用电化学法研究咪唑啉类缓蚀剂对碳钢的缓蚀性能

本文用线性极化，Tafel曲线，交流阻抗等电化学方法测定了三种咪唑类缓蚀剂在油田水中对碳钢的缓蚀性．找出缓蚀剂的最佳有效浓度，比较出这几种缓蚀剂之间的缓蚀效率大小，初步分析其缓蚀机理及其缓蚀效率差异的原因     

几种咪唑类缓蚀剂的合成及其对铜缓蚀性能的测试

咪唑类及咪唑啉类缓蚀剂具有低毒性，用量少，缓蚀效率高的特性。文章合成的缓蚀剂具有合成方法简单，原料易得、产率高，在所施用的腐蚀体系中用量少缓蚀效率高，达到所需缓蚀效率时，铜电极在含有该缓蚀剂的溶液中缓蚀剂的用量远少于其他缓蚀剂等优点．     

含氮有机缓蚀剂JZH-1的研究

合成了一种含氮有机化合物JZH-1,采用失重法和电化学方法测定了其在盐酸溶液中对碳钢的缓蚀效果．结果表明：JZH1对45^#钢在浓盐酸中的腐蚀有较好的缓蚀作用,是一种高效缓蚀剂．该缓蚀剂可同时抑制45^#钢在盐酸中腐蚀的阴极过程与阳极过程,是混合型缓蚀剂．     

新型Schiff碱的合成及对铜缓蚀性能研究

合成了新型Schiff碱缓蚀剂:1,5-二甲基-2-苯基-4-(4-羟基苯亚甲胺)-3-吡唑啉酮(MBAP).采用UV-vis和FT-IR对其结构进行了表征.采用电化学交流阻抗(EIS)和极化曲线测试方法,研究了不同浓度的缓蚀剂MBAP-乙醇溶液在0.5mol/L NaCl溶液中对紫铜防腐蚀性能的影响.结果表明,随着缓蚀剂-乙醇溶液浓度的增大,缓蚀剂对紫铜的缓蚀效率增大.当加入0.5mol/L NaCl溶液中的缓蚀剂-乙醇溶液浓度为2.0mmol/L时,缓蚀效率达到最大值.MBAP通过化学和物理吸附两种形式在铜表面形成自组装膜,起到良好的防腐蚀性能.     

改性木素的缓蚀性能研究

木质素经Ｍａｎｎｉｃｈ反应改性,合成了一类含磷高分子缓蚀剂。在０．５２Ｎ硫酸溶液中借助失重法和电化学方法进行了缓蚀效果的测定。当缓蚀剂用量２０ｍｇ／ｌ时,对Ａ３风的缓蚀率达８７％。该化合物为阳极型缓蚀剂。     

一种油田酸化用醛酮胺缓蚀剂的合成及缓蚀机理研究

提出了一种合成温度低、污染小的醛酮胺缓蚀剂的合成工艺,通过正交试验得出了醛酮胺缓蚀剂的最佳合成条件。研究结果表明:合成的缓蚀剂质量分数为0.5%,在质量分数20%以下的HCl中,当使用温度低于90℃时,对P110钢材的缓蚀率可高达99%以上。电化学分析表明,该缓蚀剂为抑制阴极型为主的混合型缓蚀剂,通过在P110碳钢表面产生吸附膜而起缓蚀作用。随着缓蚀剂加量的增大,吸附膜越厚,极化电阻也越大。     

HCl介质中双子季铵盐表面活性剂对碳钢的缓蚀性能

采用质量损失法和电化学方法,研究羟基丙撑双(十二烷基二甲基氯化铵)(HPB)双子型季铵盐表面活性剂在40℃1.0 mol/L HCl、KCl、NaCl和HCl复配缓蚀介质中对碳钢的缓蚀性能。结果表明:HPB是一种性能优异的缓蚀剂,随着浓度的增大,其缓蚀效率逐渐增大,在质量浓度为50 mg/L时,缓蚀效率能达到98%。通过对吸附等温式的探讨,计算出其吸附自由能为-14.64 kJ/mol,推断出HPB在碳钢表面的吸附行为主要为物理吸附。电化学方法的测试结果表明,HPB是一种以抑制阴极反应为主的混合型缓蚀剂。     

聚天冬氨酸在盐酸中对碳钢的缓蚀作用研究

用电化学阻抗谱法对聚天冬氨酸(PASP)在1mol/L盐酸中对45#碳钢的缓蚀性能进行了测试.结果表明:实验条件下PASP具有一定的缓蚀保护能力,缓蚀效率可达80.66%;实验浓度范围内与传统缓蚀剂乌洛托品的缓蚀效果相当,有望成为酸性环境的绿色缓蚀剂.     

复配缓蚀剂在油水混合液中的缓蚀性能

以2-巯基苯并咪唑（MBI）为缓蚀剂,MBI与十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为复配缓蚀剂,考察其在模拟油田情况下对20#钢的缓蚀性能的影响。采用SEM和AES考察缓蚀剂使用前后碳钢的表面形貌和各元素含量,利用腐蚀速率快速评定仪对20#钢材料的腐蚀速率进行测定,由电化学工作站测试20#钢的极化曲线和交流阻抗曲线。实验结果表明,当测试温度为30℃时,单独使用MBI对20#钢有一定缓蚀效果, MBI质量浓度为1.98g/L时缓蚀效率最高,为86.04%;当采用MBI+CTAB复配缓蚀剂时,缓蚀效果优于单独使用MBI时的缓蚀效果, CTAB质量浓度为0.3g/L时缓蚀效率达到95.87%。     

