化学水浴法合成CdS粉末的黄光发射特性

利用化学水浴法,在80℃合成了CdS．在氩气氛下,500℃下退火1h,得到六方相的CdS．对吸收光谱的分析,得到六方相CdS的平均吸收边为～510nm;Raman测试中发现3个较强的峰,分别是CdS的1LO,2LO和3LO峰;光致发光谱表现出较强的黄光发射,2个较强的峰分别起源于CdS的带隙发射和表面态发射．这种CdS粉末可以被用作黄光LED的光转换层．     

一种新的荧光粉材料Ca8MgLu(PO4)7∶Dy3+的制备及发光特性

采用高温固相法合成一种黄色荧光粉Ca_8MgLu(PO_4)_7:Dy~(3+),通过X线衍射(XRD)荧光光谱(PLE,PL)和荧光寿命研究Ca_8MgLu(PO_4)_7:Dy~(3+)的发光特性.在350 nm近紫外光激发下,荧光粉呈黄光发射,蓝光发射峰位于480 nm处(由~4F_(9/2)→~6H_(15/2)跃迁产生),黄光发射峰位于572 nm处(由~4F_(9/2)→~6H_(13/2)跃迁产生),以黄光发射为最强.监测572 nm最强发射峰,激发光谱覆盖300 500 nm,主激发峰位于350 nm. Ca_8MgLu(PO_4)_7:Dy~(3+)的热猝灭性能良好:在150℃下的发光强度积分是室温25℃的87. 37%.研究结果表明Ca_8MgLu(PO_4)_7:Dy~(3+)荧光粉材料有潜力应用于发光二极管(LED)中.     

液相沉淀法制备碳纤维/二氧化锡复合材料及其相关性质

对碳纤维表面进行修饰,通过低温液相沉淀法制备碳纤维/二氧化锡复合材料。针对这种核壳结构提出成核以及生长模型。研究退火温度以及反应物SnCl2浓度对复合物的结构、形貌以及光学性质的影响。结果显示:随着反应物SnCl2浓度的提高,包覆得到改善。当SnCl2浓度为0.05 mol/L时得到的包覆最好,相应的二氧化锡壳层厚度约为250 nm。样品的荧光光谱表明:具有位于450~700 nm之间,峰值为583 nm的黄光。结合对退火样品的荧光光谱的研究得出宽的黄光发射峰可能归于氧空位。     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.     

锗/氧化硅纳米多层膜的电致黄光发射研究

通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.     

油酸石蜡体系中红光CdSe量子点的合成及其高显色指数白光LED制备

半导体量子点具有量子尺寸效应,其半导体带隙随着量子点尺寸的减小而增大.在油酸石蜡绿色合成体系中通过引入表面活性剂油胺来调控Cd Se量子点尺寸.加入油胺可得到大粒径的Cd Se量子点,其发光光谱范围可以扩展到红光区域,得到发射波长为630 nm的量子点.对红光量子点进行二氧化硅包覆得到稳定的光转换材料,并与蓝光LED芯片以及黄光荧光粉进行封装得到显色指数Ra为90的高显色指数白光LED器件.     

基于多光谱柑桔缺陷检测方法研究

基于多光谱技术探讨一种新的柑桔缺陷检测方法.构建由光照箱、多光谱光源、摄像机等部件组成的系统.根据色度学基础理论,采用图像融合技术对柑桔图像进行融合分析判断,得到使柑桔缺陷识别率最高的图像为红光、黄光、近红外光波段融合后的图像.对融合后的多光谱图像,采用Otsu等图像处理算法进行缺陷检测.实验表明,采用多光谱技术可快速有效的提取缺陷特征.     

基于含苯并噻二唑单元聚对苯撑乙炔的汞离子多模式化学传感器的研究

设计并合成了一种新型的主链含有苯并噻二唑单元的聚对苯撑乙炔共轭聚合物,在可见光下聚合物的氯仿溶液呈现出黄橙色,并且在紫外灯照射下发射出较强的黄光.通过吸收光谱、荧光光谱以及荧光寿命,对这种聚合物的汞离子传感性能做了详细研究,实现了对汞离子的比色、荧光和寿命的多模式检测,同时通过选择性及抗干扰实验,证明这种汞离子传感器具有高的选择性及抗干扰性能.这一共轭聚合物对汞离子的检测机理是通过汞离子与聚合物链中硫原子选择性络合而导致聚合物主链之间的聚集,进而导致聚合物的光物理性质发生变化.     

