| 基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 张栌丹,王明文,刘世香,张飞飞,李文军.基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响[J].北京科技大学学报,2008,30(1):49-52. |
| |
| 作者姓名： | 张栌丹 王明文 刘世香 张飞飞 李文军 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学应用科学学院,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 北京科技大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm3 ,Ti4 ,Mg2 (Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3 半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.
|
| 关 键 词： | 红色长余辉材料 基质掺杂 离子半径 余辉时间 |
| 收稿时间： | 2006-10-15 |
| 修稿时间： | 2006-12-01 |
Effect of host-doping ions on the afterglow property of (Y, Rn)2O2S:Sm3+, Ti4 +, Mg2+ (Rn = La, Gd, Lu, Ga, Al) red phosphors |
| |
| ZHANG Ludan,WANG Mingwen,LIU Shixiang,ZHANG Feifei,LI Wenjun.Effect of host-doping ions on the afterglow property of (Y, Rn)2O2S:Sm3+, Ti4 +, Mg2+ (Rn = La, Gd, Lu, Ga, Al) red phosphors[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,2008,30(1):49-52. |
| |
| Authors: | ZHANG Ludan WANG Mingwen LIU Shixiang ZHANG Feifei LI Wenjun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | red phosphor host doped ionic semi diameter decay time |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
