MOSi_2生长动力学研究

用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10~(-4)～2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,烧结硅化物。观察到硅化物的形成温度为500℃。通过500,525,550℃等温退火,得到MoSi_2生长厚度与退火时间的平方根成正比的结论。说明MoSi_2生长过程受主扩散元Si通过MoSi_2生长层的扩散限制,生长动力学服从抛物线规律。从而得到表观激活能E_a=1.92eV。     

高真空技术在化学实验中的应用

通常把远比大气状态稀薄得多的空间叫做真空,具体指压力低于1.01×10~5Pa的气态空间也都称为真空。而真空度则以残留气体的绝对压力是多少Pa来表示。利用近代设备可以得到的真空可低达1.01×10~(-9)Pa,为获得高真空度,可采用称为分子抽气泵或扩散抽气泵设备来抽空。高真空是用根据稀薄气体的特殊性质而设计的专门的气体压力计来测量的。近几十年来真空技术发展迅速,它广泛应用于工业生产、教学实验和尖端科研中。就近的例子如我院精炼食用菜油科研中之真空快速过滤提纯、我省食品工业中的真空低温刺梨汁的纯化浓缩,以至广泛应用在尖端新型电光源工艺中之高真空(<1.3×10~(-3)～1.3×10~(-6)Pa)、热核控制中之超高真空(<1.3×10~(-6)～1.3×10~(-10)Pa)技术等等。在化     

反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究

本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。     

轴向场宽束离子源研究

我们研制了用于薄膜工艺的宽束离子源.该源能提供20～3000cV,束流强度最大达100mA 的宽离子束,可根据不同工艺要求,产生均匀束、会聚束及球状发散束等不同束形,并按不同的引出束能量,采用三栅、双栅或单栅引出系统.其最大气耗量为1.2Pa·m~3/s,放电室工作气压1.33×10~(-2)Pa(10~(-4)Torr 量级),可用 N_2、O_2、Ar 及 CH_4等工质工作.它已在离子束溅射镀膜、离子束直接淀积成膜及离子束辅助镀膜工艺得到了应用.证明其性能良好,稳定可靠.本文论述源的工作原理、结构、工作特性及多功能引出系统,并讨论了放电稳定性及薄膜工艺对离子源的要求.     

吸附伏安法测定食品中痕量钴

在pH9.7的0.1mol/L NH_3/NH_4Cl,1×10~(-3)mol/L FD底液中,Co(Ⅱ)—FD配合物于-1.06V产生一灵敏的吸附还原峰在适宜的条件下,搅拌吸附富集2分钟,Co(Ⅱ)的浓度在4×10~(-9)～1×10~(-7)mol/L范围内,峰高与浓度呈良好的线性关系。对Co(Ⅱ)—FD配合物吸附波的极谱行为作了初步研究。本法用于大米和白糖中痕量钴的测定,结果良好。     

衬底对直流磁控溅射制备TiO2薄膜结构和形貌的影响

在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。     

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.     

采用热壁外延技术在GaAs衬底上生长CdTe单晶薄膜

我们采用自行设计制造的热壁外延(HWE)装置在GaAs(100)衬底上生长了CdTe晶膜。分析测试表明,该膜为(100)单晶膜。HWE技术生长的CdTe/GaAs结构为外延生长HgCdTe提供了十分合适的衬底。 外延源是用99.999％的cd和Te,在10~(-4)Pa真空,800～1000℃温度下煅烧100h而获得的CdTe多晶。衬底采用(100)GaAs单晶片,解理成6×6 mm~2方块。清洁处理     

辉光放电无定形锗硅合金膜的红外吸收和氧的扩散

本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228—     

真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响。CoFe薄膜在优于5 5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上。随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理。靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松。电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距。     

CoSi_2合金的制备及其电化学性能研究

采用电弧熔炼法成功制备了CoSi_2合金,利用Rietveld结构精修法研究了该合金的晶体结构.精修结果表明CoSi_2晶体属于立方晶系,空间群Fm-3m,晶胞参数a=0.536 7nm.电化学容量和循环寿命测试发现COSi_2合金经过活化后其电化学容量最大达到176.4 mAh/g,循环稳定性较好.对CoSi_2合金电极的电化学反应机理进行了探讨.     

在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

利用质量分离低能离子束外延法,在Ｓｉ（１１１）上生长出了硅化钴薄膜,表面微结构及表面组分,化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析。     

CoSi2（001）表面的第一原理计算

基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2（001）面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛豫后的间距都变小,Si终止表面的表面四层间距弛豫量略大于Co终止表面。     

大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性

采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schottky结特性进行了研究。结果表明85 0℃退火 1m in后已形成 Co Si2 硅化物晶相 ,且结深易于控制。电流特性表明 p型衬底得到了较好的 Schottky结 ,势垒高度为 0 .4 8e V,理想因子为 1.0 9,而 n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大 ,需进一步改进工艺     

Hg3S2Cl2的合成和晶体结构

通过固相反应合成了一种新相的金属硫属化合物Hg3S2Cl2(1),并对该化合物进行了X-射线单晶结构表征。该化合物属于单斜晶系的C2/m空间群,晶胞参数如下:a=16.741(2),b=9.042(1),c=9.366(1),β=90.346(2)°,V=1417.6(3)3,Z=8,Cl2Hg3S2,Mr=736.79,Dc=6.904g/cm3,S=1.002,μ(MoKα)=66.036mm-1,F(000)=2448,R=0.0368,wR=0.0461。该化合物具有3维框架结构。     

TiH_2电子结构和导电性的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的全势全电子线性缀加平面波方法,对储氢材料TiH2的电子结构进行了理论分析.计算得到的能带结构和态密度表明该化合物具有金属性的特点,但是Ti—H键有明显的共价键特征.因此可以理解其导电性小于金属Ti,这与实验观测符合得很好.     

纳米级二氧化锆超细粉末表面结构的表征

应用深胶－凝胶法制备了钇稳定立方相二化锆超细粉。研究了其形态?比表面和表面微孔分布。结果表明：二氧化锆超细粉末呈球形或近似球形，表面存在大量孔径为４０Ａ左右的微孔。     

Frobenius群与2－Frobenius群的结构

证明了Ｆｒｏｔｂｅｎｉｕｓ群和２－Ｆｒｏｂｅｎｉｕｓ群的素图恰有两个素图分量，并得出了这两类群的一些结构。特别地，证明了２－Ｆｒｏｂｅｎｉｕｓ群可解。     

N-氧化吡啶-2-甲醛缩苯肼的晶体结构

在甲醇中通过N－氧化吡啶－2－甲醛与苯肼反应得Schiff碱N－氧化吡啶－2－甲醛缩苯肼，并用单晶X射线衍射测定其结构，Schiff碱分子式为C12H13N3O2，相对分子质量231．25，晶体属正交晶系，Pbca空间群，晶胞参数：a＝1．11327（16）nm，b＝0．81406（12）nm，c＝2．5782（4）nm，V＝2．335（6)nm^2，Z＝8，Dc＝1．315g.cm^-2，μ＝0．092mm^-1，F（000）＝976，结构偏离因子R1＝0．0389，wR2=0.1035,最佳吻合因子S＝0．661，化合物分子通过氢键（O（1）…O（1W）0．2719nm，O（1）…O（1Wa）0．275nm）形成一维链状结构。