Nd4F377.5B18.5纳米合金的磁化和反磁行为

研究了Ｎｄ４Ｆｅ７７．５Ｂ１８．５纳米合金的高场磁化特性及磁化场高低对其反磁化行为的影响，结果表明，在磁化场μ０Ｈｍｃ＝７Ｔ时此合金仍没完全饱和，当磁化场Ｈｍｃ高于某一临界值Ｈｍｃ时，材料才表现出明显的永磁性，材料的永磁性来源地各相晶粒间的交换耦合作用。     

非晶态合金材料磁化特性及其应用的研究

描述了非晶态合金材料的电磁感应效应并推出反映被测磁场变化的输出电压关系式．论述了非晶态合金磁芯材料的磁化特性曲线，分析了磁化曲线的非线性特征形式、非线性区间宽度、磁芯磁化工作点与传感器灵敏度、线性输出特性、稳定性之间的关系．在此基础上介绍了脉冲感应型磁场传感器的检测原理，并给出了部分实验结果。     

铁磁质磁滞回线的动态测量

本文介绍了如何利用示波器观察和测量铁磁质的动态磁滞回线、剩磁、矫顽力等．并通过实验说明了铁磁质的磁化特性不仅与材料自身性质有关．还与磁化场的波形及频率有关．     

二模外场下键稀疏铁磁混合Blume-Capel模型的磁化

利用有效场理论和切断近似,研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1／2和1的Blume-Capel模型的磁化．在M-T空间中,重入磁化现象出现在适当的晶场范围内,键稀疏的引入可在两个不同的晶场区出现重入磁化．在M-H空间中,磁化趋于零时临界磁场在整个晶场范围内表现出振荡行为．而键稀疏对这种行为有弱化作用,并导致磁有序区减小．     

立方晶体磁记录薄膜稳定磁化的取向研究

导出了易磁化轴沿着x轴时薄膜能量密度的取向通式；分析了薄膜进行稳定磁化的取向数；讨论了能量密度随取向角变化的关系，结果显示：在水平方向上，系统有4个稳定的水平磁化取向，能量密度与2K1之比在θ的取值范围内有最小值，但各曲线最小值对应的θ则不同；在竖直方向上，当α取一周时，有4个稳定磁化方向，但此时的稳定磁化弱于不稳定磁化；当分别保持磁化场和磁化强度不变时，两种情况下的能量密度与2K1之比值都有最大值和最小值，且各曲线上最大值与最小值对应的位置相同．     

CdGd2(WO4)4单晶的磁性研究

磁化曲线σ-H和电子自旋共振谱（ESR）表明钨酸钆镉（CdGd2（WO4）4，简称CGW）单晶具有磁各向异性．当外磁场等于零或者较小时，难磁化方向的磁化强度为负值，利用各向异性场对此进行了解释，并由ESR谱计算出了各向异性场．     

二级非线性光学效应的磁性研究

光在介质中传播时，由于光电磁感应的作用，介质产生电极化和磁化现象．本文从麦克斯韦方程出发，推导出二级非线性光学效应的磁化波耦合方程．     

旋转磁化法在六角晶系中的应用：理论与模拟

用VSM在固定外场大小下旋转样品,由测得的旋转磁化曲线推知具有面内单轴磁各向异性的薄膜材料的磁各向异性场,是一种测量材料一阶和二阶磁晶各向异性常数的新方法.该文基于能量最小原理,对具有平面型各向异性的六角晶系的面内旋转磁化曲线进行了严格的理论推导.我们将理论模型应用于具有六角晶系的平面型各向异性的球形颗粒中,系统讨论了不同大小的外场在基面内旋转时颗粒的旋转磁化曲线.理论计算结果与蒙特卡洛模拟结果相符.研究发现,在外磁场远小于磁晶各向异性场时,为了拟合实验的旋转磁化曲线,必须充分考虑矫顽力对磁化反转过程的影响.我们的工作证明,通过VSM测量旋转磁化曲线为确定六角晶系的面内磁晶各向异性常数K3提供了新途径,并提出当外场的大小约为面内各向异性场的0.2时,测量效果最佳.     

大面积钢板局部磁化的三维有限元分析

采用三维有限元方法研究了大面积钢板漏磁检测的局部磁化，分析了钢板宽度变化对磁化效果的影响，论证了局部磁化的可行性．研究了励磁装置中永磁体磁厚度、磁极面积以及磁化间隙等变化对局部磁化效果的影响．分析表明，永磁体极面积是影响磁化性能的关键因素，当钢板内局部被磁化饱和时，永磁体厚度和磁化间隙的影响不显著．根据有限元优化结果设计的大面积钢板漏磁检测的励磁装置在实践中得到了应用．     