松香酰胺基多巴胺的合成及缓蚀性能评价

以松香和多巴胺为原料合成了一种新型油田注水缓蚀剂——松香酰胺基多巴胺。考察反应物配比和反应时间对产率的影响;利用静态失重法评价其缓蚀性能并通过电化学、吸附热力学及扫描电镜对其作用机理进行研究。实验结果表明,松香酰胺基多巴胺的最佳合成条件为:室温下,松香与多巴胺的摩尔比为1∶1.20、反应时间为24 h;在60℃下,矿化度为54 303 mg/L的腐蚀介质中当缓蚀剂质量浓度为150 mg/L时,N80钢片的腐蚀速率降至0.062 1 mm/a,缓蚀率达65.97%。电化学测试表明了该缓蚀剂属于抑制阴极型为主的混合型缓蚀剂,在金属表面的吸附自发进行,吸附符合Frumkin等温式,吸附类型为化学吸附。     

非晶态Pt壳层Ni@Pt纳米粒子的甲醇电催化氧化动力学

通过连续两步化学还原法制备了非晶态金属壳层的Ni@Pt纳米粒子,并通过球差校正高分辨透射电镜、XRD、EDS及XPS对其微观结构及组成进行了表征。运用电化学方法研究了硫酸溶液中甲醇在该纳米粒子上的电化学反应动力学过程。结果表明:采用这种方法制备出了非晶态金属Pt包覆的Ni@Pt核壳型纳米粒子,平均粒径约为12nm,壳层厚度约为1～2nm;非晶态壳层Pt纳米粒子上的塔菲尔斜率最小值为0.075,比晶态纳米粒子的低;同时甲醇反应级数最大值可达到0.60,比晶态纳米粒子的高。这说明非晶态金属是高活性的甲醇电氧化催化剂。     

光系统II(PSII)抑制剂的合成与生物活性研究

合成了系列新型光系统 II (PSII)抑制剂 ,进行了元素分析和生物活性测试 .测试结果表明 ,所合成的化合物均具有希尔反应抑制活性 ,有一些化合物的活性还较高 ,为新型 PSII除草剂的开发应用提供了重要信息 .     

含偶氮基聚席夫碱的合成与表征

以对苯二甲醛和4,4’-二氨基偶氮苯衍生物为原料合成得到了3种含偶氮基聚席夫碱化合物,并利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱及荧光光谱进行了表征.结果表明,取代基为-OH时聚合物最大紫外吸收波长λmax最大,荧光光谱显示3种聚合物荧光性都比较弱.采用不含偶氮基的类似结构的聚席夫碱化合物作对照,表明偶氮基团的引入减弱了聚合物的荧光性.     

苯并三氮唑衍生物的缓蚀性能研究

以苯并三氮唑（BTA）为原料合成1-羟甲基苯并三氮唑,将其与乙二胺按一定比例混合,通过挂片、电极化曲线以及交流阻抗等实验方法对其缓蚀性能进行了测定.证明该缓蚀剂在质量分数为3%的NaCl溶液中10mg/L的质量浓度下对黄铜的缓蚀率达到90%,比BTA有更好的缓蚀性能.电化学测量表明,新缓蚀剂的加入使铜的自腐蚀电位负移,增强了阴极极化的抑制作用,提高了铜电极表面的电荷转移电阻,从而具有教好的缓蚀效果.     

带Gauss型误差具有Rao简单结构的GMANOVA-MANOVA模型中未知参数的MLEs及其数字特征

文章利用极大似然估计的方法探求了带Gauss型误差具有Rao简单结构的GMANOVA—MAN0vA模型中未知参数的极大似然估计，并求出了其数字特征，由此可更好地了解此模型的理论意义和实用价值。     

三甲基四氢喹啉型杂环染料的研究 Ⅱ.甲川型分散染料的合成及结构与颜色关系

合成了２，２，４．７－四甲基－１．２，３，４－四氢喹啉的Ｎ－羟乙基，Ｎ－氯乙基，Ｎ－乙基 衍生物。由这些衍生物出发．合成了１０个四氢喹啉甲川型分散染料。讨论了染料的 结构与吸收光谱之间的关系，发现染料的摩尔消光系数较高，但四氢喹啉的７－位上 引入甲基后，摩尔消光系数有所下降；在环己烷中染料的最高吸收波长最小，摩尔 消光系数最大；在环己烷、丙酮、氯仿、乙醇、甲苯５种溶剂中，λｍａｘ与ζｍａｘ均呈 线性关系，经 ＰＰＰ－ＭＯ计算，染料 λｍａｘ的计算值与实验值基本一致。     

新型Atorvastatin类HMGR抑制剂的3D-QSAR和分子对接

羟甲基戊二酰辅酶A还原酶(HMGR)是内源性胆固醇合成的重要催化限速酶,通过抑制HMGR的活性可以降低内源性胆固醇的合成.HMGR抑制剂(他汀类)是治疗心血管疾病的最佳药物之一.运用计算机辅助药物设计(CADD)方法,综合三维定量构效关系(3D-QSAR)和分子对接分析研究已合成的HMGR抑制剂的结构与抑制活性之间的关系.根据最优3D-QSAR模型,再结合分子对接分析,设计出新型活性高的HMGR抑制剂分子.     

尿激酶短肽抑制剂的初步研究

以尿激酶为目标蛋白, 在噬菌体表面展示六肽库中对尿激酶的短肽类抑制剂进行了三轮特异性筛选. 提高噬菌体与尿激酶的比例及缩短作用时间从而提高筛选压力后, 与尿激酶亲和结合的噬菌体得到富集. 通过对第三轮筛选到的重组噬菌体的DNA序列分析, 获得一组相对保守的肽序列. 相应的合成短肽 NEPKAN 和VSPKVL 对尿激酶的抑制常数分别为32.5 μmol/L和88.6 μmol/L.     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．