EMD在Pb—Ag—Ca新型合金阳极上竞争反应的研究

Ｏ２在变质Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ阳极（ＰＡＣ阳极）分别在２０％Ｈ２ＳＯ４及／Ｍｏｌ／Ｌ ＭｎＳＯ４－２０％Ｈ２ＳＯ４体系中过电位ηＯ２测定的结果（２９８Ｋ）及热力学的计算，讨论承ＰＡＣ阳极上的两个主要竞争反应即ＭｎＯ２（ＥＭＤ）电沉积及Ｏ２的析了在不同条件下的变迁。     

天然气中分子氮成因及判识

天然气中分子氮（Ｎ２）的成因复杂多样,其同位素组成和其它地球化学特征各不相同。（１）大气源的Ｎ２：ＣＮ２／ＣＡｒ≤８４,且δ１５ＮＮ２≈０‰（ＡＴＭ）;（２）地壳超深部和上地幔来源的原生Ｎ２：δ１５ＮＮ２≈－２‰～＋１‰,伴生Ａｒ的４０Ａｒ／３６Ａｒ＞２０００和Ｈｅ的３Ｈｅ／４Ｈｅ＞１０－６,且Ｎ２和Ｈｅ含量具有正相关性;（３）微生物反硝化作用生成的Ｎ２：δ１５ＮＮ２＜－１０‰和地下水中ＮＯ－３及ＮＯ－２浓度异常高;（４）沉积有机质在未成熟阶段经微生物氨化作用形成的Ｎ２：δ１５ＮＮ２＜－１０‰;伴生ＣＨ４的δ１３ＣＣＨ４＜－５５‰（ＰＤＢ）;（５）沉积有机质在成熟（包括高成熟）阶段经热氨化作用形成的Ｎ２：δ１５ＮＮ２≈－１０‰～－１‰,且伴生ＣＨ４的δ１３ＣＣＨ４≈－５５‰～－３０‰;（６）沉积有机质在过成熟阶段裂解产生的Ｎ２：δ１５ＮＮ２≈＋５‰～＋２０‰;（７）沉积岩中无机氮在高温变质作用下释放出的Ｎ２：δ１５ＮＮ２≈＋１‰～－３．５‰,ＣＮ２／ＣＡｒ８４．对这些潜在源的特征进行了综合论述。     

化学沉积Ni-Cu-P合金及晶化处理对镀层结构和硬度的影响

从弱碱性化学镀溶液中化学沉积Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金,并用差热分析（ＤＳＣ）、Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜（ＴＥＭ）研究了晶化处理对镀层结构及硬度的影响。结果表明,镀液中ＣｕＳＯ４．５Ｈ２Ｏ浓度对合金组成有显著影响。在化学沉积过程中,Ｃｕ的优先析出使镀层中Ｃｕ／Ｎｉ摩尔比远远高于镀液中Ｃｕ＾２＋／Ｎ＾２＋摩尔比。镀液中ＳｕＳＯ４．５Ｈ２Ｏ浓度低时,沉积速度随其浓度增加而增大,但ＣｕＳＯ４．５Ｈ２Ｏ浓     

稀土烯丙基化合物的研究（XV）：含环戊二烯基或吡咯基的异？…

以２－甲基烯丙基氯化镁与无水稀土氯化物低温下反应,得到含镁２－甲基烯丙基稀土配合物（Ｌｎ（Ｃ４Ｈ７）２（Ｍｇ２Ｃｌ５（ＴＨＦ）４）。该配合物与环戊二烯或吡咯进行配体取代反应,分别得到两个系列的含环戊二烯基（Ｃ５Ｈ５）或吡咯基（Ｃ４Ｈ４Ｎ）的异核混配型稀土烯丙基配合物（Ｌｎ２（Ｃ５Ｈ５）３（Ｃ４Ｈ７）Ｍｇ３Ｃｌ８（ＴＨＦ）６,Ｌｎ２（Ｃ４Ｈ４Ｎ）３（Ｃ４Ｈ７）Ｍｇ３Ｃｌ８（ＴＨＦ）６（ＴＨＦ）６（Ｌ     

稀土烯丙基化合物的研究(XV)——含环戊二烯基或吡咯基的异核混配型稀土烯丙基配合物的合成

以２－甲基烯丙基氯化镁与无水稀土氯化物低温下反应,得到含镁２－甲基烯丙基稀土配合物（Ｌｎ（Ｃ４Ｈ７）２（Ｍｇ２Ｃｌ５（ＴＨＦ）４）．该配合物与环戊二烯或吡咯进行配体取代反应,分别得到两个系列的含环戊二烯基（Ｃ５Ｈ５）或吡咯基（Ｃ４Ｈ４Ｎ）的异核混配型稀土烯丙基配合物（Ｌｎ２（Ｃ５Ｈ５）３（Ｃ４Ｈ７）Ｍｇ３Ｃｌ８（ＴＨＦ）６,Ｌｎ２（Ｃ４Ｈ４Ｎ）３（Ｃ４Ｈ７）Ｍｇ３Ｃｌ８（ＴＨＦ）６（Ｌｎ＝Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ））．这２个配合物均经元素分析、红外光谱、质谱鉴定及摩尔电导的测定     

