精确计算Be原子SCF水平的电子性质

用基组展开和解析求导的方法精确计算Be原子SCF水平的极化率和超极化率．计算超极化率的基组必须能正确表示无微扰的波函数，又能正确地表示由于外场引起的一阶和二阶微扰波函数．将s，p，d型基函数依次分别对无微扰能量E1，极化率α和超极化率γ进行优化，从而排除了基组选择过程中的任意性，使计算结果可以毫不含糊地随着基组的扩大而无限趋近Hartree-Fock极限值．计算表明，40s17p9d基组是合适的，用这个基组的计算结果是α（SCF）=45．616，γ（SCF）=3．91E4．还对以前的Be原子超极化率的Hartree-Fock水平计算结果进行了讨论．     

玻色-爱因斯坦凝聚体波函数的研究

研究了微扰对玻色-爱因斯坦凝聚体波函数的影响．结果给出了微扰对基态和激发态的影响程度以及对凝聚体最大粒子数的限制．这表明：微扰的作用会对跃迁率产生影响，这种影响与涡旋的形成密切相关．     

微扰算符作用下任意时刻二能级体系激发态跃迁几率研究

研究了微扰算符作用下任意时刻二能级体系的激发态跃迁几率,利用微扰近似方法给出了二能级量子体系的能量本征值、本征波函数、任意时刻的体系状态波函数和激发态的跃迁几率公式,并结合具体实例对理论进行了验证。结果表明微扰近似方法在处理任意时刻二能级体系的激发态跃迁几率问题时是非常便捷和有效的。     

柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法,研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量,电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势,在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上,给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明,随着量子线半径的增大,基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小,回旋共振频率也随之减小．该结果对以前的研究结果有所改进     

Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。     

外电场中氢原子任意激发态能级的求解

采用简并微扰理论求解了外电场中氢原子任意激发态的能级，给出了任意激发态能级和量子数ｎ及磁量子数ｍ的关系以及相应的微扰波函数。     

三元混晶中电子极化势与极化电荷

本文计及双支纵光学声子模的作用，采用微扰法导出了极性三元混晶Ａ＿ｘＢ＿（１－ｘ）Ｃ中极化子的二级近似波函数，进一步计算了电子的极化势和极化电荷密度．数值计算了混晶Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ和ＺｎＴｅ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）中极化势与极化电荷密度对组分ｘ的依赖关系，并对结果进行了讨论．     

高维情形的Vasic定理及其应用

给出了高维情形的Ｖａｓｉｃ定理：定理１设αｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ＋１）为ｎ维单形Ω之顶点角，则对任一组实数ｘｉ＞０（ｉ＝１，２，…，ｎ＋１），有本文还给出了它的一些应用．     

氢原子低能级的Stark效应

用微扰法计算了氩原子低能级的Stark效应．基态精确到二级修正,能级产生移动;第一激发态、第二激发态精确到一级修正．能级产生分裂．简并部分解除．