用正电子湮没技术研究T_c高超导材料Y-Ba-Cu-O的相变

我们利用正电子湮没率对电子波函数敏感的特点研究了高T_c超导材料Y-Ba-Cu-O在相变温度附近区域的特性。正电子寿命、多普勒增宽线形参数H、S和电阻R的测量同时进行。本工作着重于利用电子密度及其动量的变化探讨高T_c超导材料相变的机制。 测量所用的寿命谱仪为标准的快-快符合系统,其分辨率为270ps;多普勒增宽仪采用液氮冷却下的高纯锗探测器测量;电阻的测量采用通常的四探针法,用镍膜为衬托的Na-22作为正电子源。样品按标准的1:2:3的配比将Y、Ba、Cu氧化物混合后烧制而成。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

110K单相Bi系超导体的制备

采用普通固态反应法制备了名义组分为 Bi_(2.0-x)Pb_xS_(r1.9)Ca_(2.2)Cu_(3.3)O_y 超导体.对样品进行了物相分析、电阻率及磁化率测量.XRD 分析表明:富 Ca 富Cu 有利于高 T_c 相的形成,并且获得了高 T_c 单相样品。交流磁化率曲线测量表明:样品的低温区转变台阶位于85～95K 之间.且2212相的 T_c 随氧含量、组分、工艺等因素变化.     

Y—Ba—Cu—O系的超导体

本文总结了自制的T_c=88K的Y—Ba—Cu—O超导体的情况。我们于今年暑期开始试制Y—Ba—Cu—O超导体。材料成分配比的不同,或烧结过程中恒温温度的高低和降温速度的快慢选取不同,制成的超导体样品性能有所不同。我们把自制的T_c=88K的Y—Ba—Cu—O超超体的情况作简略报道。     

单相和多相Y-Ba-Cu-O超导化合物的制备

本文报导单相和多相Y-Ba-Cu-O化合物超导体的制备工艺及其超导电性.X射线分析及电子显微镜观察表明,名义配比Y:Ba:Cu=1:2:3的样品为单相,其他配比成分的样品呈多相,但在一定配比范围内均呈现超导电性.它们的零电阻温度均在90K附近.     

用正电子探测热疲劳模具钢中的缺陷变化

用正电子寿命方法研究３Ｃｒ２Ｗ８Ｖ模具钢的热疲劳。通过对不同循环次数的热疲劳样品的正电子寿命谱和表面显微硬度的测量，发现表面显微硬度ＨＶ和平均正电子寿命τ随疲劳循环次数Ｎ的变化呈现出类周期振荡特征。讨论了正电子寿命变化所反映出的材料中的缺陷变化，进而初步分析了热疲劳的微观机制。     

超导Bi系列材料的微结构与性能关系研究

Bi 系超导材料的制备过程已为人们所掌握,但要制取高质量的单相高 T_c 相仍很困难.人们采用改变成分,获得了几乎单相的样品,但对超导材料的超微结构与性能的关系仍很少进行研究.为此,笔者采用不同配比制成不同性能的超导材料,对结构及性能关系进行研究,然后利用结构性能关系找出比较理想的配比.用 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0、0.2、0.4、0.6、)A 组样品及 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_4Cu_5O_y     

钙钛矿锰氧化物La_(0.775)Eu_(0.025)Sr_(0.2)MnO_3的磁性和磁卡效应

采用传统的固相反应法制备了多晶样品La_(0.775)Eu_(0.025)Sr_(0.2)MnO_3,通过测量样品的XRD谱线、磁化强度随温度的变化曲线(M-T)、等温磁化曲线(M-H),重点研究了样品的的磁性和磁卡效应.研究发现:样品的晶体结构为立方钙钛矿结构,其空间群为Pbnm.该样品在15-340 K温区内表现为铁磁特征,340-364 K温区内表现出类Griffiths相特征,364-400 K温区内表现出顺磁特征.临界行为分析表明该样品与平均场模型拟合较好.样品在居里温度T_c=290 K附近,系统发生二级相变,在7 T外场下,样品的最大等温磁熵变值为2.60 J/(kg·K),磁制冷功率为439.40 J/kg,因此,该材料具有室温下实现磁制冷的潜能.     

