有限温度下极性晶体中表面磁极化的有效质量

在磁场中有不少的极性晶体，电子和体纵光学声子的耦合弱，而与表面光学声子的耦合强。本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱，与表面光学声子耦合强时温度对表面磁极化子的特性的影响，用改进的线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性。对AgCl晶体进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而减小。     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅰ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节中从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿出发，用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的振动频率，基态能量和有效质量与磁场的关系。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强，与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效相互作用势的磁场依赖性。第四节中用线性组合算符和微扰法研究电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

磁场中束缚极化子的声子平均数

研究磁场中束缚极化子声子平均数的性质，采用线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与磁场B和库仑势的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表明：强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和声子平均数N随磁场B和库仑势的增加而增大。     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅱ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的温度效应。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的温度特性,研究了表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性。第四节用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究了二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面磁极化子的性质。     

束缚磁极化子的光学声子平均数

采用改进的线性组合算符和幺正变换分别导出强、弱耦合情况下束缚磁极化子的振动频率和光学平均声子数，并以Rba晶体和AgCl晶体为例进行了计算．结果表明束缚磁极化子的振动频率入随磁场B的增加而增加，光学声子平均数N随耦合常数a的增加而增加。     

非对称量子点中磁极化子声子平均数的温度特性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines(LLP)幺正变换法,研究了非称抛物量子点内弱耦合磁极化子的振动频率和声子平均数的温度依赖性.数值计算结果表明,非对称量子点中弱耦合磁极化子的振动频率随量子点的横向受限强度、纵向受限强度和外磁场回旋频率的增加而增大,弱耦合磁极化子的声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增大,随温度的升高而减小.     

声学形变势表面磁极化子的温度特性

采用线性组合算符方法,讨论了极性晶体内与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面磁极化子的温度特性,结果表明：振动频率随温度的升高而减小,诱生势随温度的升高而增大。     

量子盘中氢化杂质束缚磁极化子的性质

采用Lee-Low-Pines变换法和Tokuda改进的线性组合算符法研究了外磁场和温度对量子盘中氢化杂质束缚强耦合磁极化子性质的影响,推导出了束缚磁极化子振动频率λ和声子平均数N随温度T,外磁场回旋频率ωc,电子-声子耦合强度α,介电常数比η和电子速率u的变化规律。结果表明,磁极化子的振动频率λ随电子-声子耦合强度α,介电常数比η,电子的速率u和外磁场回旋频率ωc的增加而增大,随温度T的升高和量子盘厚度L的增加而减小;磁极化子的声子平均数N随电子-声子耦合强度α,介电常数比η和外磁场回旋频率ωc的增加而增大,随温度T的升高和电子速率u的增加而减小,随量子盘厚度L的增加而振荡减小。     

非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数

采用Tokuda的改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了磁场和极化子速率对非对称量子点中强耦合磁极化子性质的影响.导出了磁极化子的声子平均数与量子点的横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度、磁场的回旋频率和极化子的速率的依赖关系.结果表明磁极化子的声子平均数随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子尺寸限制效应.声子平均数随电子-声子耦合强度、磁场回旋频率和极化子的速率的增加而增大.     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

声子之间相互作用对与形变势相互作用的表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。导出了与形变势相互作用的表面磁极化子的振动频率和有效哈密顿量,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

磁场中表面光学极化子的平均声子数

采用么正变换和变分法研究了磁场中表面光学极化子的性质,计算了表面光学磁极化子的基态能量和平均声子数,讨论了这些量和表面光学声子的频率ωs及耦合强度α的关系.     

纯二维极性晶体中磁极化子的光学声子平均数

研究了纯二维极性晶体中与光学声子相互作用的磁极化子的性质，采用幺正变换和线性组合算符法导出了在磁场的作用下，纯二维极性晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数．并以AgCl晶体为例进行了数值计算，讨论了纯二维极性晶体中磁极化子的振动频率及光学声子平均数的一些性质．     

GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应

研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性．在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下，应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示，也作了数值分析．数值计算的结果表明：在某一确定的温度下，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小；磁场较弱或温度较高时，平均数变化较剧烈；磁场较强或温度较低时，平均数变化较平缓；当外加磁场确定时，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大；当温度较低或磁场较强时，平均数变化偏离线性关系；当温度较高或磁场较弱时，其变化接近线性关系．     

半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受到表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子的影响,研究半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,分别导出了在强、弱耦合情形下表面电子的有效哈密顿量,得到了强、弱耦合表面电子的重正化质量。     

量子阱中弱耦合极化子的内部激发态能量

采用线性组合算符和变分相结合的方法,研究了电子与体纵光学声子弱耦合情况下量子阱中极化子的内部激发态能量．导出了无限深量子阱中弱耦合极化子的第一内部激发态能量与阱宽和电子一体纵光学声子耦合强度的函数关系．通过数值计算,结果表明：弱耦合极化子的第一内部激发态能量随阱宽L的增大而减小,随电子一体纵光学声子耦合强度a的增大呈线性减小．