甘油降温过程中玻璃化转变的介电谱研究

采用介电谱方法对甘油进行了测量，测量的条件为从室温至160K降温，频率范围为1Hz-10^6Hz，得到甘油的复介电常数ε＊（任意单位）的实部ε′和虚部ε″随温度T的变化关系．结果表明，在甘油降温过程中，a-弛豫过程在所示温区ε′主要有两个变化过程Ka和Cd而ε″主要有两个变化过程a和Ld     

聚醋酸乙烯酯熔体的力学谱

利用液态内耗仪研究了聚醋酸乙烯酯(PVAc)在其玻璃化转变温度（Tg）及其以上温度区域的力学弛豫行为.结果表明：PVAc内耗与温度的关系曲线上存在α和α′ 2个弛豫型内耗峰，α峰与PVAc的玻璃化转变有关，α′峰则对应于一种液/液转变，且两者的弛豫时间均满足Vogel Fulcher Tamman关系；在PVAc熔体内耗与频率的关系曲线上，交叉温度TB≈387 K处的α′峰的弛豫时间、弛豫强度和分布参数均出现了一个转折，这是由于降温过程中TB至Tg之间分子耦合作用显著增强的结果.     

Ni-Al系合金中的逆马氏体相变

采用多功能内耗仪测量室温至400 °C过程中，油淬Ni 36Al二元合金以及Ni27Al-12Fe、Ni-21.2Al-20Fe和Ni-24Al-16Fe三元合金的内耗和相对动力学模量，并采用X射线衍射仪分析了合金的相组成.结果表明：油淬Ni-36Al合金具有完全马氏体结构，油淬Ni-21.2Al-20Fe合金中含少量马氏体和大量类似Ni3Al和Ni5Al3的金属间化合物；在相同的频率和升温速率条件下，油淬Ni-21.2Al-20Fe的内耗峰最高且最窄，其内耗峰所对应的温度最低，油淬Ni-36Al的内耗峰最低且最宽，其内耗峰所对应的温度最高，并随Fe含量的增加而降低，且与其当量Al（Aleq）含量有关；内耗峰高度与单位时间内马氏体（L10）转变为奥氏体（γ）的转变量有关，而总的转变量与转变时间（峰宽）有关.     

巨磁电阻材料La0.85MnO3的低频内耗和电磁性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了自掺杂巨磁电阻材料La0.85MnO3的温度内耗谱.结果表明内耗峰位不随频率的变化而变化,但峰高和频率成反比且对应的内耗峰处模量有明显变化,这说明对应的内耗峰处的变化是由某种相变引起的.内耗、电阻及磁化率曲线的对应关系,说明该材料出现了顺磁-铁磁转变和半导体-金属转变,所伴随的结构变化导致了内耗峰的出现.     

液态簧振动力学谱仪测量重复性的实验验证

首先拟定了液态簧振动力学谱仪（RMS-L）测量液态复杨氏模量重复性的验证方案，即选取甘油作为验证材料，验证参量为对应于甘油液体的仪一弛豫过程的复杨氏模量．然后，选取了16个甘油样品，并分别对每一个样品进行一次从室温至-120K的降温和升温循环测量．实验结果表明，16个甘油样品的α-弛豫过程所对应的储能和损耗模量相差较小，16个甘油样品中，对应于α-弛豫过程的损耗模量峰的半高宽的相对标准偏差仅为4％，样品最大相对偏差也只有6％，表明本课题组自制的RMS-L测量的重复性相当好．另外，在本文所用2．42-4．36mg质量范围内，并未发现损耗模量峰的半高宽与样品质量有明确的依赖性．值得指出的是，在238K附近，还发现一个微妙的新过程，其储能模量的变化为α-弛豫的-5％，其物理起源仍不清楚．     

尼龙1010／6共聚物动态力学性能研究

用动态力学方法研究发现尼龙１０１０／６共聚物在测试温度范围内有三个松驰峰，分别为α、β、γ松驰峰。在温度谱中，１＃、２＃、６＃样品的α松驰峰较宽，３＃、４＃、５＃样品的α松驰峰较窄，各样品的β、γ松驰峰峰形较小，相差不大。其中２＃样品的α松驰峰最高，动态模量最大；４＃样品的α松驰峰最低，模量最小。     

La0.7Pb0.3MnO3材料的低频内耗与电磁输运性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料La0.7Pb0.3MnO3(LPMO)的温度内耗谱,所用频率为0.1,0.3,1.0Hz,温度从130～360K.实验结果表明在该材料的居里温度255K附近有一内耗峰并对应有模量软化.通过改变测量频率,发现内耗峰的峰位和模量的下降与频率无关,但改变频率时,其模量软化及内耗峰高度都有所改变,这与热激活型弛豫内耗峰明显不同.结合该材料的交流磁化率和零场电阻R(T)随温度变化的测量结果,表明该内耗峰是由于顺磁到铁磁相变中产生的磁熵所致,而模量的软化则表明伴随着顺磁到铁磁转变的过程,LPMO材料发生了Jahn-Teller晶格畸变.另外我们还研究了LPmO材料在O2气氛中经900℃,2h退火后,电磁输运性能和内耗的变化情况.结果表明,经在O2气氛中退火后的材料,其零场下电阻峰R(T)和交流磁化率曲线右移,居里温度Tc为272K,对应的内耗峰也向高温移动,这是因为氧含量的增加会产生等量的阳离子空位,使Mn4+/Mn3+比率增加,导致了Tc和TMI增高.     

