离子源辅助法制备T iN及等离子体特性研究

采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响.结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.     

东濮地区中奥陶统层序格架及沉积演化

以层序地层学和沉积岩石学为指导,深入分析东濮地区野外、岩心、薄片和测录井等地质、地球化学和地球物理资料,恢复古气候及古海平面,结合区域地质背景,识别层序界面,建立了中奥陶统层序地层格架并阐述格架内沉积演化特征。结果表明,中奥陶统为一个二级层序（SSQ1）,包含三个三级层序（SQ1、SQ2、SQ3）。SQ1为下马家沟组-上马家沟组下段,底为怀远运动不整合面,顶为岩性转换型界面（SB1）;SQ2为上马家沟组上段-峰峰组下段,顶为暴露型界面（SB2）;SQ3为峰峰组上段,顶为造山侵蚀型界面（SB3）。SQ1海侵体系域为局限台地向开阔台地过渡,发育开阔海、膏云坪和颗粒滩微相;高位体系域整体发育局限台地云坪、膏云坪和云灰坪,局部地区发育灰坪和颗粒滩;SQ2海侵体系域以开阔台地为主,发育开阔海微相,局部高地发育膏云坪、云坪和云灰坪,高位体系域为局限台地,整体发育云灰坪,局部发育膏云坪、灰云坪和颗粒滩微相;SQ3受风化剥蚀严重,仅能恢复海侵体系域早期沉积,以开阔台地为主     

直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究

采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜，并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱，结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si—N键，而且由于杂质氢的存在而含有Si—H键和N—H键．用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数，得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律，弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域，分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义。     

等离子体辅助电子枪蒸发制备A lN薄膜及等离子体参数诊断

采用射频TCP(Transverse coup led p lasm a)等离子体辅助电子枪蒸发技术首次在室温下制备了氮化铝薄膜,用傅立叶变换红外光谱仪分析了氮化铝薄膜红外光谱的特性.利用朗缪尔静电单探针诊断了射频TCP离子束辅助电子枪蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度的空间分布规律,并分析了气压对等离子体分布的影响.离子源口等离子体密度较大,但分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小,分布趋向于均匀.     

电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布

利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13．56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压 85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布．通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围．