氧化还原对掺铁LiNbO3晶体的吸收边和透过率的影响

着重研究了经过不同氧化还原处理的不同掺杂及浓度的掺铁铌酸锂晶体的吸收边和透射谱，认为晶体的能带结构随掺杂离子及离子的价态变化而变化，并解释了吸收边的有关实验结果．     

镁铁双掺杂LiNbO3晶体的光谱研究

测试了镁铁双掺杂LiNbO3晶体的紫外－可见和红外吸收谱，发现掺镁阈值以下的晶体在482．5nm处有一小吸收峰，认为是由晶体场引起的FeLi^3 离子d-d禁戒跃迁所至，在掺镁超过阈值的晶体中此峰趋于消失，说明Fe^3 离子掺镁阈值前后所处的晶体场发生了变化，进而推测了铁离子的占位发生了变化。结合OH^-谱3504cm^-1吸收带的出现，进一步说明了阈值以上Fe进入Nb位。     

Fe:LiNbO3晶体角度复用全息实验研究

研究了以掺铁铌酸锂(Fe∶LiNbO_3)晶体为记录介质的光折变体的全息记录和读出特性.搭建了角度复用光折变体全息记录的实验光路,记录了光折变全息图.实验研究了Fe∶LiNbO_3晶体的响应灵敏度,测量了光折变体全息记录和读出的衍射效率,测量了最小角度复用间隔,实验结果有助于评估和优化角度复用全息图的容量.     

掺钒电解二氧化锰的放电特性及其某些理化性能(Ⅰ)

掺钒电解二氧化锰(EMD-V)样品是在合有VOSO_4的H_2SO_4-MnSO_4溶液中通过阳极氧化制备的。EMD-V样品在中性NH_4Cl-ZnCI_2电解质中的放电性能优于未掺杂EMD样品。X射线衍射图表明,EMD-V样品属于γ型MnO_2,具有纤维态结构。X射线光电子能谱分析表明,钒在EMD-V样品中以V_2O_5的形式存在。     

近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心的研究

对不同锂铌比的掺铁铌酸锂晶体的光折变光栅的写入与擦除过程进行了研究,发现单中心模型已经不适用于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的光折变过程.通过对光折变光栅的擦除曲线的拟合发现,近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的擦除过程为双指数过程,说明对于近化学计量比掺铁铌酸锂晶体光折变中心为两种.     

铁基超导体中间隙铁杂质诱导的隙内束缚态

基于两轨道四带紧束缚模型,用T矩阵方法研究铁基超导体中间隙铁杂质诱导的隙内束缚态.研究表明,间隙铁杂质点和最近邻铁点上的局域态密度有很强的隙内共振峰,并且随着参数t和ΔI的变化而发生明显的改变.共振峰位置和高度仅取决于间隙铁和最近邻铁之间的跃迁参数t和配对参数ΔI.此类隙内束缚态可以通过扫描隧穿实验直接观察到.     

电解共沉积二氧化钛对电解二氧化锰充放电可逆性能的影响

用分散电镀进行TiO_2与MnO_2电解共沉积生产EMD—Ti。将以EMD—Ti为正板材料的碱性锌锰电池,在相同条件下,跟I.C.样品及未掺钛的电解二氧化锰样品对比,检测其充放电循环次数及放电累积容量,以此衡量其充放电可逆性能。实验结果表明,用EMD—Ti作为正极材料的碱性锌锰电池,充放电循环次数达92次,未掺钛样品为58次,I.C.No.1样品为57次,说明电解共沉积TiO_2可以改善MnO_2的充放电可逆性能。     

双掺杂LiNbO3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂CeFe,CeMn,MnFe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性.研究表明,双掺杂浓度较高时,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小,光折变效应二波耦合增益较低.几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低,表现出较强的抗光折变特性.     

双掺杂LiNbO_3晶体光谱和光折变特性

报道了双掺杂Ce :Fe ,Ce :Mn ,Mn :Fe生长态LiNbO3(LN)的光谱及光折变效应二波耦合增益特性 .研究表明 ,双掺杂浓度较高时 ,生长态的LiNbO3晶体的透过率光谱范围较小 ,光折变效应二波耦合增益较低 .几种双掺杂晶体都比单掺Fe晶体的光折变效应二波耦合增益低 ,表现出较强的抗光折变特性     

石膏对铝酸盐水泥基混合体系早期水化的影响

采用量热仪、X射线衍射仪、环境扫描电子显微镜、压汞仪分析了无水石膏及α-半水石膏对铝酸盐水泥为主的铝酸盐-硅酸盐混合水泥体系早期水化放热、浆体微结构演变等水化进程的影响.结果表明:无论何种石膏掺入后,三元体系的早期水化均有所加速,且集中于钙矾石的生成及其向单硫型水化硫铝酸钙的转变——水化30min内,浆体中均生成了一定量长度为1μm左右的短粗钙矾石晶体,并伴随首个水化放热峰的产生;而随后的8h内,另产生两个水化放热峰:掺无水石膏时,第2个水化放热峰源自无水铝酸钙和无水石膏的溶解以及少量钙矾石晶体的生成,第3个水化放热峰源自钙矾石的增长及其向单硫型水化硫铝酸钙的转变;而掺α-半水石膏时,这两个水化放热峰均与钙矾石的生成及增长有关.相比而言,α-半水石膏因溶解速度较快,与无水铝酸钙等的溶解速度相匹配,所以水化早期生成更多的钙矾石晶体,所得硬化浆体的孔隙率更低.     

