Ge在MnBiAlGe合金薄膜磁光特性中的作用

研究了ＭｎＢｉＡｌＧｅ合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ｇｅ在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ｇｅ为０．３时,其克尔角可达１．７５°,是很有希望的新型磁光材料．     

SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sm)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286 Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330 emu/cm3,矫顽力为5.0 KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31 Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385 emu/cm3,矫顽力为4.7 KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释.     

非晶SmDyFeCo薄膜的制备和磁光记录特性

研究了制备非晶ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜的方法和它的磁光记录畴大小随记录激光功率Ｐ及记录偏磁场Ｈｂ的变化趋势，并与非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜的磁光性能比较，得到了重要的结论：在非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜中加一定量的轻稀土元素Ｓｍ组成四元非晶合金薄膜能使它的磁光记录畴直径减小，它可能成为未来高记录密度的新型磁光材料     

TbFeCo非晶磁性薄膜温度特性的平均场理论计算

本文依据实验结果,运用平均场理论,计算了TbFeCo非晶磁性薄膜随温度连续变化时的饱和磁化强度M_s,得到了居里点、补偿点及M_s(T)随改变材料成分时的变化趋势图.这些结果对于研究磁光材料的记录特性及热稳定性具有一定的参考价值.     

磁光盘信息读出系统的光学问题

在基于磁光克尔效应的光盘存储技术中,磁光介质特性与光学头性能优劣直接影响到系统信噪比质量.不断优化光学系统特性来改善系统信噪比和提高系统的可靠性与稳定性一直是研究的课题.本文将只涉及磁光材料的磁光克尔效应.详细讨论磁光信息读取光学系统以及光学系统特性对系统信噪比的影响,包括差动法信号取出的噪声特性分析,然后给出优化措施.1 磁光信息读取原理图1为磁光盘信息读取光学系统简图.激光束A经分光棱镜BS后,由会聚物镜OB在光盘OD磁光介质上形成亚微米级光点,高速旋转的光盘信息经此光点扫描后,其克尔效应信息调制了反射光束,携带了数据信息的反射光束C再经物镜OB与分光棱镜BS后,出射光束D经λ/2波片后,出射光束E.E经检偏器件PBS后,出射光束O_1与O_2,O_1和O_2分别经光电二极管PD_1和PD_2后,产生电信号.此电信号经后继电子系统进行差分放大.这样便可检出磁光盘上所记录的信息.2 信噪比分析     

磁化过程中Fe_(40)Ni_(40)Mo_4B_(16)非晶合金带磁畴结构的变化

磁性材料中磁畴的存在是材料技术磁化过程的物理基础。磁性材料的许多特性都与磁畴结构及其在外磁场作用下的运动变化有密切的关系。近年来发展的Fe-Ni系非晶合金具有许多优良的软磁特性。为了进一步改善这些非晶合金的低场磁特性,它们的磁畴结构已得到广泛的研究。我们用传统的粉纹技术,对淬态的Fe_(40)Ni_(40)Mo_4B_(16)非晶合金薄带自由表面上的     

高导磁非晶合金纤维的研制

在充分研究了现有制造非晶合金条带的工艺设备以及市场发展前景的基础上,改造了现有条带设备,成功地研制出高导磁非晶合金纤维.用熔融拉丝法(MeltExtraction)制成直径在10～100μm范围内的合金纤维,研究表明此种材料具有典型的非晶特性,优越的软磁特性,更具有体积小、隐蔽性强、成本低等特点,是一种值得推广、并具有广泛市场潜力的材料.     

磁光克尔效应及其测量

介绍了在磁光盘上进行热磁写入信息的原理、磁光克尔效应以及通过该效应读出信息的原理.对近期开发的磁光盘介质材料的性能进行了评论.重点介绍了磁光克尔转角的测量方法,分析了影响材料磁光克尔转角大小的因素.     

非晶态合金材料的巨磁阻抗效应及应用

非晶态合金材料是一种性能优良的新型软磁材料,其中包括非晶合金薄带、非晶合金粉末、非 晶态合金薄膜及非晶态合金丝。这类材料具有矫顽力、高磁导率、高频特性好等优良特性。特别是采用非晶晶化法制备的纳米软磁材料使非晶合金材料显示出了更为广阔的应用前景。 非晶态合金材料中的非晶态合金带及非晶态合金丝的应用范围较广,主要表现在以下几个方面:(1)大功率配电变压器、高频开关电源、电机、扼流圈、磁放大器;(2)各种电感元件、录音、录像磁头、漏电保护装置;(3)磁敏元件、磁传感器及力学量传感器等。     

保护层Ag对Ag/TbFeCo光学性质的影响

磁光记录介质非晶稀土-过渡金属合金TbFeCo薄膜覆盖Ag保护层可减小稀土元素的氧化且能增强其磁光克尔效应。利用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo／Si(100)磁光薄膜,利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,同时把Ag／Si、Ag／TbFeCo／Si和TbFeCo／Si的光谱进行了比较。实验结果与经典的Drude模型相一致,而且Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近Ag。不同厚度Ag/TbFeCo／Si薄膜其光学参数变化趋势相同,且随Ag厚度的增加变化幅度减小。     

