高阻硅片对紫外LED散热性能的影响研究

紫外LED因光谱单一、体积小、冷光源、无热辐射等特点逐渐取代传统汞灯,并广泛应用于油墨固化、医学光疗、消毒杀菌等领域,而功率型紫外LED器件散热问题是制约其性能提高和应用的瓶颈。基于陶瓷大功率LED封装平台制备了引入高阻硅片功率型紫外LED器件,研究发现引入高阻硅片的紫外LED的器件具有较高的光功率,但其热阻及结温均高于无硅片紫外LED,这归因于加入高阻硅片结构增加了芯片散热的传导路径。该工作对实际工业封装技术路线具有指导意义。     

高可靠性LED显示屏SMD器件封装关键技术

随着LED显示屏技术的快速发展及其应用领域的拓宽,LED显示屏市场的竞争也空前激烈。而LED器件的封装处于LED产业链的中游,竞争愈发激烈。国内封装厂商为降低LED封装成本多采用更加廉价的材料,如芯片的切小、PLCC铁支架、铜线替代金线等方式。同时追求高生产效率,从而导致产品性能和可靠性降低,阻碍了LED显示屏市场的健康发展。因此,有必要开发出面向高端LED显示屏市场的高可靠性LED器件。实验证明,通过独特的结构设计、合适的材料选型、严格的工艺管控以及汽车AEC-Q101高可靠性标准的引入等方面着手,可显著提升LED器件的可靠性。     

LED结温的影响及测量方法

对于LED器件来说,结温是最重要的热性能参数之一,结温的大小对LED器件的输出功率以及可靠性具有很大的影响。超过一半的LED灯具的输入功率以热的形式被浪费,散热问题是LED灯具设计师所面临的最关键的问题。因此,获得准确的结温信息对于监控和评估灯具的健康状态至关重要。主要介绍结温对LED电学参数、LED发光特性以及LED器件的寿命的影响,然后对LED结温的测量方法包含正向电压法、管脚温度法、蓝白比法、红外热成像法、光谱法等进行详细描述并且分析彼此的优缺点。     

量子点发光二极管研究获进展

<正>日前,在国家自然科学基金重点项目等的支持下,浙江大学化学系彭笑刚课题组与材料系金一政课题组合作在量子点发光二极管研究领域取得了重要进展。相关研究成果发表在《自然》上。该文报道了一种以量子点为电致发光材料的新型LED器件。其性能远远超过了目前相关文献报道的其他量子点LED,并且该新型器件可以通过简单的溶液加工路线制备而得。LED作为下一代照明与显示的核心器件已被业界认可。Ga N外延生长量子阱的LED器件则     

热固性支架封装LED器件性能研究

介绍了EMC支架封装器件的主要性能及相关试验分析。试验结果表明,EMC支架封装LED器件的性能显著优于热塑性支架封装LED器件。     

有机LED器件的结构及制备研究

综合近十几年来国内外有关有机LED器件的研究报道,对有机LED器件应用研究的最新进展进行评述,重点介绍有机LED器件结构和制备方面的进展.     

功率LED芯片键合材料对器件热特性影响的分析与仿真

针对倒装型功率发光二极管器件,描述了功率LED器件的热阻特性,对不同芯片键合材料的功率LED热阻进行了分析,并运用AN SY S软件对3类典型芯片键合材料封装的功率LED热特性进行了仿真。仿真结果表明:采用功率芯片键合材料提高了功率LED的散热特性、降低器件PN结温,而采用普通热沉粘接胶作为芯片键合材料的功率LED的PN结温则较高,因此普通热沉粘接胶不适合用作功率LED的芯片键合材料。     

氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED

针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_0.65Ga_0.35N电子提供层、 Al_0.65Ga_0.35N/Al_0.5Ga_0.5N多量子阱、组分渐变p-Al_xGa_1-xN和n⁺-GaN/Al_0.4Ga_0.6N/p⁺-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的...     

反向混合并联Micro LED/OLED显示器件的驱动IC控制

本文提出了一种集成蓝光Micro LED和红绿光OLED,具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件。该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED器件效率更高,寿命更长。另外,将蓝色与绿色子像素反向并联,可以减少电极走线,提高器件像素密度。针对该器件的特殊结构,本文设计了一套全新的驱动方案,具体以FPGA作为主控制器,利用驱动芯片提供稳定的电流点亮LED,实现器件的全彩显示。通过仿真测试进一步验证了该器件良好工作的可行性。     

有机LED器件结构对其内部电场和电荷分布的影响

利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响.结果表明:有机LED内部阴极区与阳极区的电场分布、内界面两侧积累的载流子面密度跟势垒高低、膜层厚薄以及外加电压大小密切相关,各功能层之间的能级匹配和厚度匹配对于器件结构优化和性能改善具有重要作用.     

