（Ba1—xNdx）TiO3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ＾３＾＋浓度（０．１ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能。结果表明，当Ｎｄ＾３＾＋逍度为０．１ｍｏｌ％－０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ＾３＾＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导性，而当Ｎｄ＾３＾＋为０．６ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％时呈绝缘性，ＢａＴｉＯ３陶恣室温下的体电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＾＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ＾３＾＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρｖ和最佳的正温系数     

臭氧发生器用（Sr,Ca）TiO3陶瓷电极材料的研制

研究了掺杂成分ＢａＴｉＯ３,ＣａＳｉＴｉＯ５,ＴｉＯ２,ＺｎＯ,Ｂｉ２Ｏ３对臭氧发生器用（Ｓｒ,Ｃａ）ＴｉＯ３陶瓷电极材料的介电常数、正切损耗、击穿电压、电阻率等电性能的影响．结果表明,Ｂｉ２Ｏ３的影响最大．最适合的掺杂配方是：Ｂｉ２Ｏ３１．４０％,ＴｉＯ２０．３０％,ＣａＳｉＴｉＯ５０．３１％,ＢａＴｉＯ３０．５０％和ＺｎＯ０．５２％．     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

Nb掺杂Ba—Sn—W—O系半导瓷材料特性的研究

研究了Ｎｂ掺杂Ｂａ－Ｓｎ－Ｗ－Ｏ系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性。研究表明，该系列材料是主导电相为Ｂａ（Ｓｎ，Ｎｂ）Ｏ３的低Ｂ值ＮＴＣ热敏电阻材料，Ｎｂ２Ｏ５的引入，在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生ＶＢａ和Ｖｏ，影响烧结过程中的扩散机制。当Ｎｂ２Ｏ５的引入量约为１．０ｍｏｌ％时，可促进该系列材料烧结成致密瓷。     

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3·yLa_2O_3固溶体的合成、结构与性能

用化学掺杂方法合成了Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３和Ｂａ０９Ｓｒ０１ＴｉＯ３·ｙＬａ２Ｏ３（０≤ｘ≤１,０≤ｙ≤０３）系列固溶体超细粉末。ＸＲＤ证实,当ｘ＝１,ｙ＝０时,为四方晶系ＢａＴｉＯ３纯相,当０＜ｘ＜１,０＜ｙ≤０３时,得到一系列完全互溶固溶体,结果符合Ｖｅｇａｒｄ定律。ＳＥＭ观察粒子为球形,大小均匀,粒度０２～０３μｍ,制陶实验发现,钛酸钡经化学掺杂后,室温介电常数显著提高,当ｘ＝０１,ｙ＝００２时,ε可达３００００,比ＢａＴｉＯ３纯相的室温介电常数提高２０倍。     

中温烧结BaTiO_3基多相铁电瓷料X7R特性

采用铋钛低熔物降低ＢａＴｉＯ３基资料的烧结温度。当加入量约０．０５ｍｏｌ时，可实现中温烧结，此过程存在过渡液相烧结。改性添加物Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等在固－液烧结过程中溶－析及Ａ、Ｂ位缺位补偿因溶，使主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成“核－壳”结构。从ε－Ｔ特性和微观结构分析，探讨了不均匀分布的ＢａＴｉＯ３基多相铁电瓷料具有Ｘ７Ｒ特性的机制。     

铋层化合物对BaTiO3基瓷料烧结和性能的影响

本文研究了铋层化合物Ｂｉ２Ｍｎ－１ＲｎＯ３ｎ＋３的组成与含量对ＢａＴｉＯ３基瓷料烧结和介电性能的影响．实验结果表明，铋层化合物对ＢａＴｉＯ３基瓷料的降温作用与其组成电负性差值及熔融温度有关，其含量为０．０５（ｍｏｌ）的ＢａＴｉＯ３基瓷料的烧温约为１１００℃左右．从微观结构分析可推断瓷料烧结过程为过渡液相烧结或典型液相烧结。这类结构的中温烧结瓷料具有较高的介电常数（１６００～３０００），低的介质损耗（６０～２００×１０－４），小的电容温度变化率（－５５～１２５℃，＜１５％）和优良的绝缘性能（ρｖ≥１０１０Ω．ｍ）。     

锑在硼砂溶液中阳极成极膜规律的研究（Ⅱ）

本文利用线性电位扫描，ｘ射线衍射和恒电位阳极极化电流与时间的关系研究了锑在０．０５ｍｏｌ·ｄｍ－３Ｎａ２Ｂ４Ｏ７＋０．５ｍｏｌ·ｄｍ（－３）Ｎａ２ＳＯ＿４溶液中（ＰＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极形成膜相组成及其生长规律。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要组成是Ｓｂ＿２Ｏ＿３和ＳｂＯＨＳＯ＿４·Ｈ＿２Ｏ，膜生长规律大致包括金属的溶解→氧化物膜的形成与增厚→膜的钝化。     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

