GdP3 O9:Dy0.01的同步辐射真空紫外光谱研究

研究了YxGd1-xP3O9:Dy0.01(x=1,0.95,0.5,0)的真空紫外激发和发射光谱.直接观测到了Dy3 在真空紫外波段的5d→4f发射,发现随着Gd3 含量的增加,Dy3 的5d→4f发射迅速减弱,这表明Gd3 的存在分流了Dy3 5d HS激发态的能量.基于实验结果,提出了一个量子剪裁模型.     

GdP_3O_9:Dy_(0.01)的同步辐射真空紫外光谱研究

研究了YxGd1-xP3O9:Dy0.01(x=1,0.95,0.5,0)的真空紫外激发和发射光谱.直接观测到了Dy3 在真空紫外波段的5d→4f发射,发现随着Gd3 含量的增加,Dy3 的5d→4f发射迅速减弱,这表明Gd3 的存在分流了Dy3 5d HS激发态的能量.基于实验结果,提出了一个量子剪裁模型.     

一种新型发红光材料SrGdGa3O7:Eu3+及其性质研究

采用高温固相法合成了发红光的荧光粉SrGdGa3O7：Eu^3＋。漫反射光谱和激发光谱中Eu^3＋的电荷迁移带、Eu^3＋离子f→f跃迁以及Gd^3＋离子^8S7/2→^6I7/2。的跃迁相互吻合;监测Eu^3＋离子的特征发射,激发谱中有Gd^3＋离子的激发线表明存在Gd^3＋→Eu^3＋的能量传递。发射光谱中以^5D0→^7F2跃迁为主,表明Eu^3＋离子所占据的晶体学格位没有对称中心的cs格位。根据低温下的发射光谱计算了^7F1和^7F2能级完全解除简并后的每个分裂能级的位置。Eu^3＋的发射发生明显的温度猝灭现象,同时发射谱线的分辨率也逐渐降低。Eu^3＋离子的^5D0→^7F2跃迁在不同温度下的荧光衰减曲线相似;随着温度的升高,荧光发射强度衰减越快,但是仍然处于毫秒数量级;^5D0→^7F2跃迁是宇称和自旋禁阻的跃迁,所以荧光衰减时间比较长。     

Tm（0．1）Yb（5）：FOV纳米相氟氧化物玻璃陶瓷的紫外和可见上转换发光

研究了在975nm半导体激光激发下纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Tm（0．1）Yb（5）：FOV里Yb^3＋敏化Tm^3＋的紫外和可见上转换发光．发现了位于363．6nm的一条紫外上转换发光线,它是Tm^3＋离子的^1D2→^3H6的荧光跃迁．还发现了位于450．7nm,（477．0,462．5nm）,648．5nm,（680．5,699．5nm）和（777．2,800．7nm）的几条上转换发光线,它们是Tm^3＋离子的^1D2→^3F4,^1G4→^3H6,^1G4→^3F4,^3F3→^3H6和^3H4→^3H6的荧光跃迁．通过对上转换发光强度F随975nm抽运激光功率P改变详细地测量和分析证实了^1D2能级的上转换发光部分是五光子上转换发光,而^1G4能级和^3H4能级的上转换发光则是三光子和双光子上转换发光．初步的理论分析建议^1D2能级的上转换发光机理部分是Tm^3＋离子之间{^3H4（Tm^3＋）→^3F4（Tm^3＋）,^1G4（Tm^3＋）→^1D2（Tm^3＋）}和{^1G4（Tm^3＋）→^3F4（Tm^3＋）,^3H4（Tm^3＋）→^1D2（Tm^3＋）}的交叉能量传递,而^1G4能级和^3H4能级的上转换发光机理则是Yb^3＋离子到Tm^3＋离子的 {^2F5/2（Yb^3＋）→^2F7/2（Yb^3＋）,^3H4（Tm^3＋）→^1G4（Tm^3＋）→^1G4（Tm^3＋）}和{^2F5/2（Yb^3＋）,^3F4（Tm^3＋）→^3F2（Tm^3＋）}的相继的能量传递。     

