用双脉冲测量铁电薄膜的开关特征与电滞回线

分析测量了铁电薄膜的开关特性，介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器－双极性双脉冲发生器，以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电回线的原理，这种电滞回线比用常规测量方式所的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性，同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程。     

利用脉冲激光剥蚀技术制备PZT铁电薄膜

利用脉冲激光剥蚀技术在抛光的硅片上制备出了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜．经过淀积后的激光退火工艺，大大改善了这种膜的铁电性．研究了影响薄膜性能的多种因素，利用Ｘ射线衍射，分析了薄膜的结构．测量了薄膜的居里温度和电滞回线     

半导体薄膜光电催化降解工业废水

文章主要探讨了利用TiO2薄膜作为电极光电催化降解废水的特性以及影响光电催化性能的因素，目的是要利用此方法将废水转化为无害或毒害较轻的物质。     

铁电薄膜C-V特性测量研究

采用TH2828型LCR测试仪及四端对接测量方法,搭建了铁电薄膜的介电特性测试平台.利用此测试平台对自制钛酸锶钡(简称BST)铁电薄膜材料的C-V特性进行测量,能准确表征铁电薄膜的介电特性.     

用双脉冲测量铁电薄膜的开关特性与电滞回线

分析测量了铁电薄膜的开关特性.介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器——双极性双脉冲发生器,以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电滞回线的原理.这种电滞回线比用常规测量方式所测出的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性,同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程.     

铁电薄膜BIT／PLZT／BIT存储器特性的测试

讨论了铁电薄膜记忆特性的检测方法，研制了专用的测试仪器，并利用它测试了Ａｕ／ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｎ－Ｓｉ铁电薄膜的记忆性能。发现其具有二极管特性且２个读信号对应的检测电流幅度有明显的区别。     

钙钛矿型铁电薄膜结构及性能的应变调控

铁电薄膜具有铁电、压电、热释电、光伏效应等多种特性,在换能器、驱动器、传感器、能量收集器、太阳能电池等功能器件中具有广阔的应用前景.铁电薄膜沉积在衬底上,其性能与衬底的约束引起的应变密切相关.如何利用衬底调控铁电薄膜的应变,进而调控其极化状态,是显著提高其性能的关键.综述了近年来利用应变工程调控铁电薄膜性能的研究进展及需要解决的问题.     

采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能

研究了采用金属有机化合物热分解（ＭＯＤ）法制备锆钛酸铅Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电薄膜的工艺及ＰＺＴ薄膜的介电性能,利用ＸＲＤ分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜,铂电极有利于钙钛矿相的形成,薄膜的介电温谱研究结果表明,薄膜的居里温度约为４３０℃（１ＫＨｚ）。     

氧化镍薄膜结构与电致变色性能的热处理效应

用电子束蒸发NIO粉末的方法在ITO导电玻璃上制备电变色氧化镍薄膜，并将薄膜置于200-500℃的空气环境中进行1h热处理．用XRD分析了薄膜的结构，用电化学方法测试了薄膜的电致变色性能．发现热处理对薄膜微观结构的影响较小，而对薄膜的致色效率及致色与消色态的速射率动态变化范围影响较大．分析了薄膜中电荷的输运机制，讨论了OH-离子电荷的注入位置     

BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究

应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜，应用复阻抗谱和模量普技术研究了BST薄膜的介电响应，实验结果表明：BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆，且阻抗普半圆存在压低现象，而与此对应，复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值，表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为，而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略，交直流电导分析结果表明，BST薄膜的交直流电导激活能分别为93．5kJ/mol和100．3kJ/mol，BST薄膜存在这一激活能数值的主要原因是薄膜中氧空位的迁移引起的。     

双层铁电薄膜的性质研究

利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究了二级相变双层铁电薄膜的界面对其性质的影响.结果表明:界面的影响是减小两层中的自发极化的差别,改变一种铁电层的相对厚度会使整个薄膜的平均自发极化发生改变;电滞回线的特性与体材料的电滞回线的特性基本一致.     

