LiNbO_3的抗光折变与它的OH~－谱研究

测试了不同掺杂，不同组分ＬｉＮｂＯ＿３样品的红外吸收谱．提出在一致熔化组分ＬｉＮｂＯ＿３晶体中，Ｎｂ可变价和Ｌｉ的空位模型。解释了ＯＨˉ谱的３峰结构。在掺镁阈值以上，用镁占铌位和铁占铌位的缺陷模型，解释了ＯＨˉ谱紫移及３５０４ｃｍ￣（－１）峰出现的原由，进而对镁占铌位和铁占铌位进行了肯定。     

掺镁掺钛LiNbO3晶体的光谱与光折变特性研究

测试了一组掺杂不同浓度Ti、Mg杂质的LiNbO3:Ti:Mg晶体的ON-谱，用光斑法观察了这组样品的光折变特性，实验结果表明，在LiNbO3:Ti:MgI晶体中，钛可以起到复合镁的作用，使得LiNbO3晶体的掺镁阈值浓度增高，并且掺镁阈值浓度始终大于接钛浓度，提出了[Ti·Mg]的复合杂质模型，能很好地解释实验现象，根据这种模型和实验证明：LiNbO3:Ti晶体中掺入大于Ti浓度5％mol以上的Mg，晶体仍可成为抗光折变的。     

重掺镁LiNbO_3∶Fe晶体的光谱与光折变特性研究

研究了重掺镁LiNbO3∶Fe晶体的透射光谱与光折变特性 .结果表明 ,LiNbO3∶Fe晶体在重掺镁后 ,镁离子把晶体中的铁离子“挤”入铌位是重掺镁LiNbO3∶Fe晶体抗光折变的原因所在 .在重掺镁 (≥ 5mol% )LiNbO3∶Fe的晶体中 ,作为施主中心的Fe2 的特征吸收“台阶”的消失和 350 4cm- 1的OH吸收带的出现 ,都直接证明了铁离子从锂位进入了铌位 ,并以Fe3 Nb 的形式存在 .     

氧化还原对掺铁LiNbO3晶体的吸收边和透过率的影响

着重研究了经过不同氧化还原处理的不同掺杂及浓度的掺铁铌酸锂晶体的吸收边和透射谱，认为晶体的能带结构随掺杂离子及离子的价态变化而变化，并解释了吸收边的有关实验结果．     

重掺镁LiNbO3:Fe晶体的光谱与光折变特性研究

研究了重掺镁ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体的透射光谱与光折变特性。结果表明,ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体在重掺镁后,镁离子把晶体中的铁离子“挤”入铌位是重掺镁ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ晶体抗光折变的原因所在。在重掺镁（≥５ｍｏｌ％）ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ的 ,作为施主中心的Ｆｅ＾２＋的特征吸收“台阶”的消失和３５０４ｃｍ＾－１的ＯＨ吸收带的出现,都直接证明了铁离子从锂位进入了铌位,并以Ｆｅ＾３＋Ｎｂ的形式存在。     

对不同组份掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收的研究

研究了不同组份掺镁铌酸锂晶体的光致吸收现象.通过对不同组份掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收的动态暗衰减过程的测量,我们认为掺镁铌酸锂晶体中紫外光致吸收的浅能级缺陷中心是O-小极化子.     

激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱

用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明,室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰,说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级,离导带顶大约２．２ｅＶ;掺铝后该吸收峰消失,光折变效应也随之消失．     

对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究

采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La^3＋时可能存在的缺陷团簇模型，通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La^3＋离子最可能的替位位置，并通过基于密度泛函理论的离散变分DV-Xa方法计算得到相应的La3^＋：PWO4晶体的电子态密度．计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽，高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄．实验测得低浓度掺La^3＋时晶体的吸收边紫移，高浓度掺La^3＋时晶体的吸收边红移，计算结果与实验结果相符、计算表明，La^3＋：PWO4晶体中掺La^3＋可以有效地抑制420nm吸收.     

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体，在不同杂质离子浓度下，K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明，高浓度掺K离子将消除420nm吸收带，改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能．