血清白蛋白在裸银电极上的直接电化学行为

本文研究了牛血清白蛋白在裸银电极上的直接电化学行为，在ＰＨ＝７．０的ＫＨ２ＰＯ４－Ｋ２ＨＰＯ４缓冲 溶液中，ＢＳＡ在裸银电极上有一对淮可逆的氧化还原峰，当扫描速度为２０ｍＶ／ｓ．ＢＳＡ浓度为１．２＊１０＾＆－７ｍｏｌ／Ｌ时，峰电位分别为＋０．２０Ｖ和＋０．０５Ｖｖｓ．ＳＣＥ。     

Ca^2＋离子对Na扩散（Sr,Ca）TiO3系电容—压敏陶瓷结构与性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋离子（＜５０ｍｏｌ％）对Ｎａ扩散（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷结构与性能的影响。ＸＲＤ及ＩＲ吸收谱的实验结果表明，Ｃａ＾２＋离子的加入，使立方钙钛矿结构发生畸变。这些结构上的变化，使得当Ｃａ＾２＋离子含量增加时，晶粒电阻率上升，晶粒尺寸减小；在Ｃａ＾２＋离子的含量约小于３０ｍｏｌ％时，随Ｃａ＾２＋离子含量的增加，经Ｎａ扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加，压敏电压降低。尤其是     

Fe_(77.3)Cu_(0.7)Nb_(1.3)Si_(13.5)B_(7.2)合金磁性的研究

研究了非晶 Fe_(77.3)Cu_(0.7)Nb_(1.3)Si_(13.5)B_(7.2)合金在400～600℃的温度范围内退火后磁性的变化。磁性测量结果表明,获得高磁导率的最佳退火温度约540℃左右;经 X 射线衍射分析证实:在该温度下退火,非晶态合金已经晶化并形成体心立方结构的α—FeSi 固溶体,其晶粒直径约10～15nm。这种超细晶粒的纳米晶是高磁导率的根源。     

冬小麦H_1代试管苗移栽田间成活率和籽粒产量高的原因分析

11月中下旬将冬小麦花粉试管苗栽入田间,然后覆盖塑料薄膜至翌年2月底揭塑料薄膜,气温保持在10～0～13℃,土壤水分保持在占田间持水量的60％～70％,2月底揭塑料薄膜后调查移栽成活率达98.18％。经对618株自然加倍植株的考种,单株平均成穗10.9个,结实358.6粒。     

中温烧结（BaLa）（TiNb）O_3基铁电材料的研究

本文简要探讨高价阳离子Ａ、Ｂ双位取代ＢａＴｉＯ３系固溶体的中温烧结机制，以及其所形成的复合缺陷机构对介电特性的影响，并从实用出发，研制开发了（ＢａＬａ）（ＴｉＮｂ）Ｏ３系ＸＬ１０３片式多层瓷介电容器（ＭＬＣ）资料，其主要的特征参数为：ε（２０℃，１ｋＨｚ）≈１００００；在－２５～＋８５℃范围内　Ｔｓ＝（１１１０±２０）℃     

一种基于可变电压源的新型并联电力补偿器

提出了一种新的连续无功补偿和谐波补偿方案——电容连接补偿器(CLC)，描述了CLC实现无功连续补偿和谐波补偿的原理．试验验证了分析的正确性，将该方案与先进静止无功发生器(ASVG)方案进行比较的结果显示了它们不同的适用场合．     

i_(2-x)Pb_xS_2Ca_2Cu_3Oy陶瓷的超导电性及显微结构分析

报道用直接烧结和二次烧结工艺制备Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3Oy超导陶瓷,X=0.2,0.3,0.4,0.6,0.7。各样品的Tc(zero)>105K。对样品的显微结构分析表明,只有片状和层状晶粒是超导晶粒;掺Pb对超导相的形成和超导晶粒的生长均有重要-影响;直接烧结工艺有利于Tc(zero)的提高;二次烧结工艺有利于超导晶粒生长和消除杂相。     

B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。     

[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCl)_x系的混合晶界效应

本文通过混合晶界效应模型,对[(PbCl_2)_(0.55)(PbO)_(0.45)]_(1-x)(KCL)_x体系中当O.05≤x≤0.22时为x≤0.03(主相为3PbCl_2·2PbO)和x≈0.25(主相为Pb(OH)Cl型物相)两个高导电相的混合相,且电导率低下的现象进行了说明,并通过解析阻抗谱做了验证.     

冬小麦单株籽粒产量与其构成性状的遗传分析

以６个具有代表性的小麦品种（系）为供试亲本，按照Ｇｒｉｆｉｎｇ方法２进行完全双列杂交，对杂种Ｆ１的单株籽粒产量及其构成性状（单株粒数、单穗粒数、单穗粒重、千粒重）分别进行杂种优势分析、亲子相关分析及通径分析。结果表明：（１）杂种Ｆ１的单株籽粒产量杂种优势最强，其它４个性状依次为单穗粒重＞单株粒数＞单穗粒数＞千粒重。（２）单穗粒数在低值亲本（ＬＰ）上亲子间呈显著正相关，其它４个性状在各亲本类型上亲子间的相关均未达到显著水平。（３）单株籽粒产量的提高主要依赖于单株粒数的增加，其次是单穗粒重和千粒重，单穗粒数对单株籽粒产量的贡献较小。