高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．     

肮频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金，掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究，实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ－ＴＲＲ折裹曲线，但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ－ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化，据化，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。     

铝锑共掺氧化锌纳米线阵列LED发光性能研究

氧化锌(ZnO)纳米线因具有良好的结晶质量和独特的半导体性质,在光电子器件领域有重要应用前景.利用双元素共掺来提高掺杂元素在ZnO内的固溶度,是获得p型导电ZnO材料的有效方法.本文中利用化学气相沉积法制备Al和Sb共掺的p型ZnO纳米线阵列,通过XRD、SEM、EDS和XPS等手段分析共掺ZnO纳米线的形貌、成分和晶体质量,发现共掺ZnO具有良好的(001)晶向外延取向生长特性,且通过调整升温速率可以调控掺杂ZnO纳米线的晶体质量.基于n-GaN衬底外延生长的共掺ZnO纳米线阵列,构建异质结型LED器件.Ⅰ-Ⅴ曲线结果表明,在±4 V电压下,器件整流比高达13.7,纳米线异质结开启电压为3 V,器件表现出良好的pn结电学特性.电致发光(EL)光谱结果显示,共掺ZnO纳米线LED器件发光峰中心波长约为650 nm,表现为橙红光发射.     

掺钯硅快恢复二极管VF～TRR兼容性研究

作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF－TRR兼容性，得到掺钯硅二极管的VF－TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果；这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合，作者对此进行了分析与讨论，根据实验结果，作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管。     

超声法制备金掺杂的纳米YBa2Cu3O7材料研究

将高温固相法制得的YBCO研磨,于无水乙醇中进行超声分散获得纳米YBCO/乙醇溶胶,随后掺入纳米金溶胶,浓缩、干燥得金掺杂的YBCO材料.结果发现,纳米金掺杂的YBCO/乙醇溶胶中粒子形成纳米链;掺杂适量金提高了YBCO的晶化程度;掺金量为0.025wt%～0.500wt%时,金/YBCO材料的超导转变温度丁Tc为93.84～92.01 K,但掺杂1%的金时,样品超导性能消失.若能进一步控制好掺金量,金掺杂YBCO的Tc也会相应得到提高.     

超声法制备金掺杂的纳米YBa2Cu3O7材料研究

将高温固相法制得的YBCO研磨,于无水乙醇中进行超声分散获得纳米YBCO/乙醇溶胶,随后掺入纳米金溶胶,浓缩、干燥得金掺杂的YBCO材料.结果发现,纳米金掺杂的YBCO/乙醇溶胶中粒子形成纳米链;掺杂适量金提高了YBCO的晶化程度;掺金量为0.025wt%～0.500wt%时,金/YBCO材料的超导转变温度丁Tc为93...     

导电聚合物作为连接层的叠层电致发光器件

有机电致发光器件(OLED)因具有全固态、主动发光、高色域、视角宽、非常轻薄和可折叠卷曲等优点,被认为是可取代液晶显示的技术之一.但是,由于这种器件使用的有机材料很容易与空气中的水和氧气发生反应,并且其玻璃化温度比较低,导致器件稳定性和效率比较低.因此通过某种方式提高器件的电流效率、减少器件的发热功耗,降低器件的运行电流,具有非常重要的意义.叠层(Stacked)器件结构技术是实现低电流、高效率OLED的一种有效途径.但是,如何利用简单的方法制作高效的叠层器件连接层,使电流高效地通过器件,是研制这种器件的重要挑战.本文利用PEDOT:PSS作为器件连接层,成功制备出结构为ITO/PEDOT:PSS (15 nm)/PFO(80 nm)/PEDOT:PSS (40 nm)/PFO (80 nm)/Al (70 nm)的叠层有机电致发光器件.通过研究叠层器件的电流-电压特性、电压-亮度特性和电流-效率特性发现,在未做任何特别优化的条件下,该叠层器件的启亮电压为12.3 V,启亮电流为1.39μA.电流效率(3.97 cd/A)是单层对比器件电流效率的8倍.更为重要的是,这种PEDOT:PSS新型叠层器件连接层既不需要高温蒸发镀膜也不需要掺杂.该方法既简化了Stacked叠层器件连接单元的制备工艺,避免了高温蒸镀对器件膜层的损伤,又克服了现有掺杂工艺原子散射对器件性能破坏的难题.同时,本文对PEDOT:PSS作为叠层有机电致发光器件连接层的物理机制进行了探讨.     

