浅淡热力设备水汽样品中活性硅测定的误差来源

主要介绍水汽样品中活性硅测定结果在电厂热力系统热力设备运行中的重要性。从活性硅测定方法原理和测定操作步骤等方面详细分析了在利用钼蓝比色法测定水汽样品中活性硅时，在测定过程中误差的来源以及在测定过程中注意事项，提高活性硅测定结果的准确度，更好为指导电厂热力设备安全、经济、稳定地运行提供可靠数据。     

硅钼杂多酸化学修饰电极伏安法测定土壤和煤碴中活性硅

本文报道硅钼杂多酸化学修饰电极的制备方法，应用于土壤、煤碴中活性硅的伏安法测定。ＳｉＱ２浓度在０．０５～１００．０ｍｇ／Ｌ范围内与峰高呈良好线性，检测限为０．０５ｍｇ／Ｌ。用山梨糖醇消除磷的干扰，测定了沃土、黄土和煤碴中活性硅含量。     

ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷

目的研究一种方便快捷的测定硅锰合金中硅和磷的方法。方法用硝酸和氢氟酸溶解试样,采用耐氢氟酸雾化装置,用ICP-AES法同时测定硅锰合金中的硅和磷。结果 ICP-AES法同时测定硅锰合金中硅和磷的实验测量精密度和准确度较高,采用统计学上的t检验,t值均小于tα,f值,不存在显著性差异;经对照分析,测定结果差值均在国标允许范围之内。结论用ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷与标准化学分析方法相比,其操作更简便、快捷,能满足生产的需要。     

活性硅改性对沥青及混合料高温性能的影响

研究了活性硅沥青的基本指标和高温流变性能,通过AC-13C混合料的车辙试验,研究了活性硅对不同沥青的改性效果和不同矿粉替代量对沥青混合料高温性能的影响.结果表明:活性硅可显著提高沥青的软化点和黏度;活性硅可将普通70号沥青的高温等级由64℃提高至70℃;对不同沥青,活性硅对混合料高温性能改性效果不同;活性硅改性剂兼有填料作用,但随着替代矿粉量的增加,动稳定度逐渐降低,当13%活性硅替代40%矿粉时,动稳定度与不掺活性硅相当.     

混合介质层类同轴垂直硅通孔的高频性能研究

为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔（through silicon via,TSV）结构,对混合介质层类同轴TSV结构的外围TSV数量、TSV直径、混合介质层厚度等参数进行了仿真研究,并与传统同轴TSV的回波损耗、插入损耗、串扰等性能进行对比.结果表明优化后的混合介质层类同轴TSV结构在1~45 GHz频率范围内,具有良好的射频传输性能.      

铜合金上渗硅层的耐磨耐蚀性

介绍了铜合金在渗剂粉末中高效渗硅,获得无孔的渗硅层。对渗硅层的组织、零件的表面形状和保温时间对渗硅层厚度的影响、摩擦学行为、腐蚀电位等进行了测定,并进行了初步的探讨,说明铜合金上的渗硅层在硫酸介质中具有耐蚀、耐磨(耐磨性提高3倍以上)、减摩等良好性能。     

稳定二硅烯的合成及其反应活性研究进展

稳定二硅烯作为一种重要的反应合成中间体在有机合成中得到了广泛应用,通过反应能够得到一些用一般方法难以合成的小张力环、多环化合物及含硅杂环化合物．文章对稳定二硅烯的合成及其反应活性研究进展进行综述．     

酸性条件下合成纯硅六方介孔分子筛的条件探索

以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,在酸性条件下合成了纯硅六方介孔分子筛。对晶化温度、陈化时间、酸介质的用量和种类等合成条件进行了考察,发现合成条件对样品的结晶度、结构有序性、孔径、壁厚等有明显影响,讨论了这种影响产生的原因和酸性介质中合成纯硅介孔分子筛的适宜条件。     

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.     

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.     

多孔硅在射频/微波电路中的研究进展

多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.     

