Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

Hastelloyc—275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＾＋离子源辅助准分子脉冲激光沉积取向的ＹＳＺ过渡层薄腊地ＮｉＣｒ合金基底上；基底加温至７５０℃，用分子脉冲激光高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ上，并切割一材，实验结果表明：ＹＢＣＯ超导线材不但为ｃ－轴取向的，同时为在ａ－ｂ平面内织构的，其临界温度Ｔｃ≥９０Ｋ，临界电流密度Ｊｃ≥１×１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ）。     

用中等能量离子辐射方法研究C60膜结构变化

在２００ｋｅＶ重离子加速器上,使用１２０ｋｅＶ的Ｈ＋,Ｈｅ＋,Ｎ＋,Ａｒ＋等离子对Ｃ６０分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后Ｃ６０膜的Ｒａｍａｎ谱进行了系统地分析研究．离子辐射会影响Ｃ６０薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值．研究表明Ｃ６０分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而Ｃ６０薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

C^＋注入Si中形成SiC的初步研究

将Ｃ＾＋离子注入硅衬底,衬底温度约为４００℃,Ｃ＾＋离子引出电压为４５ＫｅＶ注入剂量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２。经高温退火形成硅沉淀,利用Ｘ射线光电子能谱,俄歇电子能谱及傅立叶变换红外吸收光谱,对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析。     

碱卤晶格中V^2＋—X^—（X=Cl,Br）的键长

用吸收光谱实验数据和ｄ轨道理论确定了Ｖ＾２＋：ＮａＣｌ和Ｖ＾２＋：ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长，结果表明，ＮａＣｌ和ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长明显小于未掺杂晶格中的Ｎａ＾＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）离子距离，本文所用的方法不失为一种简单可靠的有效方法。     

钙钛矿复合氧化物纳米陶瓷薄膜材料的结构与导电性

实验以柠檬酸为配体,采用ＩＳＧ法制备了钙钛矿型稀土复合氧化物ＬａＭＯ３（Ｍ为Ｎｉ＾３＋、Ｃｏ＾３＋、Ｃｒ＾３＋和Ｆｅ＾３＋）纳米陶瓷薄膜,研究其在还原气氛下的结构与薄膜导电性的关系,通过Ｂ位离子对征钛矿型稀土复合氧化物气体敏感效应影响的考察,发现随着还原程度的增大,纳米薄膜的化学吸附氧减小,氧空位增多,电阻显著增大。     

N~ 注入参数对 40Cr 钢和 GCr15 钢显微硬度影响的研究

通过正交试验，研究了Ｎ＋注入参数对４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面显微硬度的影响。结果表明离子注入使４０Ｃｒ钢和ＧＣｒ１５钢表面硬度得到了提高，且存在一个最佳注入剂量为４×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２。     

低能离子注入聚苯胺薄膜结构性能研究

使用Ｎ＾＋对聚苯胺溶液流延成膜进行离子注入改性,注入剂量最高为５．０Ｚｍ＾－２,能量为１０￣４０ｋｅＶ。研究发现,本征态聚苯胺薄膜的电导率随着注入能量的增加而迅速增加,但随注入剂量的增加程度较缓慢,当能量增至３６ｋｅＶ时,电导率增加９个数量级,ＦＴＩＲ光谱图显示了Ｎ＾＋注入后,使聚苯胺分子链部分Ｃ－Ｃ和Ｃ－Ｈ的σ键断裂,从而改善了它的导电性能。Ｘ－射线衍射说明,注入离子使聚合物微观结晶性能降低,无     

Ni^2＋在AgCl和AgBr四角晶位中的零场分裂和g因子

用分子轨道和双自旋－轨道耦合模型,研究了Ｎｉ＾２＋在ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｂｒ对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋ＥＰＲ参数（Ｄ,ｇ）的贡献。     

Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

二种硼化物的电子自动旋共振波谱研究

用ＥＳＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｉｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）波谱研究（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢ１０Ｈ１０Ｃｕ和（ＣＨ３）４ＮＢ１２Ｈ１２Ｃｕ的结构和化学键。结果表明该系列化合物中＾１１Ｂ和＾１４Ｎ核与Ｃｕ＾２＋之间不是以共价键或者离子键形式直接连接,很可能存在着Ｃｕ－Ｈ－Ｂ桥键,但Ｃｕ＾２＋和＾１Ｈ之间的作用比较弱。（ＣＨ３）４ＮＢ１２Ｈ１２Ｃｕ中Ｃｕ＾２＋位于Ｂ１２Ｈ１２＾２－轴对称性配位场中,因而有较高的对     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

