AlN和AlSiN薄膜的制备工艺及其光学特性

研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的ＡｌＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜。     

相变存储器单元皮秒测试信号完整性研究

针对相变存储器皮秒测试系统由于矩阵开关电路分布参数以及信号通道中阻抗突变所引起的反射,严重影响了皮秒脉冲信号的完整性,使施加在相变单元上的皮秒脉冲信号严重失真,为了消除失真,改善信号完整性,从2个方面提出了解决方案：一是采用性能优良的高频继电器构成矩阵开关;二是减小反射,采取了源端阻抗匹配、负载分支端阻抗补偿、菊花链双线拓扑结构等措施,使得反射的影响减小到最小.理论分析与仿真结果表明：皮秒脉冲信号波形质量良好,满足测试要求.本测试系统为研究皮秒编程脉冲作用下相变存储器的存储机理、速度、可靠性等提供了良好的平台,也可作为电阻式随机擦写存储器单元测试系统.     

掺入轻稀土元素对薄膜的磁光克尔效应的增强

从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克尔效应的增强机理；研究了轻稀土元素ＬＲＥ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ）掺入后（ＬＲＥ，ＨＲＥ）－ＴＭ薄膜的稀上成分比和溅射时基片负偏压对薄膜磁光克尔角的影响，研究结果表明，轻稀土元素的掺入能使ＨＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的磁光克尔效应得到明显的增强。     

磁控溅射薄膜的厚度均匀性理论研究

建立了一个磁控溅射模型，在几种特殊情况下，给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布，提出了制备大面积薄膜的条件．结果表明：计算机模拟的结果与实验结果和有关文献的结果一致．     

多层膜结构磁光盘的设计与制备

本文研究了多层夹心结构磁光盘的设计与制备工艺;利用以光学薄膜导纳特征矩阵为基础的优化计算技术,计算了限制反射率的四层夹心结构的磁光特性;使用射频溅射技术制备出“133mm PC基/AlN/TbFeCo/AlN/Al”高性能磁光盘.盘片的有效Kerr旋转角θ>1°,相应的反射率R>25%,品质因子F的实验值与优化计算值一致 .     

DyFeCo磁光薄膜的制备和特性研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响，实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减少，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差，本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而升高，到达最大值后又逐渐下降，矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大，到达最大值后，磁光克尔回线反向，然后矫顽力又逐渐减小。为了满足高信噪比，记录信息稳定的磁光记录要求，氩气压选为３．５—５．５Ｔｏｒｒ、溅射功率选为３００Ｗ—３５０Ｗ较佳。     

磁光盘抗恶劣环境实验研究

用射频溅射和反应射频溅射方法分别制备了ＲＥ－ＴＭ磁光记录薄膜及其保护膜，并从膜面测量和背面测量两侧面分别研究了覆盖保护膜前后的ＲＥ－ＴＭ磁光盘材料的抗恶劣环境实验。ＲＥ－ＴＭ磁光盘材料样品的高温高湿老化实验和温度稳定性实验结果证明，覆盖ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ保护膜的ＴｂＦｅＣｏ磁光薄膜具有优异的抗高温高湿能力和优越的温度稳定性，因而具有很强的抗恶劣环境能力，可作为宽温磁光盘材料。