含氧和氮的四氯化钛络合物催化双环戊二烯开环移位聚合 …

报道了ＴｉＣｌ４．２「Ｃ６Ｈ８Ｏ」（１）;ＴｉＣｌ４．２「Ｃ８Ｈ１１Ｎ」（２）;ＴｉＣｌ４．２「Ｏ（ＣＨ２）４ＣＨ２」（３）．ＴｉＣｌ４．２「Ｃ６Ｈ７Ｎ」（４）ＴｉＣｌ４．２「Ｃ５Ｈ５Ｎ」（５）;ＴｉＣｌ４．２「Ｃ４Ｈ８９Ｏ２」（６）催化双环戊二烯开环移位聚合反应并对６个影响因素进行了讨论,由此得到优化的反应条件。     

改进基板修饰方法制备有机/无机分子沉积膜

把氢烷偶联剂〖（ＣＨ３Ｏ）３（Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ〗直接组装在石英基板上，随后将有机膜的端疏基（ＳＨ）原位氧化为磺酸基（ＳＯ３Ｈ），再利用其负电笥表面交潜沉积上双季铵盐和ＷＯ３（ｅ＾－０，制得多层有机／无机分子沉积膜，经紫外可见光谱及小角Ｘ射线衍射表征，该膜具有良好的超薄层状有结构。     

苯甲酰丙酮，氨基吡啶与Cu（Ⅱ）的双核配合物的合成和磁性

合成了含有Ｃｌ－桥联配体的两个新的双核配合物：Ｃｕ２（ａｍｐｙ）２Ｃｌ４·１／２Ｃ２Ｈ５ＯＨ（ａｍｐｙ＝α－氨基吡啶）和Ｃｕ２［Ｎ，Ｎ’ｂｉｓ（ａｍｐｙ）－ｂｚａｃ（Ｈ２Ｏ）］Ｃｌ４·Ｃ２Ｈ５ＯＨ（ｂｚａｃ＝苯甲酰丙酮）．通过元素分析、ＩＲ、ＥＳＲ和室温磁化率表征，测定了这两个配合物的变温磁化率（４～３００Ｋ），其数值用最小二乘法与从自旋Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ算符导出的磁化率理论曲线拟合很好；求得了交换积分，对于配合物Ｃｕ２（ａｍｐｙ）２Ｃｌ４·１／２Ｃ２Ｈ５ＯＨ，Ｊ＝－４．７６Ｃｍ－２；对于Ｃｕ２［Ｎ，Ｎ’ｂｉｓ（ａｍｐｙ）－ｂｚａｃ（Ｈ２Ｏ）］Ｃｌ４·Ｃ２Ｈ５ＯＨ，Ｊ＝－４．７２ｃｍ－２，表明两个配合物中Ｃｕ（Ⅱ）－Ｃｕ（Ⅱ）核间有反铁磁相互作用．     

含氧和氮的四氯化钛络合物催化双环戊二烯开环移位聚合反应的研究

报道了ＴｉＣｌ４·２［Ｃ６Ｈ８Ｏ］（１）;ＴｉＣｌ４·２［Ｃ８Ｈ１１Ｎ］（２）;ＴｉＣｌ４·２［Ｏ（ＣＨ２）４ＣＨ２］（３）;ＴｉＣｌ４·２［Ｃ６Ｈ７Ｎ］（４）;ＴｉＣｌ４·２［Ｃ５Ｈ５Ｎ］（５）;ＴｉＣｌ４·２［Ｃ４Ｈ８Ｏ２］（６）催化双环戊二烯开环移位聚合反应并对６个影响因素进行了讨论,由此得到了优化的反应条件。     

CO H_2合成乙烯膜催化反应性能的研究

本文设计了反应与分离合二为一的膜催化反应器，将自制的负载型ＴｉＯ２－聚丙烯疏水性复合膜材料用于以Ｎｉ－Ｃｕ／ＭＳＯ为催化剂的ＣＯ＋Ｈ２合成乙烯的反应，考察了反应中ＣＯ的转化率和乙烯的选择性。实验结果表明：以Ｎｉ－Ｃｕ／ＭＳＯ为催化剂ＣＯ＋Ｈ２合成乙烯膜催化反应（反应温度为１５０℃），与常规的催化反应在同温度下进行比较，ＣＯ转化率提高了８．５％，Ｃ２Ｈ４的选择性提高了１２％．     

