影响石英晶体微天平频率变化因素的分析

由QCM技术与电化学技术联用，构成的电化学石英晶体微天平（EQCM）技术是一种有效的研究电极表面过程极其灵敏的新方法，在电化学反应机理、电聚合、表面电化学等领域的研究中，有其独到之处，具有很好的应用前景．但在我国，对QCM理论了解的人们不多，并且影响液相中石英晶体振荡频率变化的因素比较复杂，其实际应用的效果并不理想．本文详细分析了影响石英晶体微天平频率变化的因素．     

N-甲基硫脲对硫酸盐镀铜的影响

采用电化学循环伏安法（CV）和电化学石英晶体微天平（EQCM）方法研究了添加剂N-甲基硫腮（MTU）对铜阳极溶出和阴极沉积过程的影响：通过塔菲尔方程研究了N-甲基硫脲和Cl-共同存在时对镀层耐腐蚀性的影响．结果表明：N-甲基硫脲改变了其反应历程，生成Cu（I）的中间产物：当Cl-浓度70mg／L时，铰层的耐腐蚀性最好．     

酸性介质中亚甲基二萘磺酸钠和Cl^-对铜阳极溶出和阴极沉积过程影响的CV和EQCM研究

运用电化学循环伏安（CV）和电化学石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中亚甲基二萘磺酸钠（NNO）和Cl-对铜阳极溶出过程和阴极沉积过程的影响.结果表明,NNO和Cl-单独存在时都抑制了铜阳极溶出和阴极沉积过程,但当NNO和Cl-共存时,对铜阳极溶出和阴极沉积过程的影响却变小.     

酸性介质中TeCd阴极沉积和阳极溶出过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程．结果表明：在含或不合Cd的TeO2溶液中，本体Te沉积的机理不同，但阳极溶出过程相类似；在实验条件下，只有当阴极电位小于．0．2V时，方可发生CdTe电沉积，其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3．电子过程，并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理．本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据．     

磺胺功能化SBA-15修饰的QCM气体传感器检测甲醛的研究

采用后合成方法设计合成了一种具有规则六方形貌、高度有序结构的磺胺功能化SBA-15气敏材料,对合成材料进行表征发现:磺胺功能化SBA-15保持着主体材料SBA-15的规则形貌,并制备成敏感膜涂覆于石英晶体微天平(Quartz crystal microbalance,QCM)表面构成QCM甲醛传感器。实验表明,由磺胺功能化SBA-15敏感膜修饰的QCM传感器对甲醛气体有快速可逆的响应(响应时间为5~10 s,恢复时间为10~15 s)、较好的重现性、较长的使用寿命,相对于甲醇、乙醇等VOCs,显示出较好的选择性。     

电石渣制备透明釉料的研究

用电石渣替代方解石,设计熔块及釉料的组成,选择熔块法制备透明釉.运用高温显微镜法测量釉料的熔融温度范围,XRD分析釉料的物相组成,光学微距镜头显微摄影和SEM观察釉面显微结构,运用EDS分析微区组成.结果表明,采用电石渣替代方解石可以制备出透明釉,釉中主要为玻璃相、石英晶体和10～40μm的气泡,这些气泡基本不影响釉面的表面光滑程度及透光性.     

致密砂岩气储层岩石相非均质性表征——以鄂尔多斯盆地东南部上古生界山西组1段为例

致密砂岩气储层物性非均质性强,储层在致密条件下的有效性及优质储层存在形式,一直是致密砂岩气研究关注的重点地质问题。以鄂尔多斯盆地东南部上古生界山西组1段为研究对象,通过对储层的含气砂岩储层矿物学、物性及孔隙与孔隙结构特征进行分析,将山西组1段含气砂岩储层划分为3个岩石相,包括富石英砂岩、富塑性岩屑砂岩及钙质致密胶结砂岩。富石英砂岩孔隙度5%,渗透率0.1mD,发育长石和岩屑溶蚀孔隙和高岭石微孔隙,喉道包括中细-微细喉道和微喉道,属有效储集岩石。后两者孔隙度5%,渗透率0.1mD,不发育薄片孔隙,喉道为微喉道,属非储集岩石相。在"相控建模"理念的指导下,利用Petrel软件,以沉积微相为约束,采用序贯指示方法建立储层岩石相非均质性模型。储层地质模型的建立为深入理解有效储层岩石分布规律具有重要的意义。     

浅谈天平的应用与发展

浅谈天平的应用与发展省科学器材公司陈仲林天平作为一种称量器具，广泛的应用于各行各业。就天平称量精度区分，有粗天平、精密天平、分析天平、半微量天平、微量天平和超撤量天平。它们如何区分，开无严格的定义。一般认为精度达到千分之一克者为精密天平、精度达到万分...     