凝胶-燃烧法制备黄色荧光粉:LiY(MoO_4)_2:Dy~(3+)

采用凝胶-燃烧法合成了LiY(MoO_4)_2:Dy⁽³⁺⁾黄色荧光粉,借助XRD、FE-SEM、荧光光谱仪对样品的晶体结构、形貌、发光特性等进行了分析。结果表明:所得LiY(MoO_4)_2:Dy(3+)黄色荧光粉,借助XRD、FE-SEM、荧光光谱仪对样品的晶体结构、形貌、发光特性等进行了分析。结果表明:所得LiY(MoO_4)_2:Dy⁽³⁺⁾样品为四方白钨矿型结构,平均粒径为600nm左右;样品的发射光谱由位于488nm较强的蓝光发射、575nm很强的黄光发射和663nm较弱的红光发射组成,CIE1931色坐标为(0.3999,0.4448),位于黄光区;Dy(3+)样品为四方白钨矿型结构,平均粒径为600nm左右;样品的发射光谱由位于488nm较强的蓝光发射、575nm很强的黄光发射和663nm较弱的红光发射组成,CIE1931色坐标为(0.3999,0.4448),位于黄光区;Dy⁽³⁺⁾最佳掺杂量为x=0.050mol;柠檬酸的最佳加入量为n(NO_3(3+)最佳掺杂量为x=0.050mol;柠檬酸的最佳加入量为n(NO_3^-)/n(C_6H_8O_7)=4.5。     

反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .     

半导体光电子材料中的缺陷

介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性．发现随着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移。用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化。解释了有关发光现象。     

叶片延迟发光衰减方程的研究

由叶片延迟发光的双曲线衰减方程出发,对双曲线衰减方程进行修正,得到了延迟发光的衰减参数"1/p"随时间变化的结论;并初步探讨了延迟发光衰减与衰减参数1/p之间的关系,这些结果表明叶片延迟发光与生物系统内部组织存在密切联系,为揭示叶片延迟发光的特性和物理机理提供了依据.     

红花黄色素的提取与稳定性研究

用超声辅助法提取红花黄色素,通过单因素和正交试验对提取工艺进行了选择,研究了红花黄色素在紫外照射、酸碱度、不同金属离子下的稳定性.结果表明：当超声功率80 W,超声时间40 min,超声温度45℃时红花黄色素提取效果最佳,同时红花黄色素具有较好的耐酸性以及抗紫外性.     

生物超微弱发光的非线性分析

利用超微弱发光测量技术研究了不同时间间隔下延迟发光的衰减曲线.从实验测得的数据出发,抛开以往与实验不太相符的指数函数、双曲函数拟合理论,利用更能体现动力学特性的差分方程方法,分析延迟发光强度随时间的变化情况.根据测得的实验曲线,将光诱导后的光子辐射过程划分为快过程和慢过程2个阶段,推测2个阶段中,生物系统内激发态的相干作用不同,从而对生物超微弱发光物理机理--相干模型,进行了一定的验证,并对具有广泛生物学意义的延迟发光时间参数的研究具有一定的促进作用.     

BaBrCl:Ce3+光存储性能的研究

采用高温固相反应法制备了Ce3 掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3 中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于～390 nm;DAS为500～750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2 (X=Cl,Br)相比,该吸收带与He-Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3 有望成为一类新型的X射线存储材料.     

碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制

探索了从碳纳米管/纳米纤维（CNT/CNF）的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以 CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管.所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为 2.7 V/μm时的亮度可达600 cd/m².因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力.      

红色荧光粉YAlO3:Eu3+Cu+的制备和发光特性

研究了化学沉淀法制备YAP:Eu3+Cu+荧光粉,得到适宜工艺参数.用XRD和PL谱分别表征前驱体的晶体结构和荧光粉的荧光特性.前驱体的焙烧温度为1 200℃,焙烧时间为2 h;Eu3+的适宜掺杂浓度为3%,而且在398 nm紫外光激发下荧光粉呈现红色光谱,这是由于Eu3+的4fn电子组态内5D0→7FJ(J=0～4)的跃迁发射,由5D0→7F2的发射特性和发射强度表明Eu3+主要处于非反演对称中心.Cu+增强了YAP:Eu3+的发光强度是因为Cu+→Eu3+之间的能量传递,Cu+对Eu3+有敏化作用.     

玉米黄色素的提取——玉米渣皮的综合利用之一

玉米渣皮是玉米淀粉加工中的下脚料,含有天然色素和其他可食性成分.本文从浸提溶剂、温度、时间及提取次数等方面探讨了自玉米渣皮中提取玉米黄色素的最佳工艺条件,确定了色素提取的工艺路线.     

红色荧光粉YAlO3：Eu^3＋Cu^＋的制备和发光特性

研究了化学沉淀法制备YAP：Eu3＋Cu＋荧光粉,得到适宜工艺参数.用XRD和PL谱分别表征前驱体的晶体结构和荧光粉的荧光特性.前驱体的焙烧温度为1 200℃,焙烧时间为2 h;Eu3＋的适宜掺杂浓度为3%,而且在398 nm紫外光激发下荧光粉呈现红色光谱,这是由于Eu3＋的4fn电子组态内5D0→7FJ（J=0～4）的跃迁发射,由5D0→7F2的发射特性和发射强度表明Eu3＋主要处于非反演对称中心.Cu＋增强了YAP：Eu3＋的发光强度是因为Cu＋→Eu3＋之间的能量传递,Cu＋对Eu3＋有敏化作用.