重分析结果表明化合物3和4的玻璃化转变温度分别在204 ℃,228 ℃. 光致发光(PL)光谱测试结果表明,化合物3的发光峰值为612 nm,橘红色光;化合物4的发光峰值为630 nm,发红色光.用化合物4与TPD组装为双层电子器件,电致发光峰值为656 nm.     

聚乙二醇-聚乙烯亚胺负载超顺磁纳米Fe3O4的合成及其基因转染应用

采用单甲基醚聚乙二醇改性聚乙烯亚胺,得到水溶性接枝共聚物聚乙二醇接枝支化聚乙烯亚胺(mPEG-g-PEI),并利用离子交换法制备了PEG-PEI-SPIO. 同时,还合成了mal-PEG-COOH,并用其制备了多功能负载SPIO的抗体-聚乙二醇-聚乙烯亚胺. 负载SPIO的抗体-聚乙二醇-聚乙烯亚胺与pDNA复合后形成的复合物粒径约为105 nm,体外实验结果显示T细胞能特异性的吸收抗体-聚乙二醇-聚乙烯亚胺负载的SPIO,靶向组在基因转染实验中有较好的效果,可用磁共振手段进行实时无创观测.