物理法造型在NPN晶体三极管模型建立的应用

该文介绍器件物理法造型的基本步骤和方法，指出在建立NPN晶体三极管造型的过程中，如何选取物理变量，建立和简化模型方程，最终得出NPN晶体三极管的直流模型和直流伴随模型。     

改进的水平梯度凝固法生长无位错掺硅的砷化镓单晶

本文提出具有准双抛物线温度分布的水平梯度凝固法生长GaAs晶体.利用此法成功地生长了取向〈111〉B和〈211〉B的掺Si无位错GaAs单晶.晶体在生长过程中,生长界面微凸,与生长方向近乎垂直,表明生长区热对称性良好,从而避免了沿用的水平Bridgman法的一些弊端.文中对该法的其它一些工艺特点也作了详尽的论述.此外,认为掺Si降低位错密度的作用,可能与形成的Si_GaV_Ga络合物与位错的交互作用有关.     

基于目标函数梯度向量的相邻方向共轭法

从共轭梯度法的基本思想出发,在前一寻优方向起点和终点的负梯度向量平移所决定的平面内确定共轭方向,并提出二维和三维优化问题的共轭方向计算公式。根据向量的几何关系和矢量加减运算的几何意义,推导由任一寻优方向起点和终点的梯度所确定的共轭方向。此方法可用于多维优化问题的求解。提出新算法的寻优步骤,并与众多经典共轭方向计算公式相比。该算法不仅具有理论严密性,而且寻优有效,具有二次终止性。     

酸性硅溶胶沉淀法制备超微细活性白炭黑

对酸性硅溶胶沉淀法生产超微细活性白炭黑的工艺进行了研究；探讨了生产过程中硅溶胶的ｐＨ值，反应终点ｐＨ值，反应温度以及分散剂等条件；制备了较高品质的产品，其性能接近或超过国外同类产品．     

盲人探路负梯度方向法

负梯度方向法作为一个常用的优化方法在机械工程领域发挥着重要作用,但是,因其锯齿现象而具有计算量大、计算效率低的缺点。一维盲人探路寻优思想总结为:根据探测点与极值点相对位置的三种情况采取三种处理方案。基于此,将负梯度方向法进行了改进,提出了新的寻优方法——折线负梯度方向法。算法分为四部分:初始步长检验阶段;步长加倍探测阶段;暂不减半步长阶段;步长减半探测阶段。第三部分考虑了探测点远未及极值点的情况。提供了寻优思想流程图和完整的C语言子程序。通过与负梯度方向法的比较,证明了折线负梯度方向法具有计算量小、寻优效率大的特点。考虑远跨过极值点的情况,提出了走一步退半步探的算法。通过对不进行退半步探运算和退半步探时不减半步长两种情况的比较,证明了折线负梯度方向法的适用范围较广。     

络合滴定中被滴定离子的离子强度允许范围

在络合滴定中离子强度对滴定结果的影响很大,当离子强度大到一定的数值时,滴定的终点误差就超出了允许的范围,络合滴定结果就不准确.用Ringbom的副反应思想和其终点误差理论,研究了络合滴定中离子强度理论值的允许范围,解决了这一问题.     

基于加速度基点法的均质杆惯性力系的简化

给出了一种求解均质杆动力学问题的方法，以杆的一端为基点，应用加速度合成的基点法，表示出均质杆任一点的加速度，在杆微元段虚加上惯性力，得到三个分布惯性力系．对整个杆上三个方向的分布惯性力系单独进行化简，得到沿三个方向作用的惯性力，方便应用达朗贝尔原理．通过若干算例验证了方法的有效性．     

适于含酮样品卡尔·费休试剂的研制

采用一种新的溶剂C和有机碱咪唑,对传统卡尔.费休试剂进行改进,配制了电量法所用的试剂.对酮类样品中的水分进行测定结果表明,该法准确、快速,试剂稳定性较好.该法加标回收率在98%~105%之间,相对标准偏差小于3%.     

第1边界条件下的三点曲线拟合

根据最小解二乘法原理,利用确定插值点的定性分析与确定拟合点的定量分析相结合的方法,解决第1边界条件下的三点曲线拟合问题,并通过刀具磨损问题实例检验了其拟合效果,最后完成了相关的图像处理以及程序设计.     

消隐算法在5轴NC加工干涉检查中的应用

提出了一种用隐藏曲线消除算法来确定５轴ＮＣ加工无干涉可加工性区域的方法。该方法基于高斯映射理论，将５轴铣削的可加工性区域变换成３轴铣削的可加工性区域，也就是，首无应用Ｍ＾Ｓ映射对加工曲面Ｓ（ｕ，ｖ）和约束表面Ｋ（ｓ，ｔ）进行数值计算，然后在正交子空间中采用隐藏曲线消除算法，将加工曲面的隐藏区域裁剪掉，则剩余部分能用平底刀在没有被约束表面干涉的情况下进行了５轴ＮＣ加工。     

超立方体多阶网的链接路径算法

该文将一个超立方体网络定义为一个k阶×r层的网阵,并对相应的术语进行了科学的定义,该文着重从动态路径连接的角度,给出了超立方体网阵的网结值、网层值和链接语句的算法。利用该算法可完全确定其超立方网结点动态连接的路径。文章还给出了一个路径算法的实例。