用铁电晶体四波混频的实时光学检测

对利用铁电晶体掺铁铌酸锂(LiNbO_3:Fe)作记录介质的简并四波混频干涉计量术进行了讨论,提出一种实时测量透明物体的折射率及面形分布不均匀性的实验原理及方法,分析了掺铁铌酸锂晶体在测量中的记录特性,并给出了测量平板玻璃样品的试验结果。     

采秀光致折变晶体为记录介质的实时干涉测量

本文介绍采用光致折变晶体－－掺铁铌酸锂作为全息图记录介质实时干涉测量实验，结果表明这种晶体是一种替代全息干板的好材料，可以在实时干涉测量中广泛使用。     

铸态奥－贝球铁的抗汽蚀性

介绍了铸态奥－贝球铁的制取方法及其组织和性能。并研究了铸态奥－贝球铁抗汽蚀特性。实验表明，铸态奥－贝球铁的抗汽蚀性能比普通球铁高出约３倍，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｕ和Ｂ等元素对铸态奥－贝球铁的组织、机械性能及抗汽蚀性都起着十分重要的作用，保留在室温的奥氏体组织有着良好的抗汽蚀性．     

外部噪音对铌酸锂晶体中调制失稳的影响

实验研究了在掺铁锂酸铌晶体中由外部微小噪音引起的调制失稳和外部周期调制引起的调制失稳。并详细研究了光束细丝方向与c轴之间的夹角对晶体中调制失稳的影响。另外,分别研究了外部周期格子的主轴与晶体c轴平行时和呈45°角时晶体中的调制失稳的影响。     

Fe3+-N改性二氧化钛光催化剂的研制

利用微波等离子体沉膜技术和溶胶-凝胶法在载玻片上制备同时掺Fe3 和N的TiO2膜,经500℃焙烧后所得光催化剂性能较好.分别以紫外和可见光为光源,光催化降解茜素红,结果发现:掺铁量均为0.1%的Fe-N/TiO2较Fe/TiO2的光催化活性好,而且可见光的利用率明显增强;UV-Vis扫描显示掺铁0.1%的Fe-N/TiO2紫外吸收峰较其他TiO2光催化剂强且明显红移.XRD谱图结果表明,分别在500℃和550℃焙烧后的0.1?-N/TiO2,均为锐钛矿型,晶体粒度分别为15.3 nm和20.6 nm,XPS谱图显示Fe-N/TiO2有N1s谱峰.     

对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究

采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3 时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3 离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3 ∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3 时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3 时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3 ∶PWO4晶体中掺La3 可以有效地抑制420 nm吸收.     

陶瓷纤维及其复合材料 Ⅱ碳化硅纤维的结构和形变行为

所研究的碳化硅纤维具有多晶结构,主要含有结晶态的SiC,石墨态的碳和无定形的SiO_2。来自石墨的两个拉曼(Raman)峰(1600cm～(-1)和 1350cm～(-1))和来自 SiC的拉曼峰(835cm～(-1))的位置都时纤维形变役感。1600 cm～(-1)和1350cm～(-1)峰位置的偏移与纤维拉伸应变有近似线性关系。     

Cu掺杂ZnS的第一性原理计算

采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnS掺杂Cu前后的电子结构和光学性质。通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现引入杂质Cu后,在价带顶Cu3d态与S3p态发生p-d排斥,造成价带顶向高能端移动;在导带底Zn4s与Cu3p相互重叠,发生杂化,引起导带向低能端偏移,两方面的作用使得ZnS的带隙变小。掺Cu后ZnS的光吸收向低能端扩展,并且在可见光区生成新的吸收峰。     

EMD的单次分解频域属性及IMF的生成机理研究

本文通过使用2个单频率信号的组合应用于EMD分解来研究EMD的单次分解的频域属性和探索研究本征模态函数IMF的生成机理.数值实验结果证明,EMD过程中,信号中的最高频率组分通过抽取相对低频信号而生成IMF并决定其频域位置和带宽,数值实验结果也证明了EMD过程中相对高频分量对低频分量的抽取能力的非传递属性,最后给出单次EMD的频域滤波器组结构的示意图,并讨论了EMD和小波的频域结构的异同.     

纤维态电解二氧化锰电沉积与其放电性能及制备条件间的关系(Ⅱ)

引言纤维态电解二氧化锰(简称FEMD)是七十年代才报导出的一种新型化学电源材料,其制备条件与放电性能间的关系是专利文篇中不断探讨的课题。我们借助电子显微镜扫描,从分析纤维态电解二氧化锰晶体的成长情况入手,结合不同条件下FEMD的放电性能、电解电流效率与能量消耗等各项指标,主要就电解电流密度、电解液酸度与放电容量间的关系提出我们的看法。