甲烷浓度对大面积金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积(EA.CVD)方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,碳源浓度的变化会直接影响着金刚石膜的生长和质量。使用Raman,SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

球形金刚石的生长机理研究

用热丝化学气相沉积设备研究了钢渗铬层、P-Si（100）基片和三氧化二铝基底表面形成的球形金刚石．研究结果表明：在不适合球形金刚石形成的工艺爷件下,在P-Si（100）基片和三氧化二铝表面沉积的晶形很好的金刚石膜中也存在球形金刚石团块（称为异常长大金刚石团块）;首次使用金刚石“异常晶核”解释了异常长大金刚石团块的形成．球形金刚石膜由异常长大金刚石团块组成．异常长大金刚石团块的形成不但与沉积工艺参数有关,而且与CVD金刚石生长特性有关．     

MPCVD金刚石薄膜形貌与晶向

以甲烷、氢气做为气源,利用微波等离子气相沉积的方法在硅片上沉积金刚石薄膜。研究了不同浓度的甲烷对金刚石薄膜形貌和晶向的影响。结果表明:当甲烷浓度为2.44%时,金刚石薄膜晶粒尺寸小,晶形较差,晶面取向以(111)、(220)面为主;甲烷浓度为0.50%时,金刚石薄膜晶粒尺寸较大,晶粒棱角分明,晶面取向以(111)面为主。     

碳源浓度对掺硼金刚石/多孔钛复合材料制备的影响

利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合膜表面形貌及薄膜质量的影响.结果表明钛膜表面沉积的掺硼金刚石薄膜因碳源浓度的不同而不同,掺硼金刚石薄膜的质量随碳源浓度的减小而提高.金刚石/钛复合膜因碳源浓度的不同会产生复杂的变化,在重掺杂高碳源浓度下金刚石生长抑制碳化钛的形成.     

金刚石薄膜的制备、表征和场发射性能

系统研究了在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,甲烷浓度、沉积气压、气体流量比、衬底的预处理等参数工艺对金刚石薄膜质量的影响,不同样品的扫描电镜(SEM)图片表明上述参数工艺对金刚石薄膜的微观形貌如:晶粒尺寸、均匀性、膜的连续性、致密性等具有重要影响.金刚石薄膜样品尖锐的1332cm-1Raman峰表明金刚石膜具有很高的晶化质量,与SEM图片一致.最后研究了样品的场发射特性,获得了较低的发射阈值电压4.4V/μm,电压为650V时,得到较高的约128mA/cm2的发射电流密度.     

直流电弧等离子体喷射法制备金刚石薄膜

设计了一种以较高速度合成金刚石薄膜的装置。这种装置是在阴极和阳极间用甲烷氢气及氩气产生高密度等离子体射流。等离子体射流以高速度喷射于被冷却的基底上,从而形成金刚石薄膜。     

氮气流量对金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积（EA-CVD）方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,氮气流量对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

多层金刚石薄膜制备工艺和应力分析研究

采用热丝化学气相沉积方法,优化金刚石薄膜制备工艺。通过改变甲烷浓度成功制备出厚度均匀的多层金刚石薄膜,实现了多种调制周期的金刚石薄膜制备,调制周期最小至100 nm。通过拉曼光谱和X射线衍射方法对单层以及多层金刚石薄膜进行应力分析,发现单层结构中,微米金刚石薄膜应力最大,随着金刚石晶粒尺寸的减小,薄膜应力减小;多层金刚石薄膜结构中,微米层与纳米层均匀交替生长,有效地降低了薄膜应力,有利于提高金刚石薄膜在应用中的稳定性。     

Infrared spectra study associated with hydrogen impurity in low pressure CVD diamond films

The infrared absorbance peaks at 2 852.4, 2 924.3, 2 963.0 and 3 034.9 cm-1 have been observed in diamond films made by the direct current arc discharge plasma chemical vapor deposition. Three former absorbance peaks have been assigned to C-H stretching in SP3 configuration, 3 034.9 cm-1 has been assigned to C-H stretching in SP2 configuration. The effect of methane concentration and H2 gas flow rate on absorption in the "C-H stretch" range has been investigated. Electron spin resonance analysis indicated that a considerable amount of defects exist in diamond films produced by low pressure chemical vapor deposition.     

CVD金刚石薄膜的掺硼研究

主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长．采用热灯丝CVD法在硅上制备金刚石薄膜，采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜．利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况．结果表明：硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大；利用SEM观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小；利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极，测试电流随温度升高而变大.