Sr_2MgSi_2O_7/Eu_(0.01)~(2+),RE_(0.02)~(3+)长余辉发光材料的微波合成

首次应用微波法合成了系列蓝色长余辉发光材料Sr2MgSi2O7/Eu02.＋01,RE03.0＋2（RE^3＋=Dy^3＋,Ho^3＋,Ce^3＋,Er^3＋,Nd^3＋）,对材料进行了XRD,SEM、激发和发射光谱、余辉衰减曲线的测定.结果表明：激发峰是由250～450 nm的宽激发带组成,其中,掺杂Dy^3＋,Er^3＋,Nd^3＋荧光粉的激发光谱均为主激发峰位于310,356 nm处的宽带谱,掺杂Ce^3＋的激发光谱为主发射峰位于280,330,360 nm处的宽带光谱,掺杂Ho^3＋的激发光谱为主发射峰位于315,360,400 nm的宽带光谱;发射光谱为主发射峰位于465 nm处的宽带发射谱,该发光归属于Eu2＋的4f65d→4f7的允许电偶极宽带跃迁,并且随着Er^3＋,Dy^3＋,Nd^3＋,Ce^3＋,Ho^3＋的顺序发光强度逐渐降低.余辉衰减曲线显示初始发光亮度最高,余辉时间最长的是Sr2MgSi2O7/Eu02.0＋1,Nd03.0＋2.     

长余辉发光材料Zn_2SiO_4:Dy~(3+)的制备及发光性能

以Zn2SiO4为基质，用高温固相法（ss），sol-gel法（sg）制备得到Zn2SiO4：Dy^3＋长余辉发光材料，该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道．由该发光材料的激发谱发现，其在紫外的235-350nm范围有吸收，其发射光谱表明，在紫光（378nm，393nm）、橙光（595nm）、红光（691nm）部位有发射峰．通过对比掺杂与未掺杂样品发射光谱，说明样品发光是由基质Zn2SiO4产生的，Dy^3＋的掺杂只是使材料形成了陷阱能级进而发出长余辉，还阐述了Zn2SiO4：Dy^3＋的可能发光机理．     

三价铽离子掺杂食盐的光致发光特性

该文章采用水热法制备了NaCl：Tb3＋荧光材料。测量并分析材料在室温下的激发光谱及相应的发射光谱。结果表明材料通过监测545nm的激发峰是由Tb3＋离子的f→f跃迁和基质吸收引起的激发峰组成。材料在500nm-750nm范围内的发射光谱由Tb抖离子的。D4→7FJ（J=5，4，3，2，1，0）跃迁引起的发射峰组成。，     

关于不定方程x^3＋27=Dy^2

利用初等方法得出了：D=27t^2＋1（t≡0（mod2））为奇素数时,不定方程x^3＋27=Dy^2无正整数解;D=27t^2＋1（t≡4（mod8））为奇素数时,不定方程x^3-27=Dy^2无正整数解．     

分担全纯函数的亚纯函数的正规族

主要研究了亚纯函数分担全纯函数的正规族问题,证明了：如果扩是区域D上的亚纯函数族,且满足L[f]=a0f＇＋a1f（a0≠O）,a,b,c,d为D上的4个全纯函数。如果对任意的f∈￡只满足a（z）≠d（z）,b（z）＋a1（z）a（z）＋a0（z）a’（z）≠2c（z）,c（z）－a0（z）a’（z）一a1（z）a（z）≠0,f（z）=a（z）→L[f]（z）一b（z）且L[f]（z）=c（z）→f（z）=d（z）,则￡在D正规。     

微波法合成红色长余辉磷光粉CaWO4∶ Eu3+的研究

采用微波法合成了新型红色长余辉发光材料CaWO4：Eu^3＋，并表征了其结构以及激发、发射光谱和余辉衰减曲线．X-射线衍射分析证实其为单相的钨酸钙，用254nm紫外灯激发后，CaWO4：Eu^3＋产生红色长余辉发光，余辉发射归属于Eu^3＋的^5D0到^7FJ（J=0，1，2，3，4）的跃迁。     

平面型氙准分子灯特性及其在降解水相枣红中的应用

研究了平面型氙准分子灯的真空紫外(VUV)辐射特性,电源电压、频率和充气压强对辐射强度和效率均有影响.研究表明在正弦电压驱动下,充气压3×104Pa左右时有最佳辐射强度和效率.在本实验中用于水处理实验的氙准分子灯参数为电压4kV,频率20kHz,气压3.8×104Pa,对应的辐射功率为25.4mW(光子流量2.2×10-6einstein·min-1).选用偶氮类染料枣红作为被分解物质,发现氙准分子灯的172nm辐射能够有效地使枣红解离,解离反应呈准一级反应,解离速率为9.28×10-8mol·min-1,光量子产额4.2×10-2mol·einstein-1.有机物初始浓度、溶液pH值、光强等都会对解离率产生影响.在氙准分子灯和反应溶液不直接接触时,发现解离率和COD(化学需氧量)去除率并不一直随着光强增加而增大,而有一最佳值.     

