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相似文献
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1.
采用电化学循环伏安法(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)方法研究了添加剂N-甲基硫腮(MTU)对铜阳极溶出和阴极沉积过程的影响:通过塔菲尔方程研究了N-甲基硫脲和Cl-共同存在时对镀层耐腐蚀性的影响.结果表明:N-甲基硫脲改变了其反应历程,生成Cu(I)的中间产物:当Cl-浓度70mg/L时,铰层的耐腐蚀性最好.  相似文献   

2.
采用后合成方法设计合成了一种具有规则六方形貌、高度有序结构的磺胺功能化SBA-15气敏材料,对合成材料进行表征发现:磺胺功能化SBA-15保持着主体材料SBA-15的规则形貌,并制备成敏感膜涂覆于石英晶体微天平(Quartz crystal microbalance,QCM)表面构成QCM甲醛传感器。实验表明,由磺胺功能化SBA-15敏感膜修饰的QCM传感器对甲醛气体有快速可逆的响应(响应时间为5~10 s,恢复时间为10~15 s)、较好的重现性、较长的使用寿命,相对于甲醇、乙醇等VOCs,显示出较好的选择性。  相似文献   

3.
以单面触液金电极石英晶体微天平指示直接碘量法点,测定了几种样品中抗坏血酸的含量,结果表明,该法比较传统的淀粉指示终点法更灵敏,所用石英晶体微天平具有使用长,可在高浓度电解质溶液中稳定振荡折特点。  相似文献   

4.
运用电化学循环伏安和石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程.结果表明:在含或不合Cd的TeO2溶液中,本体Te沉积的机理不同,但阳极溶出过程相类似;在实验条件下,只有当阴极电位小于.0.2V时,方可发生CdTe电沉积,其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3.电子过程,并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理.本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据.  相似文献   

5.
运用电化学循环伏安(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中亚甲基二萘磺酸钠(NNO)和Cl-对铜阳极溶出过程和阴极沉积过程的影响.结果表明,NNO和Cl-单独存在时都抑制了铜阳极溶出和阴极沉积过程,但当NNO和Cl-共存时,对铜阳极溶出和阴极沉积过程的影响却变小.  相似文献   

6.
简述了铅晶体蓄电池电极的制备技术,通过扫描电镜及化学分析研讨了在Pb-Cd沉积层中,Pb:Cd的质量百分比对PbO2电极表面形态及电化学特性的影响.  相似文献   

7.
综述了应用微乳技术制备无机纳米材料的研究现状,阐述了影响纳米微粒制备的主要因素,并提出了其发展方向.  相似文献   

8.
一直以来磁化水特性受到研究人员的广泛关注,磁场水处理技术也被运用于锅炉防垢等工业领域。为了探究磁化水理化性质的变化及其防垢阻垢机理,实验监测了磁化处理对水的物理性质的影响,以及304不锈钢在磁化水环境中电化学腐蚀特性的变化。同时也结合理化性质的变化分析了磁化水的阻垢机理。结果表明,磁化水pH值升高,电导率增大,粘度增大,紫外吸收强度增强,水中Ca~(2+)、Mg~(2+)质量浓度都有所下降。磁化水对304不锈钢有明显缓蚀作用。在阻垢过程中,由于外加磁场可以促进晶体均匀形核,使得水垢直接在水中形核长大,因而容易在水中快速形成许多碳酸钙微晶体,这样产生的水垢一般为文石晶型,即"软垢",不会附着在管壁上,达到阻垢的效果。磁化实验中水的流速\,温度\,磁化次数等因素对磁化效果均有影响。  相似文献   

9.
介绍了多种掺杂LiNbO3晶体的实验研究.用提拉法生长了掺杂LiNbO3晶体,测定了压电性能和非线性光学性能,并测定了某些杂质在LiNbO3晶体中的分凝系数和在表面浓集情况.结果表明,向LiNbO3晶体中掺入Cr,可一定程度地改善其压电性能;掺入Eu、Ce可较大程度地改善其非线性光学性能;Er在ErLiNbO3晶体表面严重富集.这对进一步开展掺杂LiNbO3晶体的应用研究具有重要意义.  相似文献   

10.
介绍了多种掺杂LiNbO3晶体的实验研究.用提拉法生长了掺杂LiNbO3晶体,测定了压电性能和非线性光学性能,并测定了某些杂质在LiNbO3晶体中的分凝系数和在表面浓集情况.结果表明,向LiNbO3晶体中掺入Cr,可一定程度地改善其压电性能;掺入Eu、Ce可较大程度地改善其非线性光学性能;Er在Er:LiNbO3晶体表面严重富集.这对进一步开展掺杂LiNbO3晶体的应用研究具有重要意义.  相似文献   

11.
本文利用壳聚糖(CHT)对镉离子的吸附性能并结合电化学还原法在玻碳电极(GCE)表面制备了还原态镉-壳聚糖(rCd-CHT)有机-无机杂化材料.以K3Fe(CN)6为电化学活性探针对修饰电极的电化学性能进行了循环伏安(CV)和交流阻抗(EIS)表征,结果表明rCd-CHT能大大提高该修饰电极的有效表面积,增大K3Fe(CN)6在修饰电极表面的异相电子转移速率(k0).将不同修饰电极用于抗坏血酸(AA)的电化学检测,结果显示,AA在rCd-CHT/GCE上的氧化峰电流值(Ipa)较裸GCE和CHT/GCE分别增大了1.4和2.1倍,表明rCd-CHT/GCE修饰电极对AA具有良好的电催化氧化作用.  相似文献   

12.
采用常规溶液法,通过控制溶液的pH,合成出2种结构新颖的过渡金属配合物,经元素组成分析和ICP确定其化学式为H[{Cr(OOCCH3)2(H2O)}3O]2[CrMo6O24H6]·24H2O(1)和[Cu(OOCCH3)2(H2O)]2.5(2),用X-射线单晶衍射测定其晶体结构表明,化合物1为三斜晶系,P-1空间群,该化合物是由一个Ander-son[CrMo6O24H6]结构和[{Cr(OOCCH3)2(H2O)}3O]通过氢键形成1D结构.化合物2为单斜晶系,C2/c空间群,配合物之间通过氢键形成2D结构.利用IR光谱、UV光谱、TG曲线对所合成的配合物进行了结构表征,化合物1具有很好的电化学和电催化性质.  相似文献   

13.
采用不同氮分压(RN2)的氩气和氮气混和气体溅射Mg0.18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO(MgZnO)合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质.结果表明:薄膜中的Mg含量(x)随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙(Eg)随氮分压变化.Mg含量随氮分压的变化归因于:当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少.而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO.未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大.当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关.本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式.  相似文献   

14.
利用血红蛋白(Hb)结合单壁碳纳米管(SWCNTs)-十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)制备纳米复合物修饰到玻碳电极(GCE)表面,并研究了电极上Hb的直接电化学和电催化行为.用紫外可见光谱(UV-Vis)检测键合到电极表面的Hb,可知复合膜中的Hb保持了类似于本体环境中的亚结构.通过电化学实验可知,复合膜中的Hb表现出了表面控制的可逆的直接电子转移反应.得到了标准式电位(Eθ')和表面覆盖度(Γ*)等电化学参数.在7.00×10-5mol L-1-1.26×10-3mol L-1范围内(R=0.9983,n=18)内,Hb-SWCNTs-CTAB修饰电极对过氧化氢(H2O2)表现出较好的催化还原活性,得检测限为1.96×10-5(S/N=3).该传感器具有良好的稳定性和重现性,可用于H2O2的测定.  相似文献   

15.
以尿素为原料,采用管式炉高温加热的方法制备出片层状石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米材料,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(FT—IR)、紫外可见漫反射光谱(DRS)对样品进行了测试分析.研究了样品在模拟可见光下的光催化活性,结果表明制备出的g-C3N4纳米材料不仅具有高效率的光催化活性,还兼具有对有机染料的高效吸附性能.  相似文献   

16.
合成了瓜环与氯化锶及间苯二酚形成的化合物,其结构为单晶X-射线分析方法所确定。晶体属于正交晶系,空间群为P2(1)2(1)2,其中a=15.658(3)A°,b=11.522(2)A°,c=15.031(3)A°,Mr=1481.28,V=2711.6(8)A°^3,Z=4,Dc=1.814 g/cm^3,μ=2.172,F(000)=1520,R=0.0627,wR=0.1710。在此化合物的结构中,主体分子瓜环的空腔内包有一个氯阴离子.  相似文献   

17.
以甘氨酸和对苯二甲醛为原料与C60反应,首次获得了一种新型的2-(4-甲酰基苯基)C60吡咯烷衍生物.通过核磁、质谱、红外光谱等分析手段对该衍生物进行结构表征确认,同时利用紫外.可见光谱、荧光光谱和微分脉冲伏安法对其进行性能测试,表明该物质具有良好的光学和电化学性能.  相似文献   

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