采用谐振腔微扰法的NiZn铁氧体介电常数测量

谐振腔微扰法广泛用于材料微波介电性能的测量,它与常规的测量方法相比,具有样品尺寸小、计算公式简单的优点,在近似计算频率、谐振腔品质因数、材料的介电常数等方面具有较高的应用价值.采用谐振腔微扰法,测量不同配方NiZn铁氧体在微波频段的复介电常数,计算得到介电常数的虚部ε″和实部ε',进而分析Ni和Zn的含量对NiZn铁氧体材料介电常数的影响.     

甘油降温过程中玻璃化转变的介电谱研究

采用介电谱方法对甘油进行了测量，测量的条件为从室温至160K降温，频率范围为1Hz-10^6Hz，得到甘油的复介电常数ε＊（任意单位）的实部ε′和虚部ε″随温度T的变化关系．结果表明，在甘油降温过程中，a-弛豫过程在所示温区ε′主要有两个变化过程Ka和Cd而ε″主要有两个变化过程a和Ld     

SrxBa1—xTiO3陶瓷的频域介电谱

用固相反应法制备ＳｒｘＢａ１－ｘＴｉＯ３系列陶瓷．当ｘ＝０．３０时呈现显著的驰豫相变特征．在５Ｈｚ至１ＭＨｚ范围,相对介电常数的实部ε′随频率ｆ的降低而增大．１／ε′与ｌｇｆ的关系曲线呈现折曲的２段直线．高频相对介电常数的实部ε′ｈ随ｘ的增加而增大是与顺电相的增加而对应．测量点（ε′,ε″）随频率ｆ的变化分布在复平面的一条直线上．     

碳纳米管的化学镀铁钴和电磁参数研究

基于化学镀方法将CoB和FeB二元合金包覆在多壁碳纳米管模板上,制备了一种新的一维纳米复合材料.将JEM-2010透射电子显微镜显示多壁碳管的外径从13 nm增加到35 nm,能量色散X分析仪也表明碳管的表面镀覆了铁磁性纳米金属颗粒.用Angilent8722ES矢量网络分析仪在2～18 GHz测试了复合材料的动态电磁参数,在2 GHz时,铁包覆碳纳米管复合材料的复介电常数的实部ε′和虚部系数ε″分别为23.90和14.31,在2 GHz时复磁导率的实部μ′和虚部μ″分别为2.64和1.63,而钴包覆碳纳米管复合材料的ε′,ε″,μ′和μ″分别为12.00,2.04,1.28 和0.39.在低频处复合材料的磁导率和磁损耗相对于纯碳管有明显的增加.这种电磁特性可以应用于微波吸收材料.     

铁电薄膜的介电性质

基于平均场近似的软模理论,研究了含有表面过渡层的铁电薄膜介电函数的实部ε'和虚部ε″的随温度变化的动态特性。实验结果表明,随着温度的升高ε'和ε″分别出现两个峰和一个峰。当表面过渡层的作用增大时,薄膜的平均介电常数实部和虚部的峰变宽,峰值降低而且峰位向低温区移动。     

同轴谐振腔及微扰法测量介质介电常数

提出了一个新的具有设计性与综合功能的微波测量实验项目，利用同轴谐振腔，接合理论对介质的ε′、ε″及tanδ、加载腔端电容C进行测量与计算，并在学校电磁场与微波技术专业进行了教学实践，取得了良好的教学效果。     

测量微波铁氧体的介电常数和磁导率

利用反射式谐振腔通过测量放入样品前后谐振腔反射系数的变化,确定介电常数虚部ε〃和磁导率虚部μ〃。研究了样品形状和放在谐振腔不同位置,对介电常数和磁导率测量的影响。测量系统有较高的灵敏度,通过提高谐振腔的品质因数和使谐振腔接近临界耦合,并适当减小谐振腔的体积,使系统能测量介电损耗角正切达到10~(-5)数量级并不困难。     

