显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

金属材料表面二次冶金对电击穿的影响

研究了合金真空击穿后,表面二次冶金过程及表面熔化层的显微组织对真空电击穿的影响．介绍了真空击穿的实验过程,测定了ＣｕＣｒ５０、真空Ｃｕ、４０Ｃｒ及ＣｒＣｕ５０中添加ＷＣ等合金的耐电压强度Ｅｂ,并对ＣｕＣｒ５０合金一次击穿和经１００次击穿后的表面组织进行了观察．研究结果表明：材料的首击穿具有选择性,电击穿老炼是电弧作用下表面发生二次冶金的过程,在ＣｕＣｒ合金中添加ＷＣ提高了Ｃｒ相的耐电压强度．     

真空触头成分及超微结构对其耐电压强度的影响

以普遍使用的Ｃｕ－Ｃｒ合金为基础,分析了影响真空触头材料耐电压强度的因素．通过分析真空触头材料击穿前后的成分与组织的变化,发现触头合金的成分和微观组织结构与其耐电压强度有着密切的关系．材料表面固溶体的形成有利于耐电压强度的提高;材料表面成分的均匀化也可以使材料具有更好的耐电压性能．     

CuCr50触头合金大电流分断相变层的显微组织控制

观察了真空灭弧室分断大电流后ＣｕＣｒ５０触头材料的表面熔化层的形貌和显微组织特点，建立了分断过程中触头表面温度场数值计算模型．结果表明：触头材料在分断大电流过程中表面形貌和显微组织发生了显著的变化；数值计算显示电流过零时刻触头表面仍保持较高的温度，此时的耐电压强度是能否成功分断的主要因素．由此提出了提高触头材料分断大电流能力的措施     

新型真空断路器触头材料Cu－Cr－C的研究

根据合金的微观结构设计思路，采用真空热碳还原法，用国产高氧Ｃｒ粉制备出低氧、优质ＣｕＣｒ真空断路器触头合金，解决了Ｃｒ粉国产化的问题，研究结果表明，加入１％～２％（质量）的Ｃ，大大改善了ＣｕＣｒ合金的抗熔焊性能而又不影响其耐电压强度和分断能力，解决了国内外长期未能解决的ＣｕＣｒ合金的抗熔焊问题．     

多次重燃过程中高频电弧持续时间的研究

利用在固定小开距真空灭弧室中产生高频放电的方法，对多次重燃过程中每次重燃的高频电弧现象进行了研究，实验发现：该高频放电的特征可用冷击穿电压和开距的关系及燃弧后真空间隙热而耐压水平和开距的关系进行描述，测量结果表明，用ＣｕＣｒ触头材料制成的真空灭弧室具有较高的冷击穿强度，是ＡｇＷＣ的３倍，根据能量关系建立了每次重燃时高频电弧持续时间的计算模型，并用该模型对试验电路进行了计算。     

快速凝固Cu-Cr合金导电性分析

分析了快速凝固与常规固溶处理后，Ｃｕ－０．８Ｃｒ合金导电性的差异及时效处理对合金导电性的影响。结果表明：快速凝固合金中过饱和的Ｃｒ原子是造成电阻率高的主要原因，晶体缺陷对电阻率的影响很小。时效过程中导电率的恢复是由Ｃｒ原子的析出并产生较大间距的Ｃｒ相所致。     

CuCr真空触头材料的抗熔焊性能研究

测定了不同ＣｕＣｒ触头合金的基体强度和熔焊焊缝强度，通过扫描电子显微镜观察了其断口形貌，从而分析ＣｕＣｒ合金中脆性碳化物相对其抗熔焊性能的影响，讨论了碳化物相引入后ＣｕＣｒ合金的抗熔焊机理，同时还讨论了碳化物相对ＣｕＣｒ合金耐电压强度的影响。     

新型真空断路器触头材料Cu—Cr—C的研究

根据合金的微观结构设计思路，采用真空热碳还原法，用国产高氧Ｃｒ粉制备出低氧，优质ＣｕＣｒ真空断路器触头合金，解决了Ｃｒ粉国产化的问题，研究结果表明，加入１％－２％（质量）的Ｃ，大大改善了ＣｕＣｒ合金的抗熔焊性能而又不影响其耐电压强度和分断能力，解决了国内我期未能解决的ＣｕＣｒ合金的抗熔焊问题。     

农用光转换材料结构的剖析

用高温固相反应制备ＣａＳ：Ｃｕ,Ｅｕ农用光转换材料,运用ＸＲＤ和透射光谱技术对材料的微晶结构进行研究,获得ＣａＳ：Ｃｕ,Ｅｕ荧光材料构态与光转换效率关系的信息,为光转换材料及其相应的光转换农膜的迅速发展提供依据。