量子霍尔效应的研究及进展

对霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍,并给出了各效应的应用或应用前景,首次综述了霍尔效应家族的发展史。     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应在无刷直流电机控制中的应用

霍尔效应是非常重要的磁电效应,霍尔效应原理广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,文中在简单介绍霍尔效应原理和直流无刷电机控制原理的基础上,结合无刷直流电动机中使用的霍尔位置传感器,说明了霍尔位置传感器控制无刷直流电机的工作原理,阐述了无刷直流电机中应用的霍尔位置传感器的基本特性和霍尔位置传感器组必须满足的条件。最后对霍尔位置传感器的应用进行了展望,说明了霍尔位置传感器具有较广泛的用途。     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍耳效应理论研究发展历程

自1879年霍尔效应发现以来,反常霍尔效应、自旋霍耳效应以及量子霍尔效应相继取得了突破性的进展,但是关于霍尔效应的部分理论机制还处于争论之中,迄今仍是科学研究的热点。本文从经典的霍尔效应开始,系统地介绍霍尔效应的发展历程。     

钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用

研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL) 理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中, 并详细考虑钉扎效应, 得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律, 不同高温超导体的实验数据可以很好地标度在一起。同时, 基于含时GL理论的结果并考虑钉扎效应,给出了一组描述存在一次或多次霍尔反号的高温超导体的霍尔电导方程。     

霍尔效应

量子反常霍尔效应是我国科学家从该实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.这是在美国物理学家霍尔于1880年发现霍尔效应133年后终于实现了反常霍尔效应的量子化,是我国科学家从实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.该文将详细讲解霍尔效应的发展历史.     

霍尔效应实验及其在电梯中的应用

该文介绍了霍尔效应实验的原理,提出了实验操作中容易忽视的问题及解决办法,并总结了目前霍尔效应在电梯领域的各种应用。     

霍尔效应实验的拓展

结合安徽农业大学专业设置特点,对霍尔效应实验进行教学改革,农科和医学专业授课以拓展应用知识为主,介绍霍尔效应原理在农业、畜牧业上的应用;工科和理科专业授课以拓展应用知识为主,提供一些应用实例,为学生以后的工作提供思路.实施实验教学时要简单阐述该实验的原理,介绍与实验相关的背景资料,结合不同的专业方向对实验内容做拓展,把理论和实践结合起来,让学生从应用的角度了解霍尔效应的价值,激发学生的学习兴趣,提高教学质量.     

霍尔效应的最新发展及应用

拥有正常电子结构的材料可以在没有磁场作用下与电场发生作用并最终出现量子霍尔效应和自旋霍尔效应,本文详细介绍了这两种霍尔效应的理论原理及实验现象的最新进展。     

霍尔效应与新材料的发展

介绍了经典霍尔效应、量子霍尔效应和反常量子霍尔效应,以及在石墨烯、拓扑绝缘体等纳米新材料发展过程中的应用.     

自旋轨道耦合与自旋霍尔效应?

从巨磁阻效应正式拉开自旋电子学的序幕开始,如何控制和操纵电子的自旋自由度在学术界和工业界掀起了巨大的研究浪潮,如何产生并测量自旋流也是自旋电子学面临的重大挑战.自旋轨道耦合为自旋电子学提供了利用全电学来控制自旋的物理基础,由自旋轨道耦合引起的自旋霍尔效应则为自旋电子学提供了产生较大纯自旋流的方法.本文从1879年Edwin Hall发现的那个迷人的效应谈起,同时从自旋轨道耦合的起源来认识自旋霍尔效应,进一步探讨了如何利用其逆效应来探测自旋霍尔效应及自旋流,并简单总结了与自旋霍尔效应相关的部分新效应及新应用.     

用霍尔效应实验仪测量周围环境磁场的探究

在原霍尔效应实验的基础上,运用磁场叠加原理,提出用作差法和电位调零法来测量霍尔电压,这两种方法不仅能够消除不等位电势差与环境因素对霍尔效应实验的影响,还能够很好地测量外界环境磁场在霍尔片所在位置处的磁感应强度的大小.     

霍尔效应法测量磁场实验的研究

介绍了霍尔效应及其副效应;分析霍尔效应法测磁场的误差来源;给出异常数据的处理方法.     

CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究

本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下（5-300K）的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx＋bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.     

基于霍尔效应的流体介质流量测量的方法

探讨流体介质在磁场中产生霍尔效应的原理过程,论证利用该效应测量流量的可能性及应用条件,给出了相应的理论公式及模拟实验模型与结果     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

(FeNiCo)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜霍尔效应的研究

利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品，并对样品的霍尔效应进行了研究，在x=0．48时，样品的饱和霍尔电阻率为4．5μΩ．cm，霍尔电压为450μV。在同样的制备条件下保持x不变，用Co去替代部分Ni得到一系列[Fe21(NimCon)]x-(Al2O3)1-x颗粒膜，测量其霍尔电压，结果发现随着Co含量的增加，霍尔电压增大，当原子比n／m=0．6时，霍尔电压为1125μV。     

霍尔效应—从线性到非线性

提出了霍尔效应中存在霍尔电压与励磁电流的非线性对应关系这一设想.在霍尔电流IS=9.00mA的条件下,通过不断增加励磁电流来研究霍尔电压与励磁电流的关系.当励磁电流IM超过1.6A后,确实出现了霍尔电压与励磁电流的非线性对应关系,验证了设想.     

Cu：SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性，该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值，不同于其它渗流系统．并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中，发现了巨霍尔效应(GHE)，其数值高于普通金属近3个数量级，为霍尔传感器材料研究提供了新途径，这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的。