光控晶闸管光触发灵敏度的实验研究

本文论述光控晶闸管(LTT)的光触发灵敏度与dV/dt之间的制约关系。指出在管芯工艺和光敏区结构上采取一定措施,可以得到比较高的光触发灵敏度,并保持足够大的dV/dt。     

绝缘栅控PIN二极管型晶闸管的研究

设计了一种新颖的绝缘栅控ＰＩＮ二极管型晶闸管（ＩＧＰＤＴ）．此结构绝缘栅ＰＩＮ二极管被用来有效地控制晶闸管的开启及关断．通过二维数值模拟研究了ＩＧ－ＰＤＴ的通导特性及开关特性．结果显示ＩＧＰＤＴ有与槽栅基区电阻控制晶闸管（ＴＢＲＴ）类似的导通特性,其栅控电流关断能力达几百Ａ／ｃｍ２,且电阻负载的开关速度是ＴＢＲＴ的三倍多．     

受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究

本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。     

高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路的设计

设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.     

基于交流电机负载双向晶闸管关断电压暂态研究及缓冲电路参数优化

研究了以三相交流电动机为负载的双向晶闸管关断电压的暂态过程.采用综合矢量法建立关断过程的非对称系统暂态数学模型,求解结果揭示了双向晶闸管关断电压峰值及其dU/dt随RC缓冲电路元件参数的变化规律.该规律表明:缓冲电阻R存在最佳取值,它使dU/dt达到极小值,从而为合理设计缓冲电路提供了理论依据.     

脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.     

高压光触发晶闸管的研制

本文分析了影响高压光触发晶闸管(LTT)灵敏度和dV/dt容量的因素。文中采用数值迭代法和建立等效电流模型,对P_B层结构参数和门极-阴极几何图形尺寸进行了合理设计。为提高灵敏度,考虑了槽状的光入射区,阐述了槽深的选取原则。在此基础上研制出的高压光触发晶阐管管芯,其光触发功率和dV/dt容量的测量结果与计算值是吻合的.     

光触发晶闸管的计算机辅助设计

本文较详细地论述了光触发晶闸管(LTT)的计算机辅助设计方法。本方法可以选取管芯结构的最佳参数,使光触发灵敏度、dV/dt容量和正向阻断电压之间得到较好的协调。实验结果表明,主要特性参数的理论预测值和实测值吻合较好。     

改进BISQ模型的双相介质地震波场数值模拟及频散校正

从改进BlSQ模型的双相介质所对应的速度-应力运动方程出发,构建2×2N阶交错网格有限差分模拟算法:同时,为压制模拟过程中的数值频散现象,采用通量校正传输(FCT)技术获得带FCT修正的交错网格有限差分模拟算法,对各向同性双相介质进行地震波场数值模拟.研究结果表明:(1)波场存在快纵波、慢纵波和横波等波场特征,并与模型的理论响应相符,说明交错网格模拟算法具有正确性和可行性;(2)采用FCT修正的交错网模拟算法能够有效压制数值频散,并保留真实的波场特征.     

晶闸管整流电路管压降分析方法研究

目的采用电路分析法和仿真分析法对晶闸管相控整流电路中晶闸管压降进行分析研究。方法通过采用电路等效变换以及MATLAB仿真,对不同种类、不同负载性质的整流电路中晶闸管管压降进行了详细分析。结果/结论实践表明,两种方法分析结果完全一致,而且电路等效变换和仿真技术的应用可以使晶闸管相控整流电路分析更快、更简单。     

一种采用阴极开路技术的GTO门极驱动电路

提出了一种使用阴极开路技术的GTO关断电路,该电路具有高开关速度、低能量损耗等优点,并且能很好地政善电路的抗du/dt能力.     

提高高频晶闸管di/dt耐量的研究

为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较低的一扩浓度，较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。通过对相同工艺三种不同阴极图形的８００Ａ、１０ｋＨｚ高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的研究，论证了合理确定辅助晶闸管面积对提高ｄｉ／ｄｔ的重要性，并指出，在大面积高频晶闸管中设计二级放大门极，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。     

微机控制可控硅逆变器PWM变频调速系统

采用功率可控硅和二极管构成交直交变频调速系统。逆变器的可控硅用电容器关断,电容器贮存的初始电荷用预充电的形式给定,放电和再充电在逆变器工作过程中自动切换。给出了控制系统的硬件组成和软件结构,并说明了系统的特点。在实验室中进行了实验研究,结果表明系统是可行的。     

实用晶闸管状态辨识软硬件设计

针对应用于高压领域的半控型器件晶闸管容易出现短路故障的情况,根据晶闸管短路故障的特征提出了一种新型、实用的适用于高压环境的晶闸管模块击穿状态辨识原理及软硬件设计方案。本方案用光纤取得信号,隔离高压,用施密特触发器对信号处理,用单片机对晶闸管进行状态识别。文中分析了对信号的识别方法和抗干扰原理。该原理安全,有效,易于实现。对于保护半控型器件晶闸管及保障电力系统的安全运行具有重要的意义,这种原理和实现方案具有良好的灵活性和广泛的应用性。     

可编程和可记忆的炉温实时控制系统

本系统通过Z-80CPU中央微处理器及A/D、CTC等外围接口电路,利用热电偶进行温度检测,由毫伏放大环节及A/D转换器输入采样信号。微处理器将采样信号与给定温升曲线相比较,经过运算对炉温进行跟随控制,并随时显示现场炉温。 一、硬件设计 该系统灵活地利用具有定时和计数功能的CTC芯片来控制晶闸管导通角及采样周期,以直接产生晶闸管的触发脉冲信号,此外,对热电偶的微弱信号处理不是采用传统的温度变送器,而是利用精密运算放大器构成放大环节,以硬件处理方式将8位A/D转换精度     

晶闸管直流稳压电源的稳态误差

根据晶闸管直流稳压电源系统的典型结构，分析稳态误差种类，导出一般公式，提出减小稳态误差的一般方法。     

薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.     

一种新型的数字触发器

本文介绍一种新型晶闸管直流调速系统中应用的数字触发器的工作原理和方法,并给出程序框图和实验结果。