气相沉积TiN技术在模具表面强化中的应用研究

介绍了在模具表面上气相沉积TiN涂层常用的几种方法,分析了各种工艺的特点、关键技术参数及其应用对象,指出了模具表面气相沉积TiN技术的发展方向。     

化学气相沉积TiN提高模具使用寿命的新途径

化学气相沉积法(简称CVD法)。对沉积TiN而言,就是在模具表面上进行化学反应而制得耐磨涂层TiN。     

用TiCl_3低温化学气相沉积TiN的实验研究

运用热力学对用ＴｉＣｌ３为钛源在低温下化学气相沉积ＴｉＮ的可行性进行了论证，着重介绍了实验研究及实验结果。在所设计的ＴｉＣｌ３生成以及ＴｉＮ形成的实验装置上，通过对ＨＣｌ（ｇ）与ＮＨ３的流量和沉积总压强的调节与控制，在较低的温度（５５０℃）下，在钢基材料上获得了ＴｉＮ表面涂层。此研究旨在推动钢制工模具低温化学气相沉积ＴｉＮ涂层的应用     

模具表面强化处理技术

模具热处理不当是造成模具失效的重要原因之一,本文研究了目前模具表面强化处理的一些新工艺,分析了低温化学热处理、气相沉积、激光热处理以及稀土元素表面强化等新工艺的模具表面强化特点,为使用表面强化技术提高模具使用寿命提供参考。     

等离子化学气相沉积硬膜技术研究

用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）技术制备了ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｔｉ（ＣＮ）和（ＴｉＳｉ）Ｎ膜及其组合的多层膜。ＰＣＶＤ具有很好的覆盖性，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有很好的耐磨、蚀性，膜与基体结合良好，因而用ＰＣＶＤ法在高速钢刀具、模具及轴承上沉积ＴｉＮ可大大提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－ＴｉＮ和Ｔｉ（ＣＮ）膜无明显柱状晶，其显微硬度高于ＴｉＮ亦可用于高速钢刀具、模具上提高其使用寿命。ＰＣＶＤ－（ＴｉＳｉ）Ｎ，晶     

切削刀具多弧离子镀膜的应用研究

多弧离子镀膜是PVD(Physical Vapor Deposition物理气相沉积)技术中硬质耐磨镀层的主要方法之一,在刀具、模具上应用较多,也是近年来刀具表面强化的主要研究方向.文章研究了多弧离子镀膜技术在高速钢立铣刀表面涂镀纳米复合膜TiN/AlSiN,使其使用寿命得到提高.     

化学气相沉积耐磨涂层TiN的温度选择

化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3～10μm可使模具寿命提高3～4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950～1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv(1)≈20000N/mm~2,基体尺寸变化在万分之五以内。     

高质量CVD金刚石薄膜涂层拉拔模的制备与应用研究

介绍化学气相法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备CVD金刚石薄膜涂层拉丝模方法,并在线材的拉拔生产过程中对其性能进行了应用研究.首先,采用热丝化学气相沉积法(Hot Filament Chernical Vapor Deposition,HFCVD)在硬质合金拉丝模的内表面(内孔直径为(φ)3.8mm)沉积了高质量的CVD金刚石薄膜.并采用扫描电镜、拉曼光谱对沉积在模具内孔表面的CVD金刚石薄膜的表面形貌、薄膜质量进行了检测和评估.在实际拉拔生产线上对制备的CVD金刚石薄膜涂层拉拔模具进行了应用试验.结果表明,金刚石薄膜涂层拉丝模的工作寿命比传统硬质合金模具提高了8～10倍,并且拉制的线材具有更好的表面质量.     

CVD技术在模具上的应用

化学气相沉积(CVD)涂层TiN、Ti(C,N)是提高模具使用寿命的有效途径。本文总结了涂层模具的使用情况,分析了寿命提高的原因。     

推广之窗

机械类新型脉冲直流PCVD模具表面强化设备与成套技术编号：T２０１１１３该项目将脉冲直流辉光放电引入化学气相沉积过程中，显著降低了沉积温度，并对复杂形状模具表面强化有独特效果。该设备有效容积Φ４５０mm×Φ６５０mm，承载能力５００kg；真空炉体选用钟罩式结构，气密性好，真空极限１Pa；炉体内安装内热式加热系统，比外热式设备显著提高了热效率及加热速率。采用逆变式脉冲直流等离子电源，在较宽的范围内可实现稳定的气体放电，可施加一定的负脉冲，有利于制备导电性不良的镀层。流量控制系统采用了５路质量流量计，并采用Ti…     

