a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．     

基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响

用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＣＶＤ）方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）,对样品进行了伏安特性测试,考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响,并结合Ｒａｍａｎ谱探索ａ－Ｃ：Ｈ膜的导电机制。     

类金刚石碳膜在大气热退火过程中的稳定性

本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度３００℃，时间分别为１．５ｈ和３．０ｈ。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Ｒａｍａｎ光谱和电阻率的测量，并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明，３００℃的退火并不能使膜层中的Ｃ－Ｈ键断裂，而使膜层结构趋于完整，膜层氧化变薄，其电阻率和红外透过率过率增高；但退火对膜的影响程度只与退火温度有关，而与退火时间无关。     

a─Ge：H薄膜电学性质的研究

用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质：研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响．所得结果为ａ－Ｇｅ：Ｈ的应用提供了一定的依据。     

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。     

a—Ge：H薄膜电学性质的研究

用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质；研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响。所得结果为ａ－ＧｅＨ的应用提供了一定的依据。     

直流反应溅射α-C:H薄膜

用直流平面磁控反应溅射制备了含氢非晶态碳膜（α－Ｃ：Ｈ），在０．３５－２．５μｍ波长范围内确定了它的光学常数ｎ，ｋ与禁带宽度，包括刚沉积（ＡＤ）与经真空烘烤４５０℃４０ｍｉｎ（ＨＴ）的α－Ｃ：Ｈ膜。红外透射谱、拉曼光谱与电子衍射等分析表明：α－Ｃ：Ｈ为无定形碳与金刚石共存物。热处理后，Ｃ－Ｈ与Ｃ＝Ｏ键减少，而Ｃ＝Ｃ键增加。α－Ｃ：Ｈ作为减反射膜的α－Ｃ：Ｈ／渐变ＳＳ－Ｃ／Ａｌ选择性吸收表面，具有太阳吸收率α≈０．９３（ＨＴ）．发射率ε≈０．０６（８０℃）。     

脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐照ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ￣２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ＿２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ￣（－１）～５１７ｃｍ￣（－１）、半峰高宽度为１０ｃｍ￣（－１）～１５ｃｍ￣（－１）；ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜经ＸｅＣｌ激光辐照或ＣＯ＿２激光退火后，都会增强晶化膜的吸收效率。     

a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

脉冲式XeCl激光辐照a—Si：H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ＾－１～５１７ｃｍ＾－     

简单烷基碳负离子稳定性讨论

本文根据核磁共振谱测定结果和一些实验事实，并结合影响碳负离子稳定性的因素分析表明，简单烷基碳负离子的稳定性顺序不是：Ｃ↑－Ｈ３〉ＣＨ３Ｃ↑－Ｈ２〉（ＣＨ３）２Ｃ↑－Ｈ〉（ＣＨ３）３Ｃ↑－而是：（ＣＨ３）３Ｃ↑－〉（ＣＨ３）２Ｃ↑－Ｈ〉ＣＨ３Ｃ↑－Ｈ２〉Ｃ↑－Ｈ３。     

溅射a—GeCNx：H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的ａ－ＧｅＣＮｘ：Ｈ薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性，并观测到因掺碳引起的新的Ｎ－ＣＨｎ的红外吸收峰。     

常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs

采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关．     

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

醇盐受控水解法制备YSZ超细粉及其表征

利用正丙醇锆受控水解方法制备ＹＳＺ粉．研究在正丙醇锆－硝酸钇－乙酰丙酮体系中，Ａｃａｃ／Ｚｒ（ｍｏｌ），Ｈ２Ｏ／Ｚｒ（ｍｏｌ）对正丙醇锆水解影响．采用ＴＧ－ＤＴＡ，ＸＲＤ，Ｒａｍａｎ光谱，ＢＥＴ，ＴＥＭ等手段对ＹＳＺ粉体进行表征．发现本体系获得的粉体立方相成相温度可低至３５０℃，颗粒度在１０ｎｍ左右     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响

对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系,发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１,经退火后σｄ增加,在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小     

水解磷酸氢钙制备羧基磷灰石粉末的研究：活性生物陶瓷研究 …

本文研究了水解磷酸氢钙并用ＣａＯ２．２Ｈ２Ｏ熟化以制备化学一的ＨＡＰ粉末的方法。用产物的Ｃａ／Ｐ作为评价指标,找出了最适的ＤＣＰＤ水解条件：ＰＨ７．５－８．０,温度８０℃,     

非晶硅的二步快速退火固相晶化

我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的应用潜力。     

含V,Ga元素NaOH溶液中V与Ga分离参数的计算

对Ｎａ２Ｏ－Ｖ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系和Ｎａ２Ｏ－Ｇａ２Ｏ３－Ｈ２Ｏ５系的饱和溶解度数据进行了一系列理论计算，论证了含Ｖ，Ｃａ元素ＮａＯＨ水溶液中Ｖ与Ｇａ分离的可能性，并估算出分离的温度，碱度（溶液中Ｎａ２Ｏ质量／溶液中Ｈ２Ｏ质量）范围分别为＜４０℃和０．３－０．４。