硅钼黄光度法测定油田产出水中低聚硅

建立了一种硅钼黄光度法测定三元复合驱产出水中低聚硅（单硅及一、二聚硅）的方法,研究了复杂体系三元复合驱产出水中低聚硅的定量分析．在pH值为1～2,波长在400nm处测定,硅含量在0～250mg·L^-1范围内呈良好的线性关系．此硅钼黄光度法简单易行,测定范围宽,具有一定的实用价值．     

石墨烯/硅钨酸复合材料的制备及其催化性能

为有效应用环境友好型催化剂硅钨酸,克服硅钨酸比表面积小、易溶于水的缺点,以天然鳞片石墨为原料,采用Hummers法制备的石墨烯为载体,使用超声振荡法将硅钨酸负载在石墨烯上,并对石墨烯/硅钨酸复合材料进行XRD、SEM表征和催化性能分析.结果表明,石墨烯/硅钨酸复合材料对酯化反应合成乙酸乙酯具有较高的催化性能.该研究证实杂多酸催化剂固载化可使硅钨酸获得高的活性、选择性,提高了其催化应用价值.     

“硅替代”新药创制研究进展

“硅替代”新药创制即合成现有药物的含硅结构类似物．含硅药物与其碳结构类似物相比，具有独特的理化性质，并表现出特定的生物活性，如更强的药效、更高的选择性和更小的毒副作用．因此，对现有药物进行硅替代是设计、改造药物的有效途径．文章对各种硅替代药物进行了全面综述．     

偏最小二乘法用于荧光光度法同时测定磷,硅的研究

将偏最小二乘法（ＰＬＳ）用于荧光光度法同时测定磷、硅，对荧光光度法测定条件及ＰＬＳ法最佳条件进行了试验和讨论。所建立的方法用于合金钢中磷、硅进行测定，获得了较满意的结果．     

有机改性硅的孔结构表征

测定了5种不同有机改性硅吸附剂(十八烷基硅-C18、苯基硅-PHY、三丁基硅-Ct4、氨丙基硅-NAX、羧酸基硅-CCX1)以及常规氧化硅吸附剂的氮吸附等温线,运用BJH法计算了各个样品的孔径分布和微结构特征参数,并用DFT法对CCX1、C18和SIL分别进行了全孔分析.结果表明:5种不同有机改性硅与氧化硅同属中孔型吸附剂,改性导致吸附剂的孔隙率和比表面积出现不同程度的降低,改变了吸附剂的孔径分布状况.     

对GB223·5—81草酸—硫酸亚铁硅钼蓝光度法的改进

用草酸—硫酸亚铁硅钼蓝光度法可以测定钢铁中硅含量,本文对这种方法进行了改进,扩大了测定范围,提高了测定速度和精确度,解决了用国标方法测定铜镍低合金钢中硅含量出现的溶样不完全问题。     

合成新材料钨酸钙,钛酸钙中微量硅的测定

本文对用硅钼蓝分光光度法测定钨酸钙、钛酸钙中微量硅时,对大量干扰无素钨、钛的分离及影响硅测定的因素进行试验,确定了测定条件。方法简便、准确、重现件好。     

水源地水库沉积物中生物硅的测定

利用福建厦门一级饮用水源地石兜-坂头水库的沉积物样品,采用化学提取法对水库沉积物中生物硅的测定进行确定及优化,建立了一套针对水源地水库沉积物样品的生物硅测定方法.即使用10%的H2O2和1.0mol.L-1的HCl对样品进行预处理,利用1mol.L-1的碳酸钠溶液在85℃水浴条件下进行单点提取,固液比为0.75g.L-1.结果表明:该方法的生物硅测定过程准确、简便,相对标准偏差小于10%,可用于水源地水库沉积物生物硅的测定.     

硼、钼、硅对草坪草海滨雀稗CAT和POD活性的影响

以暖季型草坪草海滨雀稗（Paspalum vaginatum Swarfz）为实验材料,通过硼、钼、硅及其配合施用,测定冬季和春季过氧化氢酶（CAT）和过氧化物酶（POD）的活性,探讨硼、钼、硅对草坪草抗寒性的作用．在冬季低温时草坪草海滨雀稗CAT活性下降．施钼和硼钼配施显著提高了草坪草海滨雀稗CAT活性．春季施钼和施硅草坪草海滨雀稗活性显著高于其它处理．在冬季低温时草坪草海滨雀稗POD活性显著升高．在春季和冬季施硅均显著提高草坪草海滨雀稗POD活性．且冬季和春季没有差异．研究结果表明：Mo和Si促进了细胞保护酶活性提高,能有效提高对生物体活性氧的清除能力．减少活性氧对生物膜的破坏作用,从而提高草坪草抗寒性．