管型材料离子注入内表面改性研究进展

利用在管材中心引入同轴接地电极并在金属管材上加脉冲负偏压以产生径向离子加速电场,实现了金属管材内表面离子注入。目前国内外还有其它一些技术手段实现材料内表面改性,如脉冲放电爆炸金属箔注入、离子束溅射沉积、等离子体化学气相沉积法等。这些实验方法所遇到的主要问题是离子注入沿轴向不均匀、膜与基底结合不牢。在原实验方法基础上,又提出了一种新的方法——栅极增强等离子体源离子注入法。实验结果表明：此方法不但可以大大提高离子注入沿轴向的均匀性,而且可以实现气体离子和金属离子两种离子的共同注入。     

无氢化学气相沉积碳化钛

本文介绍了一种新的化学气相沉积碳化钛方法。用此法对几种常用的工具材料进行了沉积处理,并用金相观察、X射线结构分析、X射线光谱显微分析等手段测定了碳化钛沉积层的组织、结构和性能。应用此法于模具和某些易磨损机件上可较大地提高机件的使用寿命,且方法本身安全、经济,在一般的热处理设备条件下即能进行。     

低碳经济下钕铁硼永磁体防护新技术

发展低碳经济是当今世界经济发展的潮流,是人类可持续发展的必然选择。针对NdFeB永磁体各种防护保护技术的特点,概述了钕铁硼永磁体表面防护处理常见方法———电镀,存在的环保和污染问题。论述了气相沉积技术原理、特点以及在钕铁硼永磁体表面防护处理上的应用。提出了气相沉积金属镀层需要解决的主要问题,而高效、清洁、环保的气相沉积技术是今后钕铁硼永磁体防护热点方向之一。     

激光化学汽相沉积球面微透镜的研究

本文了一种新颖的利用激光化学汽相沉积球面微透镜的技术。我们建立了一套ＬＣＶＤ的实验装置，用该装置在平面石英玻璃衬底上，成功地沉积生成了平凸型氮化硅球面微透镜。同时，还对学积成的微透镜的参量进行了测试。在实验中还探索了ＬＣＶＤ的沉积工艺。实验结果表明，通过控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的聚焦激光光斑尺寸，选择沉积时间，可以获得不同直径、透明、表面光滑的平凸型氮化硅球面微透镜。     

Synthesis of graphene on a Ni film by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition

Large-area single-or multilayer graphene of high quality is synthesized on Ni films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) at a relatively low temperature (650℃).In the deposition process,a trace amount of CH4 gas (2-8 sccm (sccm denotes standard cubic centimeter per minute at STP)) is introduced into the PECVD chamber and only a short deposition time (30-60 s) is used.Single-or multilayer graphene is obtained because carbon atoms from the discharging CH4 diffuse into the Ni film and then segregate out at its surface.The layer number of the obtained graphene increases when the deposition time or CH4 gas flow rate is increased.This investigation shows that PECVD is a simple,low-cost,and effective technique to synthesize large-area single-or multilayer graphene,which has potential for application as electronic devices.     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

Roughening surface morphology on free-standing GaN membrane with laser lift-off technique

An ultraviolet (UV) laser lift-off (LLO) technique was presented to form a roughened surface morphol-ogy on GaN membrane grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The etched sur-face showed cone-like structures on a free-standing GaN membrane. Based on the scanning electron microscopy (SEM) and atom force microscopy (AFM) measurements, the etching mechanism was proposed, which was related to the different decomposition depth caused by the dislocations in the GaN membrane. The etching efficiency and morphology of GaN by the LLO technique and the photo-electrochemical (PEC) wet etching technique was compared and analyzed. This roughed cone-like surface morphology by LLO can enhance the external efficiency of vertical structure n-side-up GaN-based light-emitting diodes (LEDs) simultaneously while being released of the performance con-strains impeded by sapphire.     

HT1低合金刀具材料及表面强化涂层特性研究

化纤生产的刀具既是关键零件又是易耗件。随着被加工材料的升级,对制作刀具材料提出更高的性能要求。为适应全球绿色环保的发展趋势,节约W、Mo等贵重合金元素,通过对低合金HT1刀具材料的研究,强化刀具材料冲击韧性,利用物理气相沉积方法强化材料表面硬度与耐磨性能,拓展低合金钢材料的应用范围。