La0.85Te0.15MnO3的电磁输运性质及其内耗的研究

研究了La0.85Te0.15MnO3的电磁输运行为及其内耗。其磁化强度随温度的变化曲线经历了一个从顺磁到铁磁的转变,其电阻率随温度变化曲线出现了2个转变峰,其中高温峰在居里温度TC对应于顺磁到铁磁的磁转变。在金属到绝缘转变区域出现了内耗峰,并且模量也出现了变化。     

硅扩散应力的理论分析

参考热弹性力学中的薄板热应力理论，推导出硅薄片中扩散应力的表达式；讨论了单面扩散和双面扩散硅片中的应力分布规律；并将理论结果跟光弹实验结果作了比较，发现它们之间有比较好的一致性。     

La2Cu1-xZnxO4+δ低频内耗研究

对La2Cu1-xZnxO4+δ(0≤x≤0.2)系列样品的低频内耗和模量进行了研究.发现0≤x≤0.005时样品在低温存在两个弛豫内耗峰,分别是由样品中两种状态的额外氧跳跃弛豫引起的;当0.05≤x≤0.2时样品只存在一个内耗峰,该内耗峰可归于由共价氧对的额外氧跳跃引起,其峰位随掺杂量的增加向高温移动.不同掺杂量样品的模量曲线揭示高温处的模量反常对应着体系的正交-四方结构转变;此相变发生的温度随掺杂量的增加向高温移动.     

在铁基底上以Au/Cu为过渡层沉积金刚石膜

采用热丝法化学气相沉积以碳纳米管为形核剂在Ａｕ／Ｃｕ 镀膜为过渡层的铁基底上沉积金刚石膜,研究了以Ａｕ／Ｃｕ 作为过渡层的铁基底上沉积金刚石膜质量的影响因素。试验结果表明, Ａｕ／Ｃｕ 过渡层可以在铁基底上沉积出质量很好的金刚石膜,涂料、基底预处理以及沉积工艺对金刚石膜质量的改善具有明显的作用。     

MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究

分析了沉积薄膜厚度、PECVD的薄膜沉积温度、反应气体形成的杂质以及多层薄膜之间热应力匹配等因素对薄膜残余应力的影响.应用光刻分割聚酰亚胺(PI)牺牲层、分层生长氮化硅薄膜及快速热退火等工艺减小薄膜残余应力,成功生长出了合格的氮化硅薄膜.     

TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长

研究了TiN／SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN／SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜．利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构．结果表明,尽管TiN和SiC的单层膜分别以纳米晶态和非晶态存在,但由TiN和SiC通过交替沉积形成的纳米多层膜却能够生长成为晶体完整性良好的柱状晶并呈现强烈的择优取向,显示了一种异质材料晶体生长的相互促进作用．纳米多层膜中的晶体互促生长效应与新沉积层原子在先沉积层表面上的移动性有重要关系。     

新型铝电解电容器中导电聚吡咯对电极的形成

研究了在铝电解电容器介质表面形成导电聚吡咯膜作为电容器对电极的方法。导电聚吡咯的沉积分为两个步骤。首先用化学聚合方法在介质膜上形成一薄层导电聚吡咯大此基础上再进行电化学聚合。实验分析了聚合条件对聚吡咯电导率的影响。制备出电导率力１０Ｓ／ｃｍ的聚吡咯膜和以此为对电极的新型固体铝电解电容器。     

北宿井田高岭岩矿床特征研究

对北宿井田内煤１８底板高岭岩矿床的赋存状态、岩性特征、矿物成分及化学组成进行了详细研究，并探讨了高岭岩的沉积环境及沉积规律。研究表明北宿井田高岭岩矿床分布稳定，质量较好，质量较好，具有重要的开采价值；其形成环境与成煤环境相近似，系泻湖、泥坪等弱水动力环境中由粘土质点及细粒陆源碎屑沉积而成，其母岩为酸性岩为酸性岩浆岩。     

碳化硼颗粒表面化学镀镍

对非金属B4CP表面化学镀镍前的活化工艺进行了研究,提出了NaCl活化工艺,在B4CP表面制备了镀镍层.镀层能谱分析及扫描电镜图片表明:在B4CP表面上得到了均匀、致密的镍包覆层,镀覆层含镍和磷元素.     

End-Hall源沉积类金刚石膜的实验

介绍了采用End-Hall源沉积DLC膜的方法,在简单说明其工作原理的同时给出了实验的各项技术参数;通过对实验结果和DLC膜样品的分析,可看出用End-Hall源沉积方式能够消除RFCVD沉积方式所带来的边缘效应.     

无汞碱锰电池锌负极的研究（Ⅱ）

在碱性锌锰电池负极铜集电体表面用化学方法分别沉积致密的铟、锌、锡单层和锌铟、锡、铟、锌锡双层金属。用动态析氢实验表征,发现沉积单、双层金属的集电体在含锌粉的7．0mol/L KOH溶液体系中的析氢量比无沉积层的铜集电体析氢量要小,其中沉积锌铟、锡铟双层的析氢量最小,与用循环伏安和极化曲线方法测试金属集电体的电化学行为的结果一致。在相同的条件下,将沉积不同镀层的集电体装配成电池进行放电,实验结果表明：集电体表面化学沉积铟、锌、锡单层或锌铟、锡铟、锌锡双层金属用来生产无汞碱锰电池的放电性能均超过这类电池的国家行业标准QB1185－01中的要求。     

等离子体增强化学气相沉积法制备类 金刚石薄膜研究综述

类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp³相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。     

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能

电致变色氧化镍薄膜的制备与性能张旭苹，陈国平（东南大学薄膜研究所，南京２１００１８）电致变色是指材料的光学性能（光的透射、反射和吸收）通过外加电场或电流的作用在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象，氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色...