同步辐射真空紫外球面闪耀光栅研究

采用全息－离子束刻蚀微细加工技术在石英基板上成功地刻蚀出了１２００线／ｍｍ、闪耀角５°１０’的锯齿槽形闪耀光栅．对全息光刻、显影等掩模制作工艺和离子束刻蚀参数的控制等进行了讨论，还给出了在同步辐射光化学光束线上的测试结果．     

基于同步辐射的紫外-真空紫外光谱辐射测量装置的研制

研究基于同步辐射的紫外-真空紫外光谱辐射测量装置. 通过切换前置镜位置来完成同步辐射光源和传递标准光源的测量. 讨论了辐射计偏振特性对测量结果的影响. 根据Schwinger提出的理论公式,利用同步辐射作为基准辐射源,在115～350nm的波长范围测量了作为传递标准的氘灯的光谱辐射亮度,测量不确定度为11%～14%.     

PDP荧光粉的优化研究

由于大屏幕显示器的迅猛发展，使等离子平板显示器（plasma display panel，PDP）受到了很大的关注．本文综述了PDP的关键材料之一——荧光粉的发展现状和近期的研究方向．针对PDP荧光粉发光效率低、色纯度较差、易产生劣化、使用寿命短等不足，介绍了当前的几种研究手段：改变荧光粉的煅烧条件、采用新型的制备手段合成荧光粉、寻找适用于真空紫外光激发的优良基质材料和对激活剂进行有效能量传递的稀土敏化剂、使用量子剪裁效应等，从而获得提高荧光粉发光效率的新途径．     

掺杂元素对BaAl12 O19:Mn2+荧光粉发光性能的影响

使用高温固相反应法合成了BaAl12O19:Mn2 荧光粉,研究了Mg,Sr,Eu掺杂元素对荧光粉发光性能的影响.研究结果表明:Mg,Sr的掺杂明显改善了荧光粉的结晶状况,有效地改善了其在VUV激发下的发光性能;随着Mg摩尔分数的增加,相对亮度先升高后降低,色品性能变优;随着Sr摩尔分数的增加,亮度呈先升高再降低的趋势,色坐标变化不大;Eu的掺杂对BaAl12O19:Mn2 荧光粉的发光性能起不利影响,使发光亮度降低、色坐标变差,且使抗热劣化性能明显下降.     

同步辐射球面闪耀光栅的研制

球面闪耀光栅是国家同步辐射实验室光化学光束线中 1米Ｓｅｙａ Ｎａｍｉｏｋａ单色仪中最重要的色散光学元件 .用于真空紫外波段同步辐射光束线中的球面闪耀光栅的特点是基坯体积大 (直径 6 3.5ｍｍ ,曲率半径 1 0 0 0ｍｍ ,厚 1 3.5ｍｍ) ,闪耀角小 ( 0 .3°～ 8°) .我们曾研制过表面镀铝的熔石英球面闪耀光栅 ,受检测手段的限制 ,最终的结果不太理想[1] .本文引入反应离子刻蚀进行光刻胶灰化处理新技术 ,成功地制作了每毫米 1 2 0 0线、闪耀波长为 1 30ｎｍ的锯齿槽形光栅 .这一闪耀光栅已达到实用水平并替代价格昂贵的进口光栅 .1　球…     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表     

Combustion study with synchrotron radiation singlephoton ionization technique

Here we report a combustion endstation at National Synchrotron Radiation Laboratory (NSRL) and some primary experimental results. Synchrotron radiation can provide the tunable vacuum ultraviolet (VUV) photon with the high intensity and the good collimation. VUV photoioni-ation is a single-photon ionization process. Combined with molecular-beam mass spectrometry (MBMS), the VUV single-photon ionization can be applied to detect the combustion products, especially the intermediates and free radicals produced from combustion process. This method is proved to be a powerful tool for combustion study, which could be helpful for developing combustion kinetic models and understanding the mechanism of combustion reactions.