远程荧光LED器件光学性能研究

远程荧光器件实现了芯片与荧光粉层分离,有效缓解了传统封装方法中的散热性差的问题,有良好的应用前景,是当前研究的热点。本文利用静电纺丝工艺将荧光粉均匀分散在PVA溶液喷丝形成的空间网络结构中,研制了LED远程荧光片,制备了远程LED器件。研究了荧光粉配比、静电纺丝过程中的电压及纺丝时间对远程荧光LED器件光学特性的影响。实验表明静电纺丝工艺中电压决定纺丝成功与否,一定的电压范围内聚合物溶液才会喷射细流,纺丝时间和荧光粉配比都对器件的显色指数和相关色温有影响。     

出光窗口对高密度LED性能影响的研究

针对LED高密度光源,探索了出光窗口对器件性能产生影响的原因.通过热学模拟与实物样品的物理性能测试,比较不同出光窗口对器件性能与可靠性的影响.结果表明：出光窗口可以增加LED芯片的散热通道,同时也会影响LED的可靠性;出光窗口会造成一部分光能量的损失,特别是拥有荧光转化功能的窗口,会因荧光转化而产生热量,且产生的热量会因为窗口基体材料的不同呈现不同的结果;荧光转换率高且热导率高的荧光材料,应用于高密度LED器件时,可有效降低荧光转换热量,且能加快荧光转换产生热量导出的速度,提高器件的发光效率与可靠性.     

高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式     

紫外LED研究进展

 氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400 nm的紫外波段,可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发展迅速,器件性能不断提升。由于高Al组分AlGaN材料的固有特性,目前深紫外LED的外量子效率和功率效率仍有大量提升空间。综述了近年来AlGaN基紫外LED的研究进展,阐述了限制其性能的AlGaN外延质量、高Al组分AlGaN材料的掺杂效率、紫外LED量子结构、紫外LED光提取效率及可靠性等核心难题以及取得的重要研究进展。预计到2025年,深紫外LED的量产单芯片光输出功率可突破瓦级,功率效率有望提升至20%以上,寿命达到万小时级别。     

一种高功率因数交流LED驱动电路的设计

传统的LED驱动电路由于采用AC-DC变换器,需要大的电感和电解电容,导致LED驱动电路存在体积大、成本高、寿命短等问题,提出一种新型交流电压直接驱动的LED驱动电路。该驱动电路仅需要MOSFETs和运放等有源器件,输入电流能跟随输入电压呈正弦波形变换,以获得高功率因数和低THD。仿真和实验验证该驱动电路的电气特性。     

双色8×8点阵LED的动态显示

双色8×8点阵LED矩阵发光屏采用逐行扫描方式驱动,以8031单片机为核心,MAX7219作为行、列驱动器,完成了双色8×8点阵LED矩阵发光屏驱动板设计与制作,实现了LED显示器件的动态驱动。通过对驱动波形的测试与分析,加深了学生对显示像素4种状态（全选点,行、列半选点和非选点）的理解。通过对该实验系统功能的扩展,可以强化学生平板显示器件驱动技术方面的训练。     

基于贝叶斯概率统计的发光二极管瞬态热阻分析

应用贝叶斯概率统计的方法来反卷积进行网络识别,分析发光二极管(LED)封装器件的瞬态热阻,有效避免了计算机中频域法解卷积出现的病态问题以及贝叶斯迭代法中迭代次数选择的问题.讨论了该方法中优化参数与时间常数谱的半波宽以及纹波的关系,选择适当的优化参数进行反卷积,再由Foster网络模型转换到Cauer网络模型,获得LED器件的瞬态热阻.同时,讨论了该方法对含噪信号的反卷积的可靠性,并分析了采用此种反卷积方法得到的LED封装器件的热阻的正确性.     

中国科大成功制备高效钙钛矿发光二极管

金属卤化物钙钛矿发光二极管(LED)兼具无机和有机材料的优点,具有色域广、成本低、制备简易、发光效率高等技术优势,可高效地将电能转化为光能,广泛应用于新型照明、医疗器件、平板显示等领域.目前业界主要采用旋涂法制备钙钛矿LED,该技术生产的器件面积有限,难以满足商业照明的需求.近日,中国科学技术大学肖正国教授领导的研究组通过改进制造工艺,成功制备出大面积的钙钛矿发光二极管,相关成果发表于《自然- 通讯》.     

键盘输入式LED显示屏控制器

本文以高性能单片机为核心控制器件,以键盘为信息输入方式,设计通用型LED显示屏的控制器,完成对中英文信息的发布显示。控制器主要由键盘式信息输入模块、高性能单片机主控制器模块、键盘接口模块、字库信息模块和点阵式LED屏驱动模块等构成。     

红外-近红外波长变换器件p-QWIP-LED研究

报道了一种基于p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的新型量子阱红外探测器. 该器件作为一种p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的有效集成器件, 可以将QWIP探测的长波红外信号经光电转换过程后变成LED在近红外的发光. 通过电学直接读出方式和近红外(0.87 μm)光强度变化读出方式, 从实验上测量了器件的红外响应光谱, 设计与制备的器件实现了从长波红外(7.5 μm)向近红外(0.87 μm)的波长变化. 研究结果表明这种红外-近红外波长变换途径有可能导致红外焦平面技术体制的变化.