用湿化学法制备电子材料用ZnO粉未

本文研究用湿化学法－ＮＨ３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料。用Ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度，球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析，ＢＥＴ分析，粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态。压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。     

Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析．结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀致密的薄膜．在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．其荧光寿命从常规粉末材料的的ｍｓ量级缩短至ｎｓ量级     

ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑制晶粒的生长，并使压敏场强Ｅ和非线性系数α值增加。Ｃｏ和Ｍｎ的添加使界面态密度增加，引起势垒升高，使非线性特性显著提高。     

化学气相法制备纳米级氮化铁超细粉末

采用化学气相法制备了纳米级氮化铁超细粉末，利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和ＶＳＭ测试了粉末的基本物性，初步表征了粉末的物相、形貌、粒度、成分及相应的磁性．实验结果表明，化学气相法可以制备出均匀、链状、超细的氮化铁粉末，并且该粉末的磁性指标优于γ－Ｆｅ２Ｏ３和田中隆夫的同类研究结果．     

用激光化学反应制备非晶态TiO2及其性质初探

用ＴＥＡ ＣＯ２中激光聚焦辐照ＴｉＣｌ４＋Ｏ２体系，制得了非晶态ＴｉＯ２粉末。对粉末作了ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＴＧＡ，ＤＴＡ和ＴＥＭ分析。并研究了制得非晶态ＴｉＯ２的微观过程，讨论了它的一些特殊性质。     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。     

正己烷在ZnO／HZSM－5上的催化活性和脉冲反应动力学研究

用浸渍法制得系列ＺｎＯ／ＨＺＳＭ－５催化剂，ＸＲＤ结果表明，当ＺｎＯ含量低于５％时，ＺｎＯ以非晶相表面层形态存在于ＨＺＳＭ－５表面，含量超过１０％时，有ＺｎＯ晶相生成．用脉冲微反技术测定了正己烷在ＺｎＯ／ＨＺＳＭ－５上的催化活性，并且测得不同温度下正己烷在ＺｎＯ（１％）／ＨＺＳＭ－５上的表观速率常数，自表观活化能和色谱法测得的吸附热，求得表面反应活化能为１５０．７ｋＪ／ｍｏｌ．     

甲醇催化脱氢新型催化剂的研究

研究甲醇催化脱氢ＺｎＯ／ＳｉＯ＿２催化剂及其添加剂的助催效应，并用ＥＤＡＸ和ＴＰＤ─ＭＳ法表征催化剂表面性质．结果表明：添加剂对甲醛产率的影响次序为Ｎｉ＞＞Ｍｇ＞Ｌｉ；不同制备方法改变表面Ｚｎ：Ｓｉ比．根据热力学平衡和主付反应产物的分布讨论了反应推理．     

ZnO压敏材料研究进展

氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.     

采用聚氨酯模板法制备花形纳米氧化锌

以乙酸锌(Zn(CH3COO)2)为锌源,尿素(CO(NH2)2)为碱源,非离子型聚氨酯(PU)为模板,采用水热法制备碱式碳酸锌(Zn5(CO3)2(OH)6)前驱体.在400 ℃进一步煅烧前驱体2 h,即获得氧化锌粉末.用粉末X射线衍射和扫描电镜研究产物的形貌和结构.结果表明:以PU为模板制备的氧化锌可以获得由纳米片状结构组成的花状形貌,PU的加入可以有效减小氧化锌的晶粒尺寸.进一步研究反应物的组成、反应温度及反应时间对产物结构的影响,发现当体系中碱源(OH-)和锌源(Zn2+)的摩尔比为4,水热反应时间为18 h,反应温度为150 ℃时,前驱体可以获得最完整的花状形貌,并且煅烧后氧化锌的花形形貌不变.     

Bi8V2O17颜料的制备及其基本特征

用粉末煅烧法和水悬浮液法研制了Bi8V2O17颜料．利用差热分析法确定制备工艺参数．产物用X射线衍射、扫描电镜(SEM)和激光粒度测试法进行物相鉴定、微观形貌观察和粒径测定．结合两种制备过程进行了颜料合成的异同比较及机制探讨．     

用沉降法测定白土粒度和粒度分布

粒度和粒度分布对白土的质量有很大的影响。本文用沉降天平测定白土的粒度和粒度分布,并用TI-58C可编程序计算器进行曲线拟合,得出数学表达式。运算速度快,误差小。     

人工神经网络在ZnO压敏陶瓷材料研究中的应用

本文将人工神经网络应用于ＺｎＯ压敏陶瓷电性能参数的预测。结果表明ＢＰ网络运用于处理象ＺｎＯ压敏陶瓷材料预测这类从配方工艺到性能能数的非线性问题，该方法可望成为电子陶瓷材料研究的有效的辅助手段。     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

ZnO压敏电阻的残压特征

本文根据ZnO压敏电阻器的导电模型探讨了晶粒尺寸、形状、晶界结构等因素对ZnO压敏电阻大电流特性的影响;讨论了影响ZnO压敏电阻器残压特性的主要因素及机理,从而获得了改善其残压特性的有效方法.     

Bi2O3对ZnO基压敏陶瓷性能影响的研究

利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料，详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因，用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压，压比和漏流，并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析，测试结果表明：在适合掺杂范围内，Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高，且漏流IL随掺杂量的增加减小，超出这一范围后，样品的电学性能将会恶化，物相分析表明在添加Bi2O3，Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中，存在ZnO相，Bi2O3相，Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。     

低品位氧化锌矿湿法浸取制备纳米氧化锌

以低品位氧化锌矿为原料,通过酸浸、净化除杂得到纯净的硫酸锌溶液.以碳酸氢铵为沉淀剂,采用直接沉淀法制备纳米氧化锌粉体.考察了碳酸氢铵和硫酸锌的物质的量之比、反应温度、反应时间、前驱体碱式碳酸锌的热分解温度及时间对纳米氧化锌粒径大小及锌沉淀率或产品纯度的影响.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等对产品的粒径及晶型结构进行检测.结果表明,所得产品为六方晶系氧化锌,形貌为球状,平均粒径为40 nm,ZnO质量分数达到97.5%.所设计工艺可得到技术指标达到GB/T 19589-2004 国家标准中纳米氧化锌粉体要求,且操作简便易行,易于工业化生产.     

氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系

采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强与Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿中场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律，利用光学显微方法，观测试样微观结构并用ＺｎＯ晶粒工度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性，研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶料尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比，建立了宏观电性能与微观