量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性

基于Huybrechts-Lee-Low-Pines变分法,研究量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性.结果表明:磁极化子基态能量的绝对值随温度参数的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大,随磁场的回旋频率的增加而减小,随量子棒受限强度的增加而减小;磁极化子的基态能量随量子棒纵横比的变化规律呈""型曲线,并受到温度的显著影响.     

磁场对量子棒中弱耦合极化子基态能量的影响

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了量子棒中弱耦合磁极化子的基态能量随量子棒的横向和纵向有效受限长度、椭球的纵横比、磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:量子棒中弱耦合磁极化子的基态能量随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒奇特的量子尺寸限制效应.基态能量随磁场的回旋频率的增加而增加,随椭球的纵横比和电子-声子耦合强度的增加而减少.     

非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数

采用Tokuda的改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了磁场和极化子速率对非对称量子点中强耦合磁极化子性质的影响.导出了磁极化子的声子平均数与量子点的横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度、磁场的回旋频率和极化子的速率的依赖关系.结果表明磁极化子的声子平均数随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子尺寸限制效应.声子平均数随电子-声子耦合强度、磁场回旋频率和极化子的速率的增加而增大.     

量子盘中氢化杂质束缚磁极化子的性质

采用Lee-Low-Pines变换法和Tokuda改进的线性组合算符法研究了外磁场和温度对量子盘中氢化杂质束缚强耦合磁极化子性质的影响,推导出了束缚磁极化子振动频率λ和声子平均数N随温度T,外磁场回旋频率ωc,电子-声子耦合强度α,介电常数比η和电子速率u的变化规律。结果表明,磁极化子的振动频率λ随电子-声子耦合强度α,介电常数比η,电子的速率u和外磁场回旋频率ωc的增加而增大,随温度T的升高和量子盘厚度L的增加而减小;磁极化子的声子平均数N随电子-声子耦合强度α,介电常数比η和外磁场回旋频率ωc的增加而增大,随温度T的升高和电子速率u的增加而减小,随量子盘厚度L的增加而振荡减小。     

非对称量子点中磁极化子声子平均数的温度特性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines(LLP)幺正变换法,研究了非称抛物量子点内弱耦合磁极化子的振动频率和声子平均数的温度依赖性.数值计算结果表明,非对称量子点中弱耦合磁极化子的振动频率随量子点的横向受限强度、纵向受限强度和外磁场回旋频率的增加而增大,弱耦合磁极化子的声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增大,随温度的升高而减小.     

量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数

具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数随电子-声子耦合强度、椭球的纵横比的变化关系.数值计算,结果表明:量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数随电子-声子耦合强度的增加而增加,随椭球的纵横比的增加而减少.     

磁场对抛物量子线中强耦合极化子基态能量的影响

本文研究磁场对抛物量子线中强耦合磁极化子基态能量的影响．采用Tcbda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中磁极化子的基态能量E0随约束强度ω0、回旋频率ωc的增大而增大．     

纳米棒中强耦合磁极化子的基态能量

纳米棒的哈密顿量通过坐标变换由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符方法从理论上研究了纳米棒由二维量子阱、零维量子点和一维量子线之间的演化.计算了纳米棒中强耦合磁极化子基态能量,导出了它随椭球纵横比、横向和纵向有效受限长度、磁场回旋频率和电子-声子耦合强度的演化规律.结果表明：极化子的基态能量是受限长度和纵横比的减函数,是回旋频率的增函数.基态能量的绝对值是耦合强度的增函数.     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

三元混晶中的弱耦合磁极化子

本文研究了三元混晶中弱耦合磁极化子的性质,导出了磁场中三元混晶光学声子与电子的互作用哈密顿量,计算了磁极化子回旋频率、回旋质量和自陷能与混晶组份及磁场的关系,在零磁场(B=0T)下,其结果与裸极化子的情况相同;在组分X=0和X=1时,结果与相应的二元晶体中磁极化子的情形相同.     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。     

耦合强度和磁场对光学极化子平均声子数的影响

应用线性组合算符和幺正变换方法,研究磁场和耦合强度对光学极化子平均声子数的影响.数值计算表明：当电子接近晶体表面时,趋于弱耦合极限,光学极化子的平均声子数为零;当电子远离晶体表面时,振动频率和平均声子数均与磁场强度及耦合参数有关,且随磁场强度和耦合参数的变化而变化.     

抛物量子线中极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符法和变分法，在考虑电子—LO声子相互作用情况下，分别计算了抛物量子线中强、弱耦合情形下极化子的振动频率和光学声子平均数．数值计算结果表明，两种情况下，光学声子平均数都随耦合强度的增大而增大．强耦合极化子的振动频率和声子平均数随有效受限长度的减小而迅速增大。     

量子阱中弱耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符及幺正变换方法,研究了无限深量子阱中弱耦合磁极化子的振动频率、基态能量和电子-LO声子相互作用能．对不同材料的量子阱进行了数值计算,结果表明：磁极化子的振动频率随回旋共振频率的增加而增大;电子-LO声子相互作用能随阱宽度的增加而单调增加,且在阱宽很小时变化显著,在阱宽较大时变化缓慢,最终趋于体材料的值;磁极化子的基态能量随阱宽和电子-声子耦合常数的增加而减小,随回旋共振频率的增加而增大．     

RbCl量子点中强耦合磁极化子基态能量的温度效应

采用线性组合算符和Line-Low-Pines（LLP）幺正变换方法研究了RbC1量子点中强耦合磁极化子基态能量的温度效应。并对RbCl晶体进行数值计算,结果表明：基态能量随有效受限强度、磁场回旋频率和温度的增加而增加。     

纯二维极性晶体中磁极化子的光学声子平均数

研究了纯二维极性晶体中与光学声子相互作用的磁极化子的性质，采用幺正变换和线性组合算符法导出了在磁场的作用下，纯二维极性晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数．并以AgCl晶体为例进行了数值计算，讨论了纯二维极性晶体中磁极化子的振动频率及光学声子平均数的一些性质．     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.