Ba-Sr-Y-Cu-O体系的超导电性

1 引言在探索高温超导体的研究中,为进一步提高T_c和扩大超导体的体系,最广泛应用的是元素替代的方法,如C.W.Chu et al.和赵忠贤等把Ba—La—Cu—O中的Ba用Sr替代,分别将T_c从30K左右提高到40.2K和48.6K;M.K.Wu et al.和赵忠贤等用Y替代La,首次得到了液氮温区的超导体系Ba—Y—Cu—O;此外,人们还用多种稀土元     

Y-Ba-Cu氧化物超导体的磁学特性的研究

用Faraday磁天平研究了77K附近YBCO超导体的磁学性质,表明实验制得的样品类似于第Ⅱ类超导体,并且在转变温度以上遵循Curie-Weiss定律。该样品的T_c为87.4K,转变宽度为3.1K。样品的组成、烧结和冷却条件等对超导特性均有影响。     

高温超导体YBaCuO正电子寿命谱源修正的研究

本以高温超导体YBaCuO为研究对象，以对高斯函数进行卷积的数学模型为基础，系统地研究了正电子寿命谱的数学迭代过程和拟合方法，阐明了源修正的重要意义，并给出了源修正的一种方法及其重要结果。     

高温超导体YBaCuO光掺杂效应的正电子寿命谱研究

报道了YBaCuO高温超导体进行光掺杂的基本情况,提供了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,讨论了光掺杂机理,并将实验结果与理论模型进行了对比.     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

Evidence of Positron Trapping into Defects in Zn-Doped GaAs

0　IntroductionPositronlifetimespectroscopy ,whichisdirectlysensitivetovacancy typedefects,isanestablishedmethodforstudyingthedefectinsemiconductor[1 ] .Uptonow ,manyworkshavebeenreportedonn typeGaAsandsemi insulating (SI) typeGaAsusingthistechnique.Ithasbeenprovedthatpositronanni hilationspectroscopyisaefficientmethodtodetectdefectsinsemiconductor[2 ,3] .However,muchlessstudiesconcernedwithp typematerialshasbeendone .Thereisadiscrepancyonpositrontrappingintodefectsin p \|typeGaAs.Somestu…     

Defects in NTD InP probed by positron annihilation spectroscopy

Two samples of high purity InP extracted from the same wafer were examined by positron annihilation spectrum analysis after having been, processed by means of thermal Neutron Transmutation Doping (NTD). Compared with the as grown sample with an average positron lifetime of 246 ps at 300 K, the high dose doped one has an average lifetime of 251 ps and the lower dose doped one 248 ps measured under the same condition, indicating that some defects have been introduced in the NTD process. Annealing experimental results show a steady decrease in the average lifetime with increasing annealing temperature up to 550°C. And a peak in lifetime curve around 500°C was observed which may be attributed to defects related structure conversion. Temperature experiments conducted on the low dose doped sample from 150K to 290 K suggest the existence of vacancy-impurity complex which have given rise to an abnormal reduction of average lifetime with increasing temperature. Also a n-type InP sample (A61) was irradiated with thermal neutrons in another reactor and the lifetime results display an increase of 15 ps. Furthermore, to study epithermal neutron irradiation effects on InP, measurements were performed on an n-type InP sample (N119) along with one p-type sample (P118) after having been irradiated with high fluence of epithermal neutrons. The former has an average lifetime of 262 ps and the latter 247 ps after irradiation. The results prove that on some occassion epithermal neutrons can produce sizable defects in InP. Foundation item: Supported by the Science Foundation of Hubei Province (203980532) Biography: WEN Xiang-e (1976-), male, Master candidate, Research direction; majar research interest is defects in semiconductor materials using positron annihilation spectroscopy.     

Defect properties of GaAs by positron annihilation

Positron lifetime and Doppler Broadening spectra have been measured for three types of GaAs semiconductors. Direct evidence of native vacancy-type defects is found in the semi-insulating (SI-type) and n-type sample as its average lifetime {ie45-1} andS-parameter are larger than the bulk value. No positron trapping occurred in p-type GaAs. The lifetime spectrum of n-GaAs has also been measured as a function of temperature. The increase in average lifetime {ie45-2} from 226 ps to 234 ps at the temperature range 95–330 K was observed and was explained by the ionization of the vacancy. The slight increase in bulk lifetime {ie45-3} with the temperature was caused by the lattice expansion and expansion coefficient α=14×10⁻⁶K⁻¹ was evaluated. Chen Zhiquan: born in May 1969, Ph.D. graduate student. Current research interest is in positron annihilation. Supported by the National Natural Science Foundation of China     

用正电子湮没研究CaO掺杂的CeO2氧离子导体

测量了不同CaO掺杂量的CeO2 氧离子导体 (CaO) 1-x(CeO2 ) x 的正电子寿命谱 .发现正电子寿命随x的增加 (x从 0 .0 5到 0 .5)先增大后减小 ,峰值出现在x =0 .1 2附近 .从掺杂离子与缺陷的相互作用所造成的缺陷组态变化对该现象进行了解释 .     

同步轧制与异步轧制B_3F钢的正电子寿命研究

本文用正电子湮没技术研究了同步轧制与异步轧制B_3F钢的机械性能;说明了异步轧制可以减小轧制力,提高机械性能;发现了样品的抗拉强度与正电子寿命之间存在着一定的关系.