电力硅半导体器件耐压的高温特性和稳定性的研究

本文研究和分析了电力硅半导体器件的耐压在高温下降低及耐压稳定性差的原因.借助于液晶显示和表面电场测试,作者发现器件耐压降低是由于表面击穿或边缘近表面区的耐压转折,器件成为表面限制器件所致. 整流管的表面击穿主要是由于在N~ -N结处发生表面电场集中所引起.通过选择合适电阻率的硅单晶和基区片厚,或正确地控制N~ 区掺杂浓度的分布和表面造型,可以得到具有优良的耐压高温特性和高稳定性的体击穿器件.击穿电压达1-3千伏的硅整流管最高允许结温可达160-200℃. 本文引入一耐压特性判别值S参数(S=(M_sa_2)/(M_Va_V))到晶闸管的设计中.如S>1,晶闸管为表面限制器件,其高温特性不良;相反,如S<1,则晶闸管为体特性器件,其高温特性优良.为了获得体特性器件,应采用比最佳设计中所得最佳电阻率要低些的硅单晶和相应较厚的片厚.按此方法设计,作者得到最高允许结温可达125°-160℃的晶闸管试样.     

双掺杂LiNbO3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂CeFe,CeMn,MnFe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性.研究表明,双掺杂浓度较高时,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小,光折变效应二波耦合增益较低.几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低,表现出较强的抗光折变特性.     

对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型

基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组分和掺杂偏差σn对表面势和阈值电压的影响。此外,还对比分析高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压。研究结果表明:阈值电压随应变Si膜中Ge组分的增加而降低;表面势和阈值电压随偏差σn的增加而减小;高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压相差较大,表明非均匀掺杂对器件表面势和阈值电压等影响较大。     

双掺杂LiNbO_3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂Ce :Fe ,Ce :Mn ,Mn :Fe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性 .研究表明 ,双掺杂浓度较高时 ,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小 ,光折变效应二波耦合增益较低 .几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低 ,表现出较强的抗光折变特性     

低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析

本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出现一个极小值,然后随温度下降VF很快增加。本文利用低温下器件中存在的热载流子效应对这种异常现象进行了解释。     

快速晶闸管n基区金浓度DLTS分析

本文通过对晶闸管关断物理过程的分析得到:n基区深中心的最佳剖面分布应是N_t(j_2)>N_t(j_1)。经过实验,根据DLTS和电特性参数的测量、分析的结果可知,硼、磷扩散浓度和金掺杂总量都会改变n基区的金分布,且不同的金分布相应于不同V_T～t_q。折衷曲线。所以,快速晶闸管n基区金浓度的最佳分布,应当有相应的最佳V_T～t_q折衷曲线,它依赖于硼、磷、金扩散的最佳配合。     

基质掺杂离子对(Y,Rn)_2O_2S∶Sm~(3 ),Ti~(4 ),Mg~(2 )(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)_2O_2S∶Sm~(3 ),Ti~(4 ),Mg~(2 )(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3 半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.     

一种新型双材料双栅的MOSFET器件的性能研究

为了给新型场效应晶体管的工艺制造和设计提供新的设计思路和依据,文章以金属-氧化物-半导体场效晶体管(MOSFET)为研究对象,提出了一种新型双材料双栅MOSFET器件的设计方案.该器件采用具有宽禁带、高饱和电子速度、高热导性、高温工作等性能优势而在微电子领域和光电子领域广泛应用的新型半导体材料GaN.同时,通过仿真模拟对器件的转移特性、输出特性,跨导特性、电容特性以及器件的电学特性与温度的关系进行了分析.结果 表明,器件性能随着温度升高而退化的主要原因是迁移率和载流子饱和速率随温度的变化,且器件具有较好的亚闽值摆幅和开关电流比,适合于未来低功耗应用领域.     

掺铒聚合物光波导放大器的制备与测试

研究掺铒有机聚合物材料Er(DBM)3Phen/PMMA-GMA的光学性质, 并测试了该聚合物的吸收光谱和折射率等参数, 通过光刻结合反应离子刻蚀技术, 利用该材料制备了掺铒聚合物光波导放大器. 采用光纤与波导放大器的直接端面耦合方法测试了光波导放大器的特性, 结果表明, 当输入信号功率为0.2 mW, 抽运功率为150 mW时, 在1.24 cm长的器件上获得了0.9 dB的相对增益.      

金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究

研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO₃（Nb-STO）衬底之间构成的金属半导体结（金-半结）。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05 wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中,反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而正向的n很大,表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05 wt.%和0.7 wt.%的掺杂情况下,结点都表现出非线性的I-V关系,均不能视为欧姆接触。     

基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm3 ,Ti4 ,Mg2 (Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3 半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.     

铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降.     

多色光场稀土泵浦掺杂光纤的上转换和 ASE 光谱的特性研究

多色光场稀土泵浦掺杂光纤的上转换和ＡＳＥ光谱的特性研究明海白明杨宝刘方新（中国科技大学物理系合肥２３００２６）利用钛宝石可调谐激光器作泵浦光源，在７６０～８６０ｎｍ波段调谐泵浦波长，分别对Ｅｒ３＋－Ｙｂ３＋双掺杂光纤、掺Ｔｍ３＋光纤和掺Ｅｒ３＋及掺Ｎ...