复合氧化物SrTiOa-TiO2氧敏材料的研究￣①

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯｚ－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃区氧灵敏度曲线的线性化。     

掺SrLi1／4Nb3／4O3的SrTiO3氧敏材料特性的研究

利用Ｈ２／Ｈ２Ｏ体系控制氧分压，采用四电极法测量了掺杂ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３的ＳｒＴｉＯ３瓷体在８００～１２００℃，ＰＯ２＝１０－１５～１０５Ｐａ下的电导率，当ｐ＜１００Ｐａ，σ∝Ｐ－１／８Ｏ２；ｐＯ２≥１００Ｐａ，电导率随ｐＯ２变化较为平缓．从缺陷化学角度探讨了ＳｒＴｉＯ３系材料的氧敏性能     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

SrTi1—xMgxO3—δ薄膜的氧敏特性

采用电泳沉积方法，制备了ＳｒＴｉ１－ｘＭｇｘＯ３－δ薄膜，研究了薄膜的氧敏特性．     

ISG工艺合成SrTiO3纳米粒子薄膜

采用ＩＳＧ工艺,在氧化铝陶瓷基片上合成ＳｒＴｉＯ３陶瓷薄膜,研究了溶胶性能和溶胶－凝胶的晶化过程,分析了薄膜的形成及结构。结果表明,ＳｒＯ－ＴｉＯ２复合氧化物系统由凝胶向的单一的立方ＳｒＴｉＯ３相,ＳｒＴｉＯ３陶瓷薄膜晶粒为１０ｎｍ左右。     

用溶胶——凝胶法制备SrTiO3纳米薄膜材料

为制备具有电容和压敏特性的ＳｒＴｉＯ３双功能器件,以Ｓｒ（ＮＯ３）２,Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为原料,用溶胶－凝胶方法制备ＳｒＴｉＯ３材料,研究了水和醋酸等对ＳｒＴｉＯ３材料的影响机理,并对其进行Ｘ－射线衍射、红外光谱和ＴＥＭ分析,证明该薄膜为纳米晶体结构,晶粒尺寸为１２－２５ｎｍ。     

CO气体敏感元件的研究

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ２材料和γ－Ｆｅ２Ｏ３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ２．ｌｎＯ３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

CO气体敏感元件的研究①

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ＿２材料和ｙ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ＿２Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２ｏ３，Ｎａ２Ｏ３－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构，压敏和介电特性的影响，在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型。     

掺杂对SnO2超微粒薄膜湿敏特性的影响

本文对ＳｎＯ２和掺有３％Ｂ２Ｏ３的ＳｎＯ２超微粒薄膜的湿敏特性进行了研究和比较。采用相同工艺条件制备和处理的样品，其结果并不一样。ＳｎＯ２膜的感湿特性差，而掺杂的ＳｎＯ２膜具有较好的感湿特性，而且其湿敏特性曲线具有较好的线性。     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

工艺对SrTiO3—MgTiO3—Bi2O3·nTiO2系陶瓷结构和性能的影响

研究了ＳｒＴｉＯ３－ＭｇＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响．研究表明，采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大．以ＳｒＴｉＯ３、碱式碳酸镁、ＴｉＯ２为初始原料以及经过预先合成烧块的工艺，有利于Ｍｇ２＋和Ｂｉ３＋在ＳｒＴｉＯ３晶格中发生电价补偿置换，促进Ｂｉ２Ｏ３ｎＴｉＯ２在ＳｒＴｉＯ３中的固溶，并可获得充分烧结的、电性能优异的高介低损耗瓷料     

MOCVD法制备TiO2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜,测定了ＴｉＯ２薄膜的晶体结构,以ｐ－Ｓｉ为基底电极,研究了ＴｉＯ２薄膜的光电化学性质。经ＴｉＯ２修饰的ｐ－Ｓｉ电极,开路光电位增加近２０倍,并表现出很强的稳定性,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料。     

红外光谱中溶剂效应机理研究（Ⅴ）：有机锡络合物红外光谱的溶…

用Ｃｙ２ＢｕＳｎＯ２Ｃ－Ｃ６Ｈ４－ｘ，Ｃｙ２ＭｅＳｎＯ２Ｃ－Ｃ６Ｈ４－ｘ，ＣｙＢｕ２ＳｎＯ２Ｃ－Ｃ６Ｈ４－ｘ（ｘ＝Ｈ，ｐ－ＣＨ３，ｐ－ＣＨ３Ｏ，ｐ－ＮＯ２，ｐ－Ｆ，ｐ－Ｃｌ，ｐ－Ｉ，ｐ－ＯＨ，ｐ－ＮＨ，ｍ－ＮＯ２，ｍ－ＣＨ３Ｏ）３个系列共１８种取代苯甲酸配位的有机锡络合物在１３种有机溶剂（环己烷、正庚烷、四氯化碳、苯、甲苯、乙醚、氯仿、二氯甲烷、１，２－二氯乙烷、四氢呋喃、对二氧六环、乙腈）中的羰     

α—Fe2O3（Sn,SO^2—4）气敏材料中SO^2—4离子的作用

研究了不同条件下制备的α－Ｆｅ２Ｏ３（Ｓｎ，ＳＯ＾２－４）气敏材料的电特性，气敏性和晶粒尺寸特性，发现ＳＯ＾２－４作为一种离子基团掺杂对甲烷有明显的增感作用，我们认为引入离子基团是α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料改性的一种途径。     

CVDSnO2薄膜吸附的XPS研究

利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。     

α-Fe_2O_3(Sn,SO_(2-)4)气敏材料中SO_(2-)_4离子的作用

研究了不同条件下制备的α－Ｆｅ２Ｏ３（Ｓｎ，ＳＯ２－４）气敏材料的电特性、气敏性和晶粒尺寸特性，发现ＳＯ２－４作为一种离子基团掺杂对甲烷有明显的增感作用，我们认为引入离子基团是α－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料改性的一种途径．     

粉末溅射SnO2：Pt薄膜和SnO2／SnO2：Pt双层膜的气敏特性

用粉末溅射方法制轩了体掺杂型ＳｎＯ２：Ｐｔ薄膜和表面层掺杂ＳｎＯ２／ＳｎＯ２;Ｐｔ双层膜。实验结果表明,由室温至２００℃,这两种薄膜对ＣＯ气体均显示了较高的灵敏度和选择性。单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响。通过对掺杂单层膜和双层膜所敏特性的比较,对粉末溅射ＳｎＯ２薄膜的气敏响应机理进行了探讨。     

TiO2—x纳米粒子薄膜型氧敏元件的性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯ２薄膜,经在１０００℃氢气氛下还原制得ＴｉＯ２－ｘ薄膜,通过ＳＥＭ照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右,颗粒分布均匀,由ＸＲＤ分析,薄膜的ｘ值在０～０．５之间,实验结果表明,ＴｉＯ２－ｘ薄膜在８００℃下具有良好的氧敏感性和响应特性,薄膜在Ｎ２条件下具有很好的电阻－温度特性。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。