不同衬底温度下Tb/Fe/Dy纳米多层膜超磁致伸缩性能研究

采用多靶磁控溅射仪在室温和衬底温度为300 ℃的条件下制备Tb/Fe/Dy纳米多层膜,研究其磁性能和超磁致伸缩性能.结果表明该纳米多层膜较TbDyFe单层膜有更明显的垂直磁各向异性和更大的矫顽力.尽管纳米多层膜样品具有垂直各向异性,但仍具有超磁致伸缩性能.特别是衬底温度为300 ℃的纳米多层膜样品,具有Laves相结构的TbDyFe纳米晶体析出,使得低磁场下磁致伸缩性能有了显著的提高.     

DyFeCo磁光薄膜的制备和特性研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而升高，到达最大值后又逐渐下降，矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大，到达最大值后，磁光克尔回线反向，然后矫顽力又逐渐减小。为了满足高信噪比，记录信息稳定的磁光记录要求，氩气压选为３．５—５．５Ｔｏｒｒ、溅射功率选为３００Ｗ—３５０Ｗ较佳。     

Structure, magnetic properties and giant magnetostriction studies in [Tb/Fe/Dy] n nano-multilayer film

[Tb/Fe/Dy]_n nano-multilayer films, with precise composition of Tb_0.27Dy_0.73Fe₂, were prepared by the multi-targets magnetron sputtering technique at room temperature (sample A) and 300℃ substrate temperature (sample B). Both of the nano-multilayer films show columnar structures perpendicular to the film plane according to the scanning electron microscopy results. The magnetic hysteresis loops and the giant magnetostriction (GMS) property of the two samples indicate the perpendicular anisotropy in them. In spite of the perpendicular anisotropy, both of the samples present GMS effect. In a very low applied field of 0.18 T, the GMS value in sample B is 89.3 ppm, which is about four times of that in sample A, 23.5 ppm. The good low-field GMS effect in sample B might attribute to the Laves phase of R-Fe₂ segregated from the amorphous matrix under the thermal annealing of the substrate. The relation between the magnetization process and GMS property of the perpendicular anisotropy nano-multilayer films is further investigated.     

用纵向磁光克尔效应观察Co/Cu/Co三层膜正交方向磁矩随磁场的翻转过程

运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7 nm)/Cu(2 nm)/Co(2.7 nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致.     

沉积条件对MOS2/Ti复合膜性能的影响

MoS2/Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加.FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)对膜表面形貌观察发现,MoS2/Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成,膜的致密性和膜中x(Ti)有关,x(Ti)越高,膜的致密性越好,从而膜的Hv也就越高.偏压Ub是影响膜性能的重要因素,随着Ub的增加,膜的Hv也增加,当Ub=-100 V时,膜的Hv达到峰值;进一步增加Ub,膜的Hv则下降.     

Thickness dependence of magnetic properties in DyFeCo films

Films of amorphous DyFeCo were deposited on glass substrates using RF sputtering deposition system. The thickness dependence of the coercivity of DyFeCo films prepared under the same sputtering conditions was investigated.It is found that the composition is nearly thickness independent, while the coercivity is shown to increase with the film thickness increasing at the beginning, then above a certain thickness decrease with the thickness increasing. The thickness dependence of the coercivity is believed to be due to microstructure-induced variations in the short-range order during the film growth.     

DyFeCo磁光薄膜的溅射工艺研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压、溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响．实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差．本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小．反射率随溅射功率增加而升高，到达最大值后又逐渐下降．矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大，到达最大值后，磁光克尔回线反向，然后矫顽力又逐渐减小     

Strain-induced modulation of magnetic anisotropy in Co/BaTiO_3 composite

A uniaxial magnetic anisotropy Co film was grown on a single-crystal Ba Ti O3（BTO） substrate. The strain yielded by the voltage-induced ferroelastic domain switching in the BTO substrate was recorded by atomic force microscope and modulated the magnetism of the Co film. The manipulation of the magnetism of the Co film is experimentally demonstrated by voltage dependence of magnetic hysteresis loops measured via magneto-optic Kerr effect.     

Ni／Cr多层膜的磁各向异性

利用振动样品磁强计和铁磁共振仪研究了Ｎｉ／Ｃｒ多摹 磁各向异性。     

[Ag／CoPt]n／Ag薄膜的结构和磁性

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[Ag／CoPt]n／Ag薄膜,并在600℃退火30min．结果表明,Ag掺杂厚度（x）对CoPt薄膜的结构和磁性影响很大．当Ag层厚度为0．5nm时,薄膜的垂直取向程度最高,其垂直矫顽力高达8．68×10^5A·m^-1而平行矫顽力仅为0．54×10^5A·m^-1．适当厚度的Ag不仅有利于薄膜的垂直取向,而且能降低晶粒间的交换耦合作用．