非对称量子点中磁极化子声子平均数的温度特性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines(LLP)幺正变换法,研究了非称抛物量子点内弱耦合磁极化子的振动频率和声子平均数的温度依赖性.数值计算结果表明,非对称量子点中弱耦合磁极化子的振动频率随量子点的横向受限强度、纵向受限强度和外磁场回旋频率的增加而增大,弱耦合磁极化子的声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增大,随温度的升高而减小.     

纯二维极性晶体中磁极化子的光学声子平均数

研究了纯二维极性晶体中与光学声子相互作用的磁极化子的性质，采用幺正变换和线性组合算符法导出了在磁场的作用下，纯二维极性晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数．并以AgCl晶体为例进行了数值计算，讨论了纯二维极性晶体中磁极化子的振动频率及光学声子平均数的一些性质．     

有限温度下表面磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符方法，导出了有限温度下表面磁极化子的光学声子平均数，通过数值计算得出了光学声子平均数随表面光学声子的频率ωs、耦合强度αs、磁极化子振动频率λ、磁场B、极化子数n以及温度T的变化规律．     

晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量

本文采用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间的相互作用时 ,讨论了电子自旋对晶体内弱耦合磁极化子的基态能量和有效质量的影响。对多种晶体所作的数值计算结果表明 :尽管磁场B较弱时 ,电子自旋作用也是较大的。     

磁场中强耦合表面极化子有效质量的温度关系

本文研究磁场中强耦合表面极化子的性质，采用改进的线性组合算符法导出了有限温度下强耦合表面磁场化子的有效质量。文中对ＡｇＢｒ晶体进行了数值计算。结果表明，强耦合表面磁极化子的有效质量随温度的升高而减少．而极化子的平均数随温度的升高而增加。     

自旋对量子线中弱耦合磁极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质。得到了考虑自旋影响时量子线中弱耦合磁极化子的基态能量,并进行了数值计算。结果表明：考虑自旋影响时,量子线中磁极化子的基态能量分裂成两个分支。磁极化子基态能量随量子线束缚强度的增大而增大,随耦合强度的增大而减小。自旋对磁极化子基态能量的影响不能忽略。     

量了阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Ｌａｒｓｅｎ微扰理论，在有限温度情况下，对量子阱内的电子－体Ｏ声子耦合系统进行研究，得到了磁极化子自陷能的解析表达式，并以ＧａＡｓ量子阱为例，进行数值计算，结果表明，磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大；随的变化受磁场的影响特别显著，“低磁场”时，磁极化子自陷能随温度升高而变大；“高磁场”时，却随温度的升高而小。     

极化子速度对束缚磁极化子的声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究了晶体中束缚磁极化子的性质．导出了晶体中强、弱耦合束缚极化子的声子平均数与极化子速度的关系．通过对RbCl和ZnO晶体进行数值计算，结果表明：晶体中强、弱耦合束缚磁极化子的声子平均数均随极化子速度的增加而增大．     

磁场中束缚极化子的声子平均数

研究磁场中束缚极化子声子平均数的性质，采用线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与磁场B和库仑势的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表明：强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和声子平均数N随磁场B和库仑势的增加而增大。     

束缚磁极化子的光学声子平均数

采用改进的线性组合算符和幺正变换分别导出强、弱耦合情况下束缚磁极化子的振动频率和光学平均声子数，并以Rba晶体和AgCl晶体为例进行了计算．结果表明束缚磁极化子的振动频率入随磁场B的增加而增加，光学声子平均数N随耦合常数a的增加而增加。     

自旋对表面磁极化子自陷能磁场特性的影响

讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅰ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节中从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿出发，用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的振动频率，基态能量和有效质量与磁场的关系。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强，与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效相互作用势的磁场依赖性。第四节中用线性组合算符和微扰法研究电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

有限温度下极性晶体中表面磁极化的有效质量

在磁场中有不少的极性晶体，电子和体纵光学声子的耦合弱，而与表面光学声子的耦合强。本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱，与表面光学声子耦合强时温度对表面磁极化子的特性的影响，用改进的线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性。对AgCl晶体进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而减小。     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

量子棒中磁极化子的回旋共振特性和光学声子平均数

基于Huybrechts线性组合算符法,采用Lee—Low-Pines幺正变换和变分技术研究了磁场中量子棒内抛物限制势下电子一体纵光学声子强耦合磁极化子基态的回旋共振特性,推导出磁极化子回旋共振频率和光学声子平均数与磁场的回旋频率、电子一声子耦合强度、量子棒的纵横比和受限强度的变化规律。数值结果表明：磁极化子的光学声子...     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

晶体中弱耦合磁极化子的内部激发态

研究晶体中弱耦合磁极化子内部激发态的性质。采用线性组合算符和么正变换方法计算晶体中磁极化子的第一内部激发态及振动频率,并对两种极限情况进行了讨论。对晶体（GaP）作了数值计算,结果表明极化子的第一内部激发态能量和回旋共振频率随磁场的增加而增大。     

半无限晶体中强耦合表面磁极化子的回旋共振性质

本文研究半无限晶体中强耦合表面极化子在磁场中的性质，采用线性组合算符法导出强耦合表面磁极化子的有效哈密顿量和回旋共振频率，并讨论这些量和磁场的关系。     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。