铁磁材料磁化涡旋在应变作用下的响应简

磁化涡旋是微米/亚微米铁磁材料中一种常见的磁畴结构，由于它可以被用于高密度的磁性存储设备中，近年来受到了人们的广泛关注。本文基于随时间变化的Ginzburg-Landau方程，采用实空间下的相场模型研究了铁磁材料中磁化涡旋的力磁耦合行为，探讨了铁磁纳米圆柱体中自发磁化涡旋形态以及该结构在沿圆柱体轴向应变作用下的响应行为。结果表明，沿圆柱体轴向的应变对面内磁化分量的幅值和分布影响十分微弱，但对垂直于圆柱体表面磁化分量的影响却十分明显，具体表现为平面外磁化分量的幅值将随着拉应变的增大而增大，又会伴随压应变的增大而减小。随着平面外磁化分量的增加，则更容易探测到该磁化涡旋的极性情况，从而有利于实验观察和实际应用。     

Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜的磁场增强马氏体相变应变研究

采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。研究薄膜的晶体结构、磁化行为以及磁场对马氏体相变应变的影响。试验结果表明,经823 K退火1 h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜,室温下处于奥氏体态,呈较强的(110)织构特性,且室温饱和磁化强度约为40 emμ/g。试验还发现,当沿膜面方向施加0到0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。     

In situ TEM observation of magnetization-enhanced dislocation emission and motion for 60Fe40Ni alloy

Summary The magnetization for Fe40Ni alloy in the magnetic field can enhance dislocation emission, multiplication and motion.     

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.     

用MET分析NdFe_（10）V_2，NdFe_（10）V_2N_（0．5）Nd

用两格点分子场理论分析了ＮｄＦｅ１０Ｖ２，ＮｄＦｅ１０Ｖ２Ｎ０．５，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２，ＮｄＦｅ１０Ｍｏ２Ｎ０．５的饱和磁化强度随温度的变化关系，得到了分子场系数ｎＦＦ，ｎＦＲ和ｎＲＲ，计算结果与实验基本一致，计算结果表明，氮元素增大了交换场ＨＲ．     

FeCuNbSiB微晶软磁材料的成分,组织及热处理工艺选择原则

文中讨论了新型超微晶软磁合金－ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ合金的成分，组织及热处理工艺选择原则。通过实验证明了采用合适的成分和热处理工艺，可ｅＣｕＮｂＳｉＢ非晶转变为纳米级超微晶合金。该合金具有较高的饱和磁感应强度，高磁导率，低矫无顽力和低铁损的优良综合磁性能。     

（2＋L）给伊辛系统的Bragg—Williams近似

用层状伊辛系统作为描述性薄膜材料的模型,在Bragg-Williams近似的基础上,引入薄膜的结构因子,导出了自发磁化强度及矫顽力的表达式,并计算了磁滞回线。     

铁钴合金纳米线有序阵列的制备及其磁性表征

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝（AAO）模板，选摩尔比为1：1的CoSO4和FeSO4混合溶液为电解液，用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备Fe0.5 Co0.5合金磁性纳米线有序阵列．分别用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对多孔氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，用振动样品磁强计（VSM）对样品的磁学性能进行测试．结果显示，制备的磁性合金纳米线表面光滑、均匀，纳米线中的晶粒在生长过程中有（200）晶面的择优取向．VSM测试结果表明，纳米线阵列结构具有较高的垂直磁各向异性，当外场沿纳米线轴向磁化时，纳米线阵列有很大的剩磁比（Mr／Ms=0．7）和很大的矫顽力（饱和Hc=1700 Oe），说明样品经适当热处理后，剩磁比和纵向矫顽力普遍得到提高．     

pH值对Ni-Fe-P化学镀层结构与磁性质的影响

以硼酸为缓冲剂,柠檬酸钠为络合剂,在弱碱性体系中化学沉积Ni-Fe-P合金.采用电子能谱仪、X射线衍射仪、透射电镜和振动样品磁强计,研究镀液pH值和NiSO4/FeSO4物质量的比等对镀层组成、结构和磁性能的影响.结果表明,在化学沉积Ni-Fe-P合金中,Fe随着Ni被还原而共沉积,但镀层中Fe原子数分数不高,属诱导共沉积机理.镀液pH值的提高有利于Fe的还原沉积,但会使镀层中P原子数分数稍微降低,约为17.81%~22.0%,属于中高磷镀层.沉积条件对Ni-Fe-P镀层的结构影响不大,合金镀态均为非晶态或微晶结构.Ni-Fe-P合金的磁性能与沉积条件密切相关,随着镀层中铁原子数分数的增加,镍原子数分数降低,镀层的饱和磁化强度和剩余磁化强度均增加.     

Electric-field control of ferromagnetism

It is often assumed that it is not possible to alter the properties of magnetic materials once they have been prepared and put into use. For example, although magnetic materials are used in information technology to store trillions of bits (in the form of magnetization directions established by applying external magnetic fields), the properties of the magnetic medium itself remain unchanged on magnetization reversal. The ability to externally control the properties of magnetic materials would be highly desirable from fundamental and technological viewpoints, particularly in view of recent developments in magnetoelectronics and spintronics. In semiconductors, the conductivity can be varied by applying an electric field, but the electrical manipulation of magnetism has proved elusive. Here we demonstrate electric-field control of ferromagnetism in a thin-film semiconducting alloy, using an insulating-gate field-effect transistor structure. By applying electric fields, we are able to vary isothermally and reversibly the transition temperature of hole-induced ferromagnetism.