电聚吡咯固定化酪氨酶电极的制备及性能

用恒电位法在电化学聚合吡咯的同时,将酪氨酸酶固定在导电聚吡咯膜内,制成一种灵敏、稳定的酪氨酸酶电极。讨论了溶液ｐＨ值和聚合电位对本科固定化的影响,对酶分子嵌入前后吡咯膜的ＳＥＭ图和ＣＶ曲线进行了分析和比较。该电极响应对甲苯酚的线性范围为５．０×１０＾－８～１．０×１０＾－６ｍｏｌ·Ｌ＾－１,最适ｐＨ值为６．６,酶反应表现上遵循Ｍｉｃｈａｅｌｉｓ－Ｍｅｎｔｅ动力学,表观米氏常数为２．２×１０＾－５ｍ     

PtCl4^2—／PtCl6^2—体系电子自交换速率常数的测定

本文研究了籍静电引力接着ＰｔＣｌ４＾２－／ＰｔＣｌ６＾２－的ＰＶＰ修饰电极，采用动电势扫描法、旋转圆盘电极法和电位阶跃法等测定了不同Ｈ２ＰｔＣｌ６溶液浓度、ＰＶＰ膜厚度和支持电解质条件下ＰｔＣｌ４＾２－／ＰｔＣｌ６＾２－体系的Ｋｅｘ值。     

组合式微型三电极体系的制作及应用

以碳纤维束为工作电极,铂丝为辅助电极,银丝作为参比电极,制作组合式微型三电极体系和微型电解池,并应用于测定微升级试液,采用线性扫描溶出伏安法测定血清及汗液中的铜,其电积电压为－０．５Ｖ,电积时间２ｍｉｎ,扫描电位０．０－０．５Ｖ,扫描速度２００ｍＶ．Ｓ＾－１,工作底液为０．１０ｍｏｌ．Ｌ＾－１的ＨＣｌ溶液。铜的溶出峰电流ｉｐ与铜离子的浓度Ｃ在０．０５－１．５０ｇ．Ｌ＾－１范围内呈良好的线性关系,线     

亚硝基聚吡咯修饰离子选择电极的制备及电化学性能

用循环伏安法制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择电极。表征电极的电化学性能。在１．０＊１０＾－１－５．０＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内，电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好从而验证了电极响应是基于要机理。     

邻菲罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴

制备了邻菲罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的ＨＡｃ－ＮａＡｃ体系中,Ｃｏ（Ⅱ）离子经化学富集在电极一须上形成三元络合物,采用２．５次微分伏安法测定痕量Ｃｏ（Ⅱ）离子,Ｃｏ（Ⅱ）浓度在８．０×１０＾－９～７．０×１０＾－７ｍｏｌ．Ｌ＾－１范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达１．２×１０＾－９ｍｏｌ．Ｌ＾－１电极用于水样中钴的测定,结果令人满意。     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

某些添加剂对Ti／PbO2电极上ClO4^—离子阳极形成过程的影响

本用分解极化曲线法研究了某些添加剂对Ｔｉ／ＰｂＯ２电极上ＣｌＯ４＾－离子阳极形成过程的影响，研究结果表明，Ｆ＾－，ＣｌＯ４＾－，ＢｒＯ３＾－，Ｂ４Ｏ７＾２－，Ｂａ＾２＋等离子均使ＣｌＯ４＾－的阳极形成电流效率提高，而Ｃｒ２Ｏ７＾２－，Ｓ２Ｏ８＾２－，ＳＯ４＾２－，ＭｏＯ４＾２－，ＩＯ４６－，Ｐ２Ｏ７＾４－，Ｆｅ（ＣＮ）６＾４－，Ｃａ＾２＋和Ｍｇ＾２＋等离子均使电流效率降低，根据假设的机理讨论了使     

次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究

研究了次黄嘌呤在铜电极上的电化学行为。实验发现,以１．９６×１０＾－３￣４×１０＾－４ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＮａＯＨ作支持电解质时,在－０．２５￣－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰,它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＾＋络合物的溶出伏安峰,在选择的实验条件下,峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０＾－６￣２×１０＾－３ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内呈良好的线性关系,最低检测限为５．６×１０＾－８ｍｏｌ·Ｌ＾－     

含钨的多元复合析氢电极

用复合镀法制得Ｎｉ－Ｗ－ＷＣ－ＷＯ３复合电极，在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中的氢超电势比软钢降低２８０ｍＶ，ｉ０提高三个数量级，电极表面粗糙度为Ｎｉ电极的三倍。在３００ｍＡ／ｃｍ＾２的大电流密度下，进行的长期恒电流电解试验表明电极性能稳定。ＸＰＳ分析证明电极表面主要成分为Ｎｉ，Ｗ，ＷＣ，ＷＯ３等。     

用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面…

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图。研究腐蚀发生，发展过程。实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘。涂层一旦破裂，在Ｃｌ＾－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＬ＾－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐步受抑制几种温敏二极管而在ＣＯ＾２－３介质中腐蚀不发生。     