质量比为0．2％ZnO掺杂Ba0．2Sr0．8TiO3与Ba0．2Sr0．8TiO3陶瓷的结构和变温变频复介电常数的对比测量分析

采用固相反应方法合成了（1-x％）Ba0.2Sr0.8TiO3＋x％ZnO（x=0,0．2）陶瓷材料,并分别用x射线衍射和变温变频介电谱方法,对它们的结构和复介电常数进行了对比测量分析．结果表明,质量比为0．2％ZnO的掺杂：（1）对样品的室温晶系类型没有影响,仍然为立方晶系,晶格常数仅仅减小了0．18％;（2）弥散铁电相变的相变温度由未掺杂的136K向高温移动至140K;（3）低温铁电相的复介电常数的实部ε′减小而虚部ε”增加,高温顺电相的ε’和ε″几乎不变;（4）样品中弥散铁电相变过程的ε″与测量频率f几乎无关;（5）样品中出现在高温区的离子扩散过程向低温移动．     

三叶形截面碳化硅纤维介电性能与吸波性能研究

对三叶形截面SiC纤维的介电常数，吸波性能与力学性能等进行了研究，三叶形碳化硅纤维的ε′，μ′，μ″值与圆形截面碳化硅纤维的基本相当，但ε″值却明显增大，约为圆形碳化硅纤维的30－60倍。三叶形碳化硅纤维为非磁性损耗材料，在不同烧成温度下，ε′，ε″和tanδ都随频率增大而减小，当烧成温度为1100摄氏度时，ε′和ε″随频率升高而降低的速度最为明显，其介电损耗角正切tanδ的值为最大，为1．73－1．93，纤维具备这样的频响特性，能较好地解决非磁性吸收剂吸波频带窄的缺点，在8－18GHz范围内三叶形碳化硅纤维表现出良好的吸波性能，在11．6－18．0GHz范围内，反射衰减小于－10dB，其中，13．9－18．0GHz范围内，反射衰减小于－15dB最大反射衰减约为－20dB，与相当当量直径的圆形纤维相比，三叶形碳化硅纤维的抗拉强度平均提高约30％。     

PLZT薄膜弛豫时间分布与极化特征研究

对溶胶-凝胶法制备的PLZT薄膜进行介电温度谱测试,根据不同温度ε′-ε″曲线的Cole-Cole经验公式进行拟合,并对PLZT薄膜的弛豫铁电体特性进行分析.实验结果表明:样品出现弥散相变,属于弛豫铁电体,且内部存在氧缺陷;样品的介电常数、最可几弛豫时间以及由经验公式拟合得到的温度函数在100～110℃温度范围内出现异常,结合材料介电响应理论说明材料晶体结构类型出现变化.     

Effects of heavy metal on dielectric properties of E. coli revealed by dielectric spectroscopy

Dielectric spectroscopy of E. coli cell before and after exposure to heavy metals Cd^2＋ , Cu^2＋ , Zn^2＋ and Ca^2＋ was investigated. The results indicate that changes in dielectric spectra reflect effects of heavy metal on the structure and function of E. coli cells. Heavy metal can change membrane capacitance as well as pennittivity and conductivity of the cytoplasm. Changes in volume fraction suggested that dielectric measurement could monitor the growth of E. coli cells. These results demonstrated that dielectric spectroscopy was a potential effective technique for studying electric properties of biological cells.     

胶体溶液介电特性研究

采用修正的Schurr模型描述胶体溶液中的离子输运过程，计算分析了胶体溶液介电常数和电导率的低频和高频特性。研究结果表明，胶体溶液的介电常数在低频率下的超高增益现象，只有在颗粒相（含表面层）电导率远小于基质溶液（电解质溶液）电导率的情况下才会出现；理论计算结果与实验资料吻合较好。     

伴有电介质的平行板电容器电容的计算分析

平行板电容器是电磁学课程内容的重要组成部分,关于伴有电介质的平行板电容器电容的求解是学生感到比较棘手的问题之一。本文主要针对平行板电容器内部充有均匀介质或非均匀介质展开分析,根据电容器电容求解的定义式给出了内部充有不同介质时电容的求解结果。     

双频介电测井资料解释方法

为了提高新疆油田介电测井资料的解释质量,在综合考虑了岩石电阻率、介电常数及其频散特性与油气饱和度关系的基础上,构造了频散衰减指数法、饱和度差值法、饱和度连乘法、介电常数频散校正法、径向饱和度差值法、介电常数差值法、组合参数法、电阻率与介电常数比值法和相位差与幅度比交会图法9种定性的油气指示方法,并应用于实际资料的处理。结果表明,9种定性方法均有效果,特别是幅度比与相位差的交会图法效果更为明显,能很好地识别油气层。     

介电型电活性聚合物应变响应的优化

为了得到最佳DEAP(介电型电活性聚合物)变形量,用正交试验法综合分析了电场强度、预拉伸率、柔性电极厚度、预拉伸后放置时间、柔性电极填充粒子五个因素对DEAP应变响应产生的影响,同时对各因素的显著性进行了数量对比分析.研究结果推导出各因素对DEAP变形量的影响大小,顺序依次为电场强度、柔性电极填充粒子、预拉伸后放置时间、预拉伸率、柔性电极厚度,确定了最佳制备参数,并指出在最佳制备参数的条件下制得的DEAP变形量为221.3%.     