溅射技术在制备SiC薄膜中的应用

近20年以来，薄膜科学得到迅速发展，不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性，可以使器件小型化，而且也得益于各种薄膜制备手段的进步．其中，溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一．广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜，SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种．本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术，着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望。     

反应溅射制备MoO3薄膜及其电致变色响应时间研究

在Ar和O2气氛下采用直流反应溅射沉积了MoO3薄膜,样品制备过程中改变薄膜沉积气压,保持其它参数不变,研究了沉积气压对其电致变色性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.采用分光光度计研究了MoO3薄膜的电致变色性能,通过电致变色动态测试对样品...     

BST铁电薄膜移相器应用于天线阵的研究

采用共面波导型钛酸锶钡(BST)铁电薄膜移相器作为工作于16 GHz的1×4微带贴片天线阵的移相单元,利用全波电磁仿真软件,对加载BST铁电薄膜移相器的天线阵进行建模、仿真和优化.研究结果表明: 加载BST铁电薄膜移相器的天线阵辐射方向可随铁电薄膜介电常数的变化而发生显著的改变,通过改变BST铁电薄膜的介电常数,实现了天线阵辐射方向性±10°转向及相控天线阵的移相特性.     

化学计量对Ba1-xSrxTiO3薄膜介电性能的影响

采用脉冲激光沉积法，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3薄膜，通过改变Sr化学计量，研究了其介电性质．实验结果发现：随着Sr化学计量的增加，薄膜的介电系数明显增大，而损耗仍然保持在较低的水平．研究表明：薄膜介电系数的增大是由于薄膜中颗粒尺寸的减小，导致了居里温度的降低．另外，C-V特性研究发现：随着Sr化学计量的增加，薄膜的电容调谐度也有所提高．     

Cd对氢氧化镍电极性能影响的研究

本文利用阴极极化电沉积法和化学浸渍法分别制备了含Ｃｄ量在５％以内的薄膜式和烧结式氢氧化镍电极，借助循环伏 安和恒电位阶跃等技术考察了薄膜电极在氧化还原过程中质子的扩散系数，结果为１０＾－１０－１０＾－９ｃｍ６２／ｓ；并研究了烧结式电极恒电流放电性能，其放电中值电位较好，在与Ｃｏ同时添加的情况下，该值决定了两者的含量比。     

薄膜电子式电—气转换器技术研究

电—气转换器是一种完成由电信号到气信号转换的装置，是自动化过程控制系统中不可或缺的关键设备。本文论述了薄膜电子式电气转换器的实现方法及关键技术，并通过对转换装置的静态测试及整机现场运行，表明薄膜电子式电—气转换器控制系统设计合理，性能可靠，达到了预期的控制目标。     

双层铁电薄膜性质的研究

利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究二级相变双层铁电薄膜界面对铁电薄膜性质的影响.     

薄膜科学研究进展

薄膜科学在物理学与材料学科中已形成了一门分支学科。特别是半个世纪以来，电子学的发展需要新器件和新材料的突破，薄膜科学就是开发新材料和新器件非常重要的领域。电子器件的尺寸越来越小，40年代的真空管器件是几十厘米大小，60年代的器件是毫米大小，80年代的超大规模集成电路中的器件是微米大小，到2000年分子电子器件将是纳米量级的。这就要求研究亚微米和纳米的薄膜制备技术，并利用亚微米和纳米结构的薄膜制备各种新型功能器件。所有固体材料都能制成薄膜型材料，而薄膜是二维的，现在工业上所用的薄膜都是极薄的，从几十纳米到微…     

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能张旭苹，陈国平（东南大学薄膜研究所，南京２１００１８）电致变色是指材料的光学性能（光的透射、反射和吸收）通过外加电场或电流的作用在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象，氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色...