辉光功率对硅薄膜太阳能电池串联电阻的影响

采用RF—PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池,得到本征层的辉光功率分别是4W,7．2W,9W,20W,40W。用磁控溅射在P层表面蒸镀ITO透明电极,用太阳能模拟器做光源,测试了电池的串联电阻等性能参数。结果表明本征层辉光功率对电池串联电阻的影响显著。在相同条件下制备了本征单层膜系列样品并进行表征。通过对薄膜性质的分析,运用三相混合模型和渗流理论解释了串联电阻随本征层辉光功率变化的原因。     

CdSe膜电极在Na2SO3溶液中的电化学调制光谱

本采用本实验室研制的T-1 EMS电化学调制光谱仪研究了电沉积CdSe电极在1mol／L Na2SO3溶液中的电化学调制光谱(EMRS)特性．实验结果表明，CdSe电极在Na2SO3溶液中的EMRS具有典型的Franz—Keldysh振荡峰．根据Aspnes提出的弱电场三阶微商电解液电反射理论，对CdSe电极的EMRS进行了定量分析，计算出了CdSe电极的禁带宽度和展宽系数等相关参数．结合EMRS随直流偏置电位的变化，快速、准确地确定出CdSe电极在NaSO3溶液体系中的平带电位值．这些参数为研究CdSe电极的半导体性质和界面结构提供了重要信息．     

PbTiO3薄膜的热释电性和铁电性研究

采用Sol—Gel工艺制备了较大面积不裂的PbTiO_3薄膜,对样品做了不同烧结温度下的X射线衍射实验,经550℃保温30min的样品已形成了单一晶相的PbTiO_3多晶膜。对样品的热释电系数随温度、薄膜厚度和胶液浓度的变化关系研究,发现热释电系数随胶液浓度和薄膜厚度的增加而增大,最后达到饱和。样品的室温热释电系数为3.6×10~(-8)C/cm~2·K,介电常数为15～26,介电损耗为0.001—0.05,居里温度为515℃,自发极化强度和剩余极化强度分别为6.54μc/cm~2和3.37μc/cm~2,矫顽场强为54.8kV/cm。     

纯相SnO2纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究

采用一步电沉积在氧化铟锡（ITO）导电玻璃基底上制备纯相SnO₂纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO₃浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明：当沉积电位为-0.9 V（vs.SCE）,镀液温度为65℃,HNO₃浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO₂纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10^-3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×10²⁰ cm^-3,载流子迁移率为14.8 cm²/（V·s）。故所制备的SnO₂纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料。     

电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布

利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13．56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压 85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布．通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围．     

黄铜矿结构CuInS2陶瓷和薄膜的制备及性能研究

采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现P型导电且导电性能良好．此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜．XRD分析表明薄膜具有良好的沿（112）方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1．4eV．     

DMSO中Y—Co合金膜的电化学制备

稀土合金作为功能材料，广泛地应用在磁、光、核及超导材料领域．目前一般采用高温或低温熔盐电解及真空镀的方法来制备稀土及其合金材料．如果能在室温下通过电沉积的方法制备稀土合金，则便于控制合金组成，可大大提高它的功效和扩大应用领域．但是，氢的析出使稀土很难...     

高纯铝的电化学抛光工艺研究

本文研究了高氯酸/乙醇抛光液体系在15V安全电压下高纯铝的抛光工艺以及抛光过程的电流密度,并对＂暗色膜＂现象进行了解释,对抛光电极间距、操作温度对抛光效果的影响进行探讨,得出最佳抛光工艺：电极间距7～8cm,操作温度10～15℃,电流密度0.7～0.8A/m~2,抛光时间3min。     

新型铝电解电容器中导电聚吡咯对电极的形成

研究了在铝电解电容器介质表面形成导电聚吡咯膜作为电容器对电极的方法。导电聚吡咯的沉积分为两个步骤。首先用化学聚合方法在介质膜上形成一薄层导电聚吡咯大此基础上再进行电化学聚合。实验分析了聚合条件对聚吡咯电导率的影响。制备出电导率力１０Ｓ／ｃｍ的聚吡咯膜和以此为对电极的新型固体铝电解电容器。     

基体偏压对磁控溅射TiAlN薄膜性能的影响

采用中频孪生磁控溅射技术,以Q235碳钢为基体,通过调整薄膜沉积过程中基体负偏压大小,制备TiAlN薄膜.采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,采用动电位极化试验研究薄膜的电化学腐蚀行为,用台阶仪和显微硬度计测量薄膜的厚度和硬度,用X-射线光电子能谱仪测试薄膜的组织成分.结果表明,TiAlN薄膜表面平整,粗糙度低.随偏压的增大,膜厚、显微硬度和耐腐蚀性都呈现也先增大,后减小的趋势.当负偏压增大到60 V时,薄膜的腐蚀电位和腐蚀电流密度分别为-256.2 mV和7.81×10-6A/cm2,抗腐蚀能力最强.X射线光电子能谱(XPS)检测结果表明,随负偏压幅的增大,Al/Ti原子比降低.