溴离子在铂电极上的电化学反应

用电位扫描和环盘电极等方法研究酸性介质中溴离子在铂电极上的多步氧化反应行为，证实在１．１Ｖ电位处发生的反应是：Ｂｒ－－ｅＢｒａｄ，（１）Ｂｒａｄ＋ＢｒａｄＢｒ２（ａｑ）．（２）在电位１．５Ｖ处发生的反应是：Ｂｒ２（ａｑ）Ｂｒａｄ＋Ｂｒａｄ，（２′）Ｂｒａｄ＋Ｈ２Ｏ－ｅ＝ＨＯＢｒ＋Ｈ＋．（３）其中反应（１）具有典型的可逆性．实验测得Ｂｒ－离子的扩散系数为１．８×１０－５ｃｍ２·ｓ－１，反应（１）的标准速率常数为２．０×１０－３ｃｍ·ｓ－１．     

氮化碳薄膜的红外吸收光谱（FTIR）研究

测量了采用ＲＦ－ＣＶＤ方法制备的氮化碳薄膜的ＦＴＩＲ曲线，膜层中的Ｃ－Ｎ键、石墨相、Ｃ＝Ｎ键和Ｃ≡Ｎ键的红外吸收峰波数分别为１２５０ｃｍ＾－１，１５７６ｃｍ＾－１，１６８７ｃｍ＾－１和２０５４ｃｍ＾－１。采用技术措施避免石墨相析出的氮化碳薄膜，其红外吸收谱只出现了Ｃ－Ｎ键的伸缩振动吸收峰（９４８ｃｍ＾－１），薄膜中的其它功能基团的存在对Ｃ－Ｎ键的振动频率有一定的影响。     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

真空升华条件对C60／C700薄膜成份的影响

通过热重分析测定Ｃ６０／７０混合物的明显升华起始温度约为６００℃。在高真空（１０＾－３Ｐａ）中加热Ｃ６０／Ｃ７０混合物使其升华，在ＫＢｒ晶体上形成薄膜，对不同升华条件下所得薄膜的傅里叶变换红光谱进行比较，得出了薄膜成分变化规律，发现６００℃加热混合物足够长时间，能去除混合物中低碳素富勒烯杂质，再恒温７００℃升华混合，薄膜主要由Ｃ６０组成。     

NO2分子593nm波段斯塔克调制谱特性研究

采用Ａｒ＾＋激光泵浦单模稳频染料激光器，在１６８４０ｃｍ＾－１－１６８６０ｃｍ＾－１测量ＮＯ２分子的斯塔克调制谱。用一阶和二阶斯塔克效应对谱线的线型和强度进行了理论分析，并获得了一些激发态的电偶极矩参数。     

MgO,AgCl和AgBr中Ni^2＋的g因子研究

用分子轨道和双自旋－轨道（双ＳＯ）耦合模型研究了ＭｇＯ、ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ中掺杂Ｎｉ＾２＋（ｄ＾８）离子的ＥＰＲｇ因子。研究表明，由于配体Ｂｒ（４ｐ电子）有大的ＳＯ耦合系数和较强的共价性，其对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋的ｇ因子有重要的贡献。     

LASERINDUCEDDISSOCIATIONOFKETENE（CH2CO）AT355nm：PHOTOACOUSTICSTUDIES

用光声方法观测乙烯酮分子的激光诱导离解以及研究离解碎片ＣＨ２（Ｘ３Ｂ１）的动力学。实验结果说明在３５５ｎｍ强激光辐射下，乙烯酮的非线性吸收只能诱导乙烯酮母体分子和（或）离解碎片的多光子离子化，这是造成光声信号随激光能量升高而降低的原因，再化合过程ＣＨ２（Ｘ３Ｂ１）＋ＣＨ２（Ｘ３Ｂ１）—→Ｃ２Ｈ２＋２Ｈ的速率常数是２．３９×１０－１１ｃｍ３ｍｏｌｅｃｕｌｅ－１Ｓ－１ＣＨ２（Ｘ３Ｂ１）＋ＣＨ２ＣＯ—→ＣＨ３＋ＣＨＣＯ的反应速度常数估计是１０－１２ｃｍ３ｍｏｌｅｃｕｌｅ－１Ｓ－１．