双频介电测井资料解释方法

为了提高新疆油田介电测井资料的解释质量,在综合考虑了岩石电阻率、介电常数及其频散特性与油气饱和度关系的基础上,构造了频散衰减指数法、饱和度差值法、饱和度连乘法、介电常数频散校正法、径向饱和度差值法、介电常数差值法、组合参数法、电阻率与介电常数比值法和相位差与幅度比交会图法9种定性的油气指示方法,并应用于实际资料的处理.结果表明,9种定性方法均有效果,特别是幅度比与相位差的交会图法效果更为明显,能很好地识别油气层.     

介质阻挡放电中的位移电流

在低频介质阻挡放电系统中，引入位移电流的概念，解决了将安培环路定理应用于含有电容的交变电路中出现的矛盾．运用麦克斯韦电磁场理论讨论了介质阻挡放电中的微放电和位移电流，并指出介质阻挡放电中放电通道内fd和fc在时间上是有规律交替出现的，各个放电通道之间各自jd与jc的转换不一定在同时刻进行.     

Relative dielectric constant from dry rocks

Relative dielectric constant is an important physical factor in the theory of microwave remote sensing and electromagnetic transmission. This note reports the results of detecting relative dielectric constant from 197 rock samples. The regular pattern of the relative dielectric constant varying with microwave spectrum is revealed. The relative dielectric constants, correlated with the type, density, structure and chemical component of the rock, are discussed. The results are: ( i ) The relative dielectric constant is related to the frequency when it is measured within the frequency of 0.5–18 GHz. ( ii ) The real part of the relative dielectric constant among different types of rocks changes in a large range, the regular pattern of the change is from ultrabasic rock, basic rock, to intermediate rock, acid rock and sedimentary rock. The real part of relative dielectric constant gradually lowers, the change range is between 9 and 5. ( iii ) The real parts of relative dielectric constant have a marked positive correlation with the density of the rocks. ( iv ) The relative dielectric constant related with the structures of the rocks, the smaller the grain of rock, the larger the relative dielectric constant. ( v ) The real parts of relative dielectric constant related to chemical component of the rock are more complex. The imaginary parts of relative dielectric constant are markedly correlated with MnO and LOI, less correlation with Fe₂O₃, FeO, MgO, P₂O₅, and has no correlation with the rest variables.     

不同介质层厚度对表面介质阻挡放电制动器的离子风速影响

本文简要介绍了自制的大气压介质阻挡放电制动器的两电极结构,对该两电极制动器放电的电压电流波形进行了分析,并对不同介质层厚度的制动器产生的离子风速进行了测量,实验结果表明介质层厚度会对制动器的性能产生很大的影响。     

Controllable growth of dielectric/semiconductor integrated films

Currently, electronic information systems are developing quickly towards further miniaturization and monolithic integration so as to realize smaller volume, higher velocity and lower power consumption. For this purpose, the integration of all sorts of active devices （mainly fabricated by semiconductors） with passive devices （fabricated by functional materials） is particularly important and impendent. Therefore, it is necessary to integrate multifunctional oxide dielectrics possessing electric, magnetic, acoustic, optical and thermal properties characterized by spontaneous polarization with semiconductors bearing the characters of carrier transportation to form artificial structures via deposition of solid films. This kind of integrated films may have two characters, i.e., the all-in-one multifuncUon and modulation of electromagnetic properties by hetero-interface. This makes it possible to realize monolithic integration of detecting, processing, transmission, executing and storing of electronic information. Meanwhile, possible integrated coupling effects will be pursued instead of exploring the limited physical properties of the related materials. In this paper, we put forward a new direction of developing electronic devices with higher performances, and demonstrate some results concerning our recent research on the interface-controllable integrated growth of dielectrics and GaN. Recent progresses of the related research in the world are also reviewed.