薄膜畴壁自旋波耦合栅格设计

用保角变换分析计算了坡莫合金栅格在均匀磁场作用下产生的二级磁场．以此为依据设计了用于薄膜畴壁内自旋波Ｗｉｎｔｅｒ模式激发的能量耦合栅格．制得的栅格在Ｗｉｎｔｅｒ模式研究中获得满意的效果,实现了激励电磁场与自旋波的成功耦合,首次测得自旋波Ｗｉｎｔｅｒ模式谱．     

薄膜畴壁自旋波耦合栅格设计

用保角变换分析计算了坡莫合金栅格在均匀磁场作用下产生的二级磁场。以此为依据设计了用于薄膜畴壁内自旋波Ｗｉｎｔｅｒ模式激发的能量耦合栅格。制得的栅格在Ｗｉｎｔｅｒ模式研究中获得满意的效果。实现了激励电磁场与自旋波的成功耦合，首次测得的自旋波Ｗｉｎｔｅｒ模式谱。     

尋找代替坡莫系统的高導磁合金

一引言莫坡系统(～78％Ni—Fe)是当代性能最高的高导磁合金,其应用非常广泛。但在我国还缺乏镍,不能大量生产本材料,不能够满足广大部门的需要。加上目前还没有有效的代用品,所以代坡莫高导磁合金的寻找是有关研究机关和生产单位都很关心的问题。本文分析了寻找代替坡莫系统的高导磁合金的途径。得到的结论是,仅有三种合金能够部分地代替坡莫合金。这三种合金是含Si量在3到7％的Si—Fe,含Al量大约     

真空感应熔炼法制备坡莫合金

在复合结构坩埚(外层石墨坩埚,内层氧化镁坩埚)中,利用真空感应熔炼法制备了坡莫合金,研究了配方和制备工艺对坡莫合金软磁性能的影响.结果表明,同一熔炼工艺,Fe19.8Ni80.2软磁性能最佳;熔化起始阶段合金的边缘位置比内部中央位置软磁性能好,精炼阶段则相反;随着熔炼时间的增加,同一位置的坡莫合金结构越来越均匀,软磁性能越来越好,最后趋于不变.     

用Co基非晶态材料研制家用触电保护器

触电保护器是一种保护人身安全的电器开关,当电气设备漏电或人发生触电时,漏电开关在0.1秒内自动切断电源,避免事故发生。漏电开关我国已有生产,但其中互感器铁芯是采用坡莫合金制造,由于坡莫合金生产工艺复杂,价格较贵,这一铁芯占了整个开关成本的很大一部分,使它的推广使用受到很大限制。用非晶态材料制作漏电开关的零序电流互感器,国内尚未见详细报道,也未见其成品。作者制作了一台     

NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响

采用NiFeNb为种子层,制备(Ni82Fe18)1-xNbx(35 )/(Ni82Fe18)(150 )/Ta(30 )系列膜,并对其颗粒大小和磁滞回线等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明:以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构.种子层厚度为20 ,Nb含量为24 4%时,磁滞回线有最小的回线面积、矫顽力和较小的不对称性.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构.     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.     

磁致伸缩对超坡莫合金软磁性能的影响

本文综述了稀土材料(Tb0.3，Dy0.7Fe1.95)的磁致伸缩特性对超坡莫合金(Ni80.2Fe14.1，Si0.2Mn0.4Mo5.1)的软磁性能的影响．比较超坡莫合金单层膜和NiFeSiMnMo／Tb0.3Dy0.7Fe1.95双层膜的磁滞回线差别，我们得出了加上Tb0.3Dy0.7Fe1.95磁致伸缩材料能明显提高Ni80.2Fe14.1Si0.2Mn0.4Mo5.1超坡莫合金软磁性能．这一结果将对研究巨磁阻抗效应具有一定的意义．     

坡莫合金纵向克尔旋转角的测定研究

本文以表面磁光克尔效应原理为基础,研究坡莫合金的纵向克尔效应。在某一特定本底光强条件下,分别测出坡莫合金表面五组正负饱和状态下的对应光强,借助计算机辅助采集分析软件给出相应磁滞回线。进一步的分析表明当入射偏振p光时,反射光的偏振面旋转了一个角度。通过相应的理论处理,计算出了该磁性材料的克尔旋转角。     

坡莫合金纵向克尔旋转角的测定研究

本文以表面磁光克尔效应原理为基础,研究坡莫合金的纵向克尔效应。在某一特定本底光强条件下,分别测出坡莫合金表面五组正负饱和状态下的对应光强,借助计算机辅助采集分析软件给出相应磁滞回线。进一步的分析表明当入射偏振p光时,反射光的偏振面旋转了一个角度。通过相应的理论处理,计算出了该磁性材料的克尔旋转角。     

采用模压技术的聚合物矩形光栅制作

在适当的压力条件下,通过控制压制的温度,制作出性能优良的PC(Polycarbonate)聚合物矩形光栅,光栅压制模板为采用感应耦合等离子体(ICP)技术刻蚀的熔融石英矩形光栅模板.对聚合物光栅的衍射观察和测量,证明用模压技术制作的PC聚合物矩形光栅具有很好的衍射效率和表面质量.     

录音磁头在实用条件下的摩擦学性能

在实际使用条件下,研究了三种坡莫合金录音磁头的摩擦学性能。研究了磁头磨损参数随使用时间的变化规律,以及磁头不同铁芯和屏蔽罩材料对磁头摩擦学性能的影响,比较了不同磁带运行速度下磁头的磨损行为,并进行了磁头的磨损失效分析。结果表明,录音磁头表面磨损为不均匀磨损,随磨损时间延长不均匀磨损更严重;三种磁头因铁芯、屏蔽罩材料不同而具有不同的摩擦学性能,其中硬坡莫合金磁头耐磨性能最好;磁头磨损是由于从磁带上脱落的Ｆｅ２Ｏ３磁粉颗粒的微切削作用造成磁头表面划痕;磁头在磨损过程中表层有冷加工硬化现象。     

取样光纤光栅的光谱特性分析

本文对取样光纤光栅在不同条件下的光谱特性进行了数值模拟计算,并对结果进行详细地分析和讨论,从而为取样光纤光栅的实际应用提供了依据.     

扫描探针显微镜漂移的定量测量方法

对扫描探针显微镜(SPM)仪器漂移的定量测量的几种方法进行探讨,提出应用二维零位标记进行漂移测量.分析比较使用普通样品、周期二维光栅、二维零位标记和原子光栅在测定仪器漂移中的优缺点.结果表明:应用二维零位标记的测量技术对探针与样品形貌耦合引起的图像误差不敏感,漂移测量范围不受光栅单元尺寸影响.该方法优于采用普通样品和规则周期的二维光栅样品的方法,而应用原子光栅可以预计达到亚原子量级的超高精度的SPM漂移测量.     

Effects of pattern shape on adaptation of dLGN cell

Pattern adaptation is one of the fundamental sensory processes in the visual system. In this study, we compared pattern adaptation induced by two types of sinusoidal drifting grating in dLGN cells of cat. The two types of grating have the same parameters (e.g. spatial frequency,temporal frequency and contrast) except their pattern shapes,one of which is normal grating and the other annular grating.The results suggested that the annular grating elicited stronger response and stronger pattern adaptation than the normal grating. This is consistent with the adaptation and aftereffect to the two types of drifting gratings seen in psychology and may reflect the subcortical neural mechanism underlying these psychological phenomena.     

消像差光栅的波像差分析

波像差方法是M.Chrisp在研究超环面光栅的像差分析时提出的,采用像散面作为参考波阵面,发展了多元件系统波像差理论,是目前为止可以用来研究多元件系统像差分析的很好方法.在Chrisp波像差理论基础上,推导出二次曲面面型的变线距光栅的波像差表达式,讨论光栅面型和刻槽分布对成像特性的影响,最后介绍波像差方法在光学系统设计中的应用.     

对位相全息光栅折射率调制度的估算

从讨论全息光栅理论出发,推导出位相型全息光栅折射率调制度、平均折射率、乳胶厚度和消隐角之间的关系,从而找到了估算位相型全息折射率调制度的一种新方法.理论分析得知衍射效率η与曝光量E的关系主要取决于全息光栅折射率调制度n1.同时,在波长为632.8nm,参、物光夹角为40°,参物之比为11的情况下,利用KT-D干板获得无吸收调制的位相全息光栅,测得相应的相对衍射效率和Bragg角偏移Δφ的关系曲线,并对其结果进行具体分析.图3,参5.     

用于色散补偿的线性啁啾光纤光栅的最佳切趾包络函数的研究

具有切践包络的线性啁啾光纤光栅是用于色散补偿的重要无源器件。通过切趾的方法可以减少啁啾光纤光栅内的时延振荡 ,同时减小反射谱中的旁瓣。用数值方法分析了不同切趾包络函数对光栅特性的影响 ,得到了色散补偿最佳包络函数及其参数 ,给出了最佳包络的普遍特征。     

基于深紫外激光器的大面积干涉光刻装置研究

搭建了基于266 nm波长深紫外光源的干涉光刻装置，使用平顶光整形器将高斯光整形成平顶光束，在硅基底上制备出面积为8.9 mm×25.4 mm、周期为407 nm的一维光栅结构图形和周期为860 nm的二维孔洞结构。使用扫描电子显微镜（SEM）测量了平顶光产生的一维干涉结构的线宽、周期等参数，并与高斯光产生的一维干涉结构参数进行对比。实验结果表明，加入了平顶光整形器的干涉光刻装置产生的周期性光栅结构图形均匀性提升了21.36％。     

计算机模拟Moire条纹现象

利用计算机图像技术产生周期性条纹方法模拟光栅叠加实现Moire条纹现象.考察Moire条纹的空间放大作用,研究一块光栅相对另一块平移时产生的Moire条纹移动过程,计算Moire条纹在平移过程中探测器的输出变化关系.