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1
1.
改进的水平梯度凝固法生长无位错掺硅的砷化镓单晶
莫培根
杨金华
李寿春
蒋大卫
赵惠芳
张国民
《应用科学学报》
1985,3(4):355-363
本文提出具有准双抛物线温度分布的水平梯度凝固法生长GaAs晶体.利用此法成功地生长了取向〈111〉B和〈211〉B的掺Si无位错GaAs单晶.晶体在生长过程中,生长界面微凸,与生长方向近乎垂直,表明生长区热对称性良好,从而避免了沿用的水平Bridgman法的一些弊端.文中对该法的其它一些工艺特点也作了详尽的论述.此外,认为掺Si降低位错密度的作用,可能与形成的Si
Ga
V
Ga
络合物与位错的交互作用有关.
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