Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高     

低温射频氧等离子体氧化SiO2／Si界面陷阱的DLTS研究

对温度５００℃、ＲＦ氧等离子体氧化生长的ＳｉＯ２形成的ＭＯＳ结构进行了ＤＬＴＳ测量。应用能量分辨ＤＬＴＳ模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为３～８×１０＾１２ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２；俘获截面σｎ（Ｅ）约为１０＾－１８ｃｍ＾２数量级。结合准静态Ｃ－Ｖ测量研究了后退火对陷阱的影响，经４００℃／３０分钟、Ｎ２气氛热退火可使陷阱密度降为１～２×１０＾１１ｅ     

Al离子注入Al—SiO2的研究

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

Al3＋替代对Mg－Mn微波铁氧体性能的影响

研究用Ａｌ３＋替代Ｆｅ３＋，对Ｍｇ－Ｍｎ尖晶石微波铁氧体性能的影响，结果表明，随Ａｌ３＋替代量增加，铁氧体的４πＭｓ下降，电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降。当ｘ＝０．４时，４πＭｓ在６００～６５０ＫＡ／ｍ，介电损耗和磁损耗都较小，适合于Ｓ波段器件的使用要求。用化学共沉法制备粉料，并用普通氧化物工艺制备Ｍｇ－Ｍｎ铁氧体，研究了烧结温度和气氛对铁氧体性能的影响。当ｘ＝０．４时，可制得如下性能的铁氧体：４πＭｓ：６００－６５０ＫＡ／ｍ；Ｔｃ：２５０℃；ρ：４．５×１０８Ω·ｃｍ；ｔｇδｅ：１．１×１０－２（ｆ＝２６ＭＨＺ）；ｔｇδＭ：１×１０－２（ｆ＝９ＭＨＺ）；ε：１１．０；Ｄ：４．６８×１０３ｋｇ／ｍ３．     

锇—钼酸盐—碱性染料显色反应的研究

在聚乙烯醇存在下，锇与钼酸铵和碱性染料罗丹明Ｂ，丁基罗丹明Ｂ，耐尔蓝形成离子缔合物，不同碱性染料所形成的缔合物服从比耳定律的浓度范围和摩尔吸光系分别是：０－１．２μｇ／２５ｍｌ和ε５７０ｎｍ＝２．６２×１０＾６Ｌ．ｍｏｌ＾－１ｃｍ＾－１；０－１．０μｇ／２５ｍｌ和ε５７０ｎｍ＝２．８６×１０＾６Ｌ．ｃｍ＾－１；０－１．８μｇ／２５ｍｌ和ε５８５ｎｍ＝２．８１×１０＾６Ｌ．ｃｍ＾－１；０－１．８μｇ     

C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜,ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ,具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋,ＢＢｒ３＾＋,Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入,Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有ｎ型掺杂作用,离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂,引起薄膜     

单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命

本文研究了单品－多晶硅Ｐ＋Ｎ结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 Ｐ型单晶硅上，用 ＬＰＣＶＤ法生长多晶硅薄膜，离子注入磷后， 形成 Ｐ＋Ｎ结。掺磷浓度从 ５．４×１０１４ｃｍ－３变化到 ６．０×１０１８ｃｍ－３，相应二极管的 基区少数载流子寿命从１．４×１０－１０Ｓ减少到７．５×１０－１３ｓ并且随着晶粒尺寸的增加， 寿命变大。实验结果和 Ｈｏｗａｒｄ Ｃ．Ｃａｒｄ等人对 Ｎ型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合．     

铁液中镁硫平衡

用密闭容器蒸汽法测定了１６００℃下，纯铁液中镁硫平衡时的镁硫溶度积为Ｋ＾１ＭｇＳ＝２．３６×１０＾－４，求得平衡常数ＫＭｇｓ＝２．１０×１０＾－４。     

C++中运算符++的机器实现

从Ｃ＋＋中＋＋运算符中的机器实现层面探讨＋＋的确切含义，从而提出进一步规范＋＋运算符的使用建议；同时指出，从机器实现的角度揭示高级语言中某些疑难点具有的普遍意义。     

环F_p+uF_p+vF_p+uvF_p上的线性码

讨论了有限非链环R=Fp+uFp+vFp+uvFp上的线性码,分析了环R的结构,给出了此环上线性码的定义,并讨论了环R上(p4)k1(p3)k2(u)k3(v)k4(u+v)k5(p)k6型的线性码.     

“再+少+V+量词”结构探析

受生活中的例子"再少来点"启发,并以此为例,对其语法形式、语义表达、语用功能进行了分析,进而又对"再+少+V+量词"这一格式进行了分析。     

环F_(p~m)+uF_(p~m)+vF_(p~m)+uvF_(p~m)上的常循环码

研究了环Fpm+uFpm+vFpm+uvFpm上任意长度的常循环码的等价性,利用等价性给出了该环上一些常循环码及其Gray像的结构.     

关于丢番图方程(x+1)2+(x+2)2+…+(x+n)2=y2

利用数论方法得到了丢番图(x 1)2 (x 2)2 … (x n)2=y2有正整数解的必要充分条件,证明了当n=25时,无正整数解,当n=49时,仅有正整数解(x,y)=(24,357),当n=121时仅有正整数解(x,y)=(243,3366),同时证明了n=2,11时必有无穷多组正整数解,并给出了无穷多解的通解公式.     

关于丢番图方程ax2+by2+cz2+dxy+exz+fyz=gw2的整数解

当丢番图方程ax^2＋by^2＋cz^2＋dxy＋exz＋fyz=gw^2有整数解x0,y0,z0,ω0（ω0≠0）,（x0,y0,z0, ω0）=1时给出它满足（x,y,z,ω）=1,ω≠0的全部整数解的公式：{x=ηx-ξm/t,y=ηy0-ξn/t,z=ηz0-ξp/t,ω=ηω0/t其中η=am^2＋bn^2＋cp^2＋dmn＋emp＋fnp,ξ=2（ax0m＋by0n＋cz0p）＋d（nx0＋my0）＋e（px0＋mz0）＋f（py0＋nz0）,（m,n,p）=l并利用所得结果证明几个推论．     

V上和V下

V上和V下各自可以分成若干不同的类型,它们表达的语义不同,出现的时代也不同。这些不同类型的语义是有联系的,特别是和原型语义有直接或间接的联系。有时用V上和V下似乎意思差不多,但仔细分析还是有差别的。在吴方言中,V下说成V落,但《海上花列传》中,即使在对话中也多写作V下。     

用VC++6.O开发拨号上网程序

越来越多的应用程序要求在程序中实现直接拨号上网.介绍了如何在中文Windows95/98操作系统上用VC++6.0开发实现拨号上网的程序.     

从C++模板到STL

该文以一个作用于不同数据结构上的搜索算法为例，先说明了C 模板支持泛型的不足，然后引入迭代算子改造了这个搜索算法，展示了STL支持泛型的强大能力．     

环R+uR+vR+uvR上的斜常循环码

有限连环上的斜常循环码已经得到广泛研究,本文主要讨论环?=R+uR+vR+uvR (u~2=-u,v~2=-v,uv=vu)上的斜常循环码,其中R为有限链环。通过环?的直和分解证明了环?上长为n的线性码C是斜常循环码的充分必要条件是C_1、C_4是R上的长为n的斜循环码,C_2、C_3是R上长为n的斜负循环码。进一步地,分别讨论了斜常循环码的生成矩阵